近日，上海貝嶺市場工業(yè)市場經理冒晶晶受邀參加由全球技術信息集團 ASPENCORE舉辦的“IIC SHENZHEN-國際集成電路展覽會暨研討會”。會議中，上海貝嶺工業(yè)市場經理冒晶晶進行了 “功率器件助推上海貝嶺積極融入新能源賽道”的主題演講并與出席會議的各大半導體行業(yè)專家及相關產業(yè)嘉賓進行了交流學習。

此次會議中，上海貝嶺憑借第7代750V 275A 溝槽柵場阻止結構IGBT芯片(BLQG275T75F)榮獲“年度功率半導體/驅動器”獎項。

BLQG275T75F產品基于貝嶺Trench-FS Gen7 技術平臺，具有正向壓降小、開關速度快，開關損耗低、高可靠性等特點。采用第七代微溝槽柵技術，優(yōu)化了導通壓降和開關損耗，實現(xiàn)更好的輸出特性及高可靠性。采用優(yōu)化的多層場截止技術，改善了器件在不同母線電壓和柵電阻下的短路表現(xiàn)。采用優(yōu)化的結終端技術，實現(xiàn)175℃的最高工作溫度、高可靠性以及強魯棒性。

該芯片完成全面的車規(guī)認證，特別為工作頻率在5 至20kHz的硬開關電路設計，主要面向新能源汽車應用市場。該芯片針對電動汽車驅動應用特點特別優(yōu)化損耗分布，優(yōu)化正溫度系數(shù)，使得該芯片易于并聯(lián)使用，保證了產品的易拓展性，可通過不同封裝形式滿足不同功率等級的應用。

應用：以TO-247PLUS 單管封裝可廣泛應用于最高40kW的汽車主驅逆變器，適合A0級和A00級純電動汽車。以HPD等形式的750V IGBT功率模塊可廣泛應用于最高120kW的汽車主驅逆變器，適合A級純電動及混合動力汽車。