2025 PCIM Asia Shanghai ——上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)將于2025年9月24至26日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦。本屆展會(huì)聚焦電氣化交通、太陽(yáng)能與風(fēng)能、儲(chǔ)能、氫能、人工智能和數(shù)據(jù)中心的電力電子應(yīng)用等應(yīng)用領(lǐng)域。

行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)珠海鎵未來科技有限公司將攜 Bi-Directional GaN、(全球內(nèi)阻最低)車規(guī)級(jí) 9mΩ 650V 氮化鎵分立器件、Gen3 系列等多款新品亮相本次展會(huì)。

2、新品速遞

1：Bi-Directional GaN

G2B65 系列場(chǎng)效應(yīng)晶體管是混合型常閉雙向氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用頂部冷卻表貼型封裝，具有電隔離的散熱金屬表面，便于熱管理和自動(dòng)裝配工藝。

2：車規(guī)級(jí) 9mΩ 650V 氮化鎵分立器件

G3E65R009 系列場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一款完全符合汽車 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 650V、9mΩ GaN FET，采用 GaNext Gen3 技術(shù)平臺(tái)，兼容 Si MOSFET 驅(qū)動(dòng)，是全球 Rdson 最小的 650V氮化鎵分立器件。其采用 TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L（內(nèi)絕緣）封裝，散熱能力優(yōu)異且與同封裝的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容，能夠滿足更多大功率應(yīng)用需求。

3：Gen3 技術(shù)平臺(tái)系列產(chǎn)品

Gen3 650/700V 系列場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是混合型常關(guān)式氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有市場(chǎng)上所有寬禁帶器件中最強(qiáng)的柵極和最低的反向電壓降。它們可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)，提供業(yè)界最佳的性能和卓越的可靠性。

Gen3 性能優(yōu)勢(shì)（相較 Gen2）：

芯片面積相對(duì)優(yōu)化33%：通過工藝優(yōu)化和結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，Gen3 技術(shù)平臺(tái) DPW 相對(duì)提升33%，F(xiàn)OM 相對(duì)優(yōu)化15%，實(shí)現(xiàn)更小尺寸與更強(qiáng)性能的完美結(jié)合。

器件損耗降低5%：在約2500W的輸出功率（P-out）下，效率高達(dá)99.3%，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)性能躍升。

熱性能優(yōu)化：在最大輸出功率約7700W的嚴(yán)苛條件下，相同 RDS-ON 器件實(shí)測(cè)溫升降低8.6℃，相對(duì)降幅高達(dá)66%。顯著提升系統(tǒng)在持續(xù)高功率運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和壽命。

ESD 能力強(qiáng)化：較上一代相對(duì)提升50%，全面實(shí)現(xiàn)≥ 2000V（HBM&CDM）。（是指在測(cè)試電路 Boost 半橋升壓電路 240Vin-400Vo 中得到）

鎵未來率先推出功率 GaN 行業(yè)第一款 TO-3PF 封裝器件 G3N70R070TE-H，支持圖騰柱無橋 PFC 拓?fù)?/ 傳統(tǒng)有橋 PFC 拓?fù)淅涿缴?，可?yīng)用于3000W功率等級(jí)的家電空調(diào)設(shè)計(jì)。

G3E65R035QD-H 產(chǎn)品采用頂部散熱的表貼型 QDPAK 封裝，散熱能力優(yōu)于同類型的 TOLT 封裝，具有開爾文源極引腳且與同封裝的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容，實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能、靈活的 PCB 布局以及高功率密度集成；

G3E65R009 系列是功率 GaN（650V 耐壓）行業(yè)首款內(nèi)阻小于10mΩ的分立式器件 ，采用 TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L（內(nèi)絕緣）封裝，散熱能力優(yōu)異且與同封裝的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容。可支持高達(dá)100kW功率等級(jí)的新能源汽車電驅(qū)應(yīng)用需求。

鎵未來 Gen3 650/700V 系列氮化鎵功率產(chǎn)品在本次 PCIM 展會(huì)宣布全面推向市場(chǎng)。新一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了芯片性能、能效表現(xiàn)及系統(tǒng)可靠性的多維跨越，以“更小、更高效、更可靠”的全面進(jìn)化，再度引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，為電源工程師帶來更具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能解決方案。在立志“打造和普及一流的氮化鎵產(chǎn)品”道路上更進(jìn)一步！

審核編輯 黃宇