日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

長江存儲(chǔ)將首次公布3D NAND閃存技術(shù),實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)

dKBf_eetop_1 ? 來源:未知 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-07-30 17:57 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

紫光旗下的長江存儲(chǔ)(YMTC)宣布,將首次參加8月份在美舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)。

此次峰會(huì),長江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士將發(fā)布表主題演講并揭曉突破性技術(shù)Xtacking。官方稱,Xtacking可以將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn),同時(shí)使存儲(chǔ)密度達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平,實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)。

據(jù)悉,Xtacking可用于消費(fèi)級(jí)/企業(yè)級(jí)SSD還有UFS閃存,且實(shí)現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時(shí)間,并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。

那么DDR4的傳輸速度是什么級(jí)別?

以常見的DDR4-2400單通道為例,數(shù)據(jù)速率2400Mbps,理論峰值帶寬2400MHz x 64bit/8=18.75GB/s。

還不清楚紫光所謂速度級(jí)別的具體數(shù)字,僅從紙面分析,倒是很像Intel在做的傲騰存儲(chǔ),最終目標(biāo)是閃存、內(nèi)存二合一。

閃存示意圖

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1918

    瀏覽量

    117478
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1766

    瀏覽量

    141313
  • 長江存儲(chǔ)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    333

    瀏覽量

    38908

原文標(biāo)題:長江存儲(chǔ)將首次公布速率與DDR4相當(dāng)?shù)?D NAND閃存技術(shù)!

文章出處:【微信號(hào):eetop-1,微信公眾號(hào):EETOP】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    華邦電子NOR閃存NAND閃存產(chǎn)品概述

    華邦電子的 NOR 閃存符合工業(yè)及車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn),滿足各類應(yīng)用的嚴(yán)苛需求,容量覆蓋 2Mb 至 2Gb,支持 3V、1.8V 和 1.2V 電壓規(guī)格,以及單通道、雙通道/四通道接口。多數(shù)產(chǎn)品提供
    的頭像 發(fā)表于 04-20 11:15 ?1236次閱讀

    3D NAND中的Channel Hole工藝介紹

    Channel Hole(溝道通孔)是3D NAND閃存制造中的核心工藝步驟。它是指在垂直堆疊的多層?xùn)艠O或介質(zhì)層中,刻蝕出貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的細(xì)長通孔。這些通孔從頂層延伸至底層,垂直于晶圓表面,穿過上百層
    的頭像 發(fā)表于 04-14 11:43 ?322次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>中的Channel Hole工藝介紹

    閃存創(chuàng)新賦能全域,閃迪以“端云一體”戰(zhàn)略重塑AI時(shí)代存儲(chǔ)格局

    在這一行業(yè)變革的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),作為全球閃存技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,閃迪正以全場景存儲(chǔ)解決方案積極回應(yīng)AI時(shí)代對(duì)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施提出的全新挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 04-03 16:09 ?1.2w次閱讀
    <b class='flag-5'>閃存</b>創(chuàng)新賦能全域,閃迪以“端云一體”戰(zhàn)略重塑AI<b class='flag-5'>時(shí)代</b><b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>格局

    深耕計(jì)量技術(shù):助力下一代 3D NAND 突破存儲(chǔ)極限

    作者:LauraPeters文章來源:SEMICONDUCTORENGINEERING每一代3DNAND閃存存儲(chǔ)容量都比上一代增加約30%,目前的芯片尺寸僅相當(dāng)于指甲蓋大小,卻能存儲(chǔ)
    的頭像 發(fā)表于 12-24 10:28 ?2125次閱讀
    深耕計(jì)量<b class='flag-5'>技術(shù)</b>:助力下一代 <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b> 突破<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>極限

    深耕閃存技術(shù)35年 閃迪以創(chuàng)新引領(lǐng)極速存儲(chǔ)時(shí)代

    正是這一年,閃迪(Sandisk)創(chuàng)立,此后長期深耕閃存領(lǐng)域,并以一系列革命性突破定義了行業(yè)軌跡,成為全球閃存技術(shù)存儲(chǔ)
    的頭像 發(fā)表于 12-11 08:58 ?2091次閱讀
    深耕<b class='flag-5'>閃存</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>35年 閃迪以創(chuàng)新引領(lǐng)極速<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b><b class='flag-5'>時(shí)代</b>

    閃存巨頭漲價(jià)50%!數(shù)據(jù)中心將成閃存最大市場

    全部渠道和消費(fèi)類產(chǎn)品執(zhí)行10%普漲。美光、三星等存儲(chǔ)大廠也紛紛跟進(jìn)漲價(jià)。 ? 針對(duì)NAND閃存四季度合約價(jià)上漲的預(yù)期,TrendForce給出的平均漲幅預(yù)估為5%-10%。顯然,此次閃迪的大幅漲價(jià)已遠(yuǎn)超預(yù)估價(jià)格。 ? 臺(tái)媒稱,受
    的頭像 發(fā)表于 11-11 09:20 ?6703次閱讀
    <b class='flag-5'>閃存</b>巨頭漲價(jià)50%!數(shù)據(jù)中心將成<b class='flag-5'>閃存</b>最大市場

    NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

    NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
    的頭像 發(fā)表于 09-08 09:51 ?7865次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b> Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

    如何觸摸校準(zhǔn)存儲(chǔ)到 SPI 閃存

    觸摸校準(zhǔn)存儲(chǔ)到 SPI 閃存
    發(fā)表于 09-04 07:06

    如何在“SD 卡 NAND 閃存”的情況下使用 Non-OS NVTFAT?

    如何在“SD 卡 NAND 閃存”的情況下使用 Non-OS NVTFAT
    發(fā)表于 09-01 07:58

    N9H30如何使用 NuWriter 進(jìn)行 NAND 閃存?

    N9H30如何使用 NuWriter 進(jìn)行 NAND 閃存?
    發(fā)表于 09-01 06:01

    構(gòu)建HBF技術(shù)生態(tài),閃迪首批高帶寬閃存HBF 2026年出樣

    要求,并探索構(gòu)建HBF的技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)。 ? 高帶寬閃存(HBF)是一種專為 AI 領(lǐng)域設(shè)計(jì)的新型存儲(chǔ)器架構(gòu)。在設(shè)計(jì)上,HBF結(jié)合了3D NAND
    的頭像 發(fā)表于 08-15 09:23 ?4352次閱讀
    構(gòu)建HBF<b class='flag-5'>技術(shù)</b>生態(tài),閃迪首批高帶寬<b class='flag-5'>閃存</b>HBF 2026年出樣

    NAND閃存芯片功能與應(yīng)用分析

    NAND閃存芯片是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點(diǎn)和應(yīng)用場景的詳細(xì)分析: 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲(chǔ):以
    的頭像 發(fā)表于 08-11 10:43 ?3102次閱讀

    Kioxia推出UFS 4.1版本嵌入式閃存設(shè)備樣品

    的BiCS FLASH? 3D閃存和控制器。這些全新UFS設(shè)備采用Kioxia第8代BiCS FLASH? 3D閃存(1)打造。該代
    的頭像 發(fā)表于 07-10 14:35 ?1089次閱讀

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤,這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。 分類 NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失
    發(fā)表于 07-03 14:33
    汉阴县| 韩城市| 当雄县| 新兴县| 罗江县| 阳新县| 左云县| 宜宾县| 哈巴河县| 万全县| 璧山县| 务川| 汉川市| 贵定县| 深水埗区| 岱山县| 湘阴县| 宜君县| 呼图壁县| 乌兰浩特市| 吉水县| 武城县| 赣州市| 许昌市| 桃园县| 宝清县| 会宁县| 吴旗县| 临西县| 哈尔滨市| 恩施市| 永定县| 托克逊县| 阿勒泰市| 射洪县| 六安市| 宁明县| 贺兰县| 清河县| 松滋市| 玉门市|