在工業(yè)自動(dòng)化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，始終致力于核心工藝技術(shù)的創(chuàng)新與突破，持續(xù)迭代升級(jí)IGBT和MOSFET技術(shù)平臺(tái)，通過(guò)精密的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、優(yōu)化的制造工藝和先進(jìn)的封裝方案，打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品旨在滿足嚴(yán)苛應(yīng)用環(huán)境下的高效率運(yùn)行和長(zhǎng)期穩(wěn)定需求，為客戶提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的系統(tǒng)級(jí)解決方案。以下是上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹：

650V系列 IGBT產(chǎn)品：

• 10A~75A系列：基于貝嶺第6代Trench FS IGBT工藝平臺(tái)，采用3μm pitch微溝槽工藝。正面通過(guò)精密調(diào)控“Gate溝槽 + dummy溝槽”比例，背面應(yīng)用優(yōu)化的H FS工藝，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的Vcesat-Eoff折衷性能與強(qiáng)大的短路能力。終端采用優(yōu)化的“FLR+場(chǎng)板技術(shù)”，確保最高工作結(jié)溫175℃下的可靠性，并通過(guò)HV-H3TRB加嚴(yán)測(cè)試。

• 80A~200A系列：升級(jí)至第7代Trench FS IGBT工藝平臺(tái)，采用更精細(xì)的1.6μm pitch微溝槽工藝。正面通過(guò)優(yōu)化“Gate溝槽 + E短接溝槽 + dummy溝槽”三種溝槽設(shè)計(jì)比例，結(jié)合優(yōu)化的H FS工藝，實(shí)現(xiàn)足夠低的Vcesat、良好的開(kāi)關(guān)損耗及滿足電機(jī)驅(qū)動(dòng)需求的短路能力。終端采用優(yōu)化的“VLD技術(shù)”，提升芯片利用率的同時(shí)，保障175℃結(jié)溫工作能力及通過(guò)HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證。

40V SGT MOS產(chǎn)品：

• 基于最新的低壓SGT工藝平臺(tái)，采用紅磷襯底及HDP（高密度等離子體）工藝。紅磷襯底電阻率顯著低于傳統(tǒng)材料，HDP工藝實(shí)現(xiàn)高密度元胞，有效降低溝道電阻與整體導(dǎo)通電阻(Rdson)。高密度設(shè)計(jì)下晶圓仍可安全減薄（非taiko），進(jìn)一步降低襯底電阻。
• 封裝 (PDFN5*6)：
  • 常規(guī)鋁帶鍵合：封裝電阻優(yōu)于鋁絲，成本效益高。
  • 銅片Clip Bonding：大幅降低封裝電阻，提升過(guò)流能力。

80~150V SGT MOS產(chǎn)品：

基于最新的中高壓SGT工藝平臺(tái)，采用雙層外延(EPI)設(shè)計(jì)優(yōu)化電場(chǎng)分布，在保持擊穿電壓(BV)的同時(shí)降低導(dǎo)通電阻(Rdson)。

• 80~100V系列：精密工藝實(shí)現(xiàn)高密度元胞與晶圓減?。ǚ莟aiko），降低襯底電阻。
• 150V系列：應(yīng)用HDP工藝實(shí)現(xiàn)高密度元胞，有效降低溝道電阻與柵電荷(Qg)。

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