電氣驅(qū)動(dòng)與控制技術(shù)、智能電網(wǎng)、光伏、新能源汽車等行業(yè)的發(fā)展是關(guān)乎國家/地區(qū)電網(wǎng)、工業(yè)、軌道交通等“命脈”工程的關(guān)鍵！PCIM Asia，作為專注于大功率電力電子產(chǎn)品及驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電能質(zhì)量等應(yīng)用方案的國際展覽平臺(tái)，云集了全球電力電子元器件及相關(guān)應(yīng)用技術(shù)的知名廠商，一同探討市場最新的研發(fā)產(chǎn)品和技術(shù)趨勢。

“賦能世界，無盡能源！”在 PCIM Asia 2018上，英飛凌圍繞這一理念，重磅展示了多款面向電力電子和可再生能源市場的領(lǐng)先產(chǎn)品和系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案：覆蓋前沿的硅基MOSFET 和 IGBT 到數(shù)字化功率創(chuàng)新，以及最新的碳化硅和氮化鎵技術(shù)等等。誠然，英飛凌芯片對于提高發(fā)電、輸電和用電效率起著至關(guān)重要的作用，正在全面賦能整個(gè)電能供應(yīng)鏈！想知道今年P(guān)CIM Asia有哪些亮點(diǎn)，就看英飛凌“Show Time”了~

01

1200V TRENCHSTOP? IGBT7

1200V TRENCHSTOP? IGBT7基于最新微溝槽技術(shù)，可大幅降低損耗，并提供高度可控性。該芯片專門針對工業(yè)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，可大幅降低靜態(tài)損耗，提高功率密度，與EmCon7 1200 V 二極管技術(shù)構(gòu)成IGBT開關(guān)，開關(guān)更為柔和。另外，通過將功率模塊中允許過載的最高工作溫度提高至 175℃，可顯著提高功率密度。

全新1200V TRENCHSTOP? IGBT7擁有領(lǐng)先同類產(chǎn)品的性能(點(diǎn)擊可查看高清大圖)

02

CoolSiC? MOSFET

CoolSiC? MOSFET 1200V 是將設(shè)計(jì)帶到全新效率和功率密度水平的前沿解決方案。英飛凌在62mm 實(shí)現(xiàn)了3 毫歐姆的半橋模塊，在EASY2B 封裝中實(shí)現(xiàn)6 毫歐姆的半橋模塊。通過結(jié)合最佳可靠性、安全性和易用性，CoolSiC? MOSFET 是光伏逆變器、UPS 和電動(dòng)汽車充電等電源應(yīng)用的最佳解決方案。

面向中國市場的光伏客戶，英飛凌研發(fā)推出定制化產(chǎn)品，如三電平模塊提高了組串型逆變器的單機(jī)的功率極限，采用碳化硅MOSFET 模塊的應(yīng)用，大大提高了效率和功率密度。

03

MIPAQ? Pro，真正意義上的智能IGBT模塊

MIPAQ? Pro 是一款集成 IGBT、驅(qū)動(dòng)、散熱器、傳感器、數(shù)字控制以及通訊總線的大功率智能功率模塊(IPM)。英飛凌通過對諸如芯片工作結(jié)溫、輸出電流、直流電壓等關(guān)鍵參數(shù)的實(shí)時(shí)監(jiān)控，進(jìn)行故障預(yù)警和保護(hù)，從而實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)大的智能保護(hù)功能。如此一來，即可在減少設(shè)計(jì)冗余、實(shí)現(xiàn)功率輸出最大化的同時(shí)，確保IPM可以在設(shè)定的極限范圍內(nèi)安全穩(wěn)定工作，在設(shè)備出現(xiàn)故障隱患時(shí)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)并有效預(yù)防，大大提高了設(shè)備的現(xiàn)場有效運(yùn)行時(shí)間。

該系列產(chǎn)品可進(jìn)一步通過并聯(lián)信號延時(shí)可調(diào)設(shè)計(jì)，輕松實(shí)現(xiàn)并聯(lián)擴(kuò)展(可多至四模塊并聯(lián))，功率可達(dá)7 MW，其友好靈活的接口設(shè)計(jì)和參數(shù)在線設(shè)置調(diào)整功能讓 MIPAQ? Pro 的設(shè)計(jì)和操作都更加靈活自如。另外，模塊亦集成英飛凌安全控制芯片，實(shí)現(xiàn)備件身份識別，確保系統(tǒng)的“純正血統(tǒng)”和高質(zhì)可靠性，使得備件管理更加智能規(guī)范。

? 1200V、1700V兩種電壓等級

? 半橋結(jié)構(gòu)

? 額定電流最大至2400A

? 配風(fēng)冷，水冷兩種散熱器

04

TRENCHSTOP? Feature IGBT

為了提高 IGBT 使用的可靠性，越來越來的用戶更傾向于 IGBT 本身自帶多種保護(hù)或者集成多種功能，如過壓保護(hù)、過流保護(hù)、過溫保護(hù)、有源鉗位、故障報(bào)警等。因此，英飛凌即將推出全新的多功能IGBT——TRENCHSTOP? Feature IGBT。該系列 IGBT 包含多種組合，即根據(jù)不同應(yīng)用的設(shè)計(jì)需求，集成不同保護(hù)或者其它功能，為用戶提供一種設(shè)計(jì)簡單但安全可靠的方案。

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IGBT 應(yīng)用解決方案與系統(tǒng)解決方案

本次展會(huì)上，英飛凌展示的IGBT應(yīng)用解決方案包括了 IGBT 和碳化硅器件驅(qū)動(dòng)方案和各種設(shè)計(jì)評估板，而系統(tǒng)解決方案則包括了電動(dòng)汽車充電、逆變焊機(jī)、兆瓦級1500V 光伏逆變器和XHP? 3并聯(lián)方案等，它主要應(yīng)用于電力機(jī)車和高速列車的牽引和輔助變流器、柔性高壓直流輸電，賦能關(guān)鍵系統(tǒng)節(jié)點(diǎn)以高質(zhì)可靠性。

1

基于英飛凌隔離型柵極驅(qū)動(dòng)芯片1EDI + CoolSiC? MOSFET + CoolSiC? 肖特基二極管的30 kW直流充電模塊參考設(shè)計(jì)，功率密度高達(dá)42.1 W/inch3，支持輸出電壓300 V - 750 VDC、輸入電壓280 V - 460VAC。對比傳統(tǒng)15 kW直流充電模塊，功率密度提升33%，負(fù)載效率高達(dá)96.5%，電路簡潔易設(shè)計(jì)，更可擴(kuò)展到60/120 kW以及更高功率直流充電樁。

2

3.5 kW 焊機(jī)設(shè)計(jì)，搭載了市面上最先進(jìn)的 D2PAK封裝英飛凌650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT的160A單相手提式MMA焊機(jī)方案，額定輸出160 ADC/ 24 VDC，輸入電壓支持AC220 V±15%, 50/60 Hz，整體尺寸僅230 x 135 x 140 mm3。由于兩顆高效率TRENCHSTOP? 5 H5IGBT的采用，逆變器效率大大提高，其散熱器僅是整流部分的三分之一大。

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搭載英飛凌最先進(jìn)1200 V 單管IGBT6 (IKQ75N120CS6) 的400 A 三相手提式MAG/MIG/MMA焊機(jī)方案，額定輸出400 ADC/ 30 VDC，輸入電壓AC380 V ±15%，50 Hz。與傳統(tǒng)IGBT模塊方案相比，該設(shè)計(jì)擁有更大的電流輸出能力、更低的功耗、更好的熱特性以及更低的系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

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英飛凌最新的光伏集中逆變器，支持1500 V系統(tǒng)，采用的IGBT5擁有更強(qiáng)的抗宇宙射線性能、更高的效率，并極大地提高了單機(jī)輸出功率。PrimePACK? 模塊搭配TRENCHSTOP? IGBT5與.XT技術(shù)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來了更高功率密度(增加25%)或更長壽命(延長10倍)。基于上述功率單元，英飛凌已實(shí)現(xiàn)“兆瓦級”1500V光伏逆變器三電平功率單元方案~

光伏集中逆變器為系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來了更高功率密度或更長壽命

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DDPAK，創(chuàng)新正面散熱SMD封裝

在當(dāng)今基于SMD的設(shè)計(jì)中，輸出功率受PCB材料的熱特性限制，因?yàn)闊崃勘仨毻ㄟ^電路板散發(fā)。DDPAK，創(chuàng)新正面散熱SMD封裝來滿足大功率SMPS市場需求。得益于集成式4引腳開爾文源配置，可降低寄生源電感，減輕振蕩傾向。采用正面散熱SMD封裝的CoolMOS?和CoolSiC?可在電路板與MOSFET之間實(shí)現(xiàn)更大溫差及延長系統(tǒng)使用壽命。

基于DDPAK的SMD解決方案可在標(biāo)準(zhǔn)散熱概念的電路板溫度水平上實(shí)現(xiàn)高出20%的輸出功率，從而在給定的外形尺寸下實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

基于DDPAK的SMD解決方案允許在標(biāo)準(zhǔn)散熱概念的輸出功率水平上以大約低12°C的電路板溫度驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，從而延長系統(tǒng)壽命。

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以上就是小編為你獨(dú)家播報(bào)的英飛凌PCIM Asia現(xiàn)場直擊，這些面向電力電子和可再生能源市場的一流解決方案有木有讓你想Pick的沖動(dòng)？