如何對傳導功耗進行折中處理，降壓MOSFET電阻比？
在本次視頻中我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電阻
+關(guān)注
關(guān)注
88文章
5818瀏覽量
180007 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10834瀏覽量
235095 -
ti
+關(guān)注
關(guān)注
114文章
8085瀏覽量
220102
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
Onsemi FDMA7672 MOSFET：高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選
Onsemi FDMA7672 MOSFET：高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選 在電子設計領域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能表現(xiàn)直接影響到整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一下
探索 onsemi FDMA8051L MOSFET：高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選
探索 onsemi FDMA8051L MOSFET：高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選 在電子設計領域，MOSFET 作為關(guān)鍵元件，其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討 onsemi
onsemi FDMA86108LZ MOSFET：高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選
onsemi FDMA86108LZ MOSFET：高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選 在電子設備設計中，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，其性能直接影響到整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們來深入了解一下
onsemi FDMA86551L MOSFET：高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選
onsemi FDMA86551L MOSFET：高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選 引言 在電子電路設計中，MOSFET是極為關(guān)鍵的元件，特別是在同步降壓轉(zhuǎn)換器應用里，其性能直接影響著整個
在哪里可以找到MOSFET功率損耗信息？
我正在進行 BMS 設計并計劃使用該MC33HB2000FK（如 RD-BESSK358BMU 參考設計）。
我想估計 MC33HB2000FK 的 MOSFET 損耗，用于 PCB 熱設計目的
發(fā)表于 04-16 10:43
SGM25811：高性能同步整流降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET驅(qū)動芯片
- MOSFET的雙路高壓MOSFET驅(qū)動芯片。當與多相降壓PWM控制器結(jié)合使用時，它能夠構(gòu)成先進微處理器電壓調(diào)節(jié)器
SL1588降壓恒壓 DC12V降壓5V 3.3V/ 2A同步降壓恒壓芯片
在現(xiàn)代電子設備中，電源管理模塊的性能直接影響整機的穩(wěn)定性與能效。尤其是對于需要從較高輸入電壓（如12V）降壓至常用電平（如5V、3.3V等）的應用，一款高效、可靠且集成度高的降壓芯片顯得尤為關(guān)鍵。森
發(fā)表于 01-29 14:33
MOSFET相關(guān)問題分享
損壞。其次是功率。如果功率高于25%，MOS發(fā)熱嚴重，性能會急劇下降，因此在設計時需要對MOS進行降額使用。
2.Q: 目前的MOSFET提供哪些封裝？
A：封裝有TO-220、TO-220F
發(fā)表于 01-26 07:46
單片機低功耗的處理
什么單片機，在程序上和電路上都是要一些處理才能把功耗控制在比較低的范圍。
程序的處理方法主要有以下幾點：
1、單片機進入睡眠狀態(tài)。這個是最基本的，只有睡眠的狀態(tài)下，功耗才是最低的。
發(fā)表于 01-21 08:25
MOSFET導通電阻Rds
（on）電阻值會隨著電流增大輕微上升，因此選擇時需要留有余量。
（3）Rds（on）低的MOSFET通常成本比較高，可以通過優(yōu)化驅(qū)動電路，改進散熱等方式，選用Rds（on）較大一些的的低成本器件。
發(fā)表于 12-23 06:15
為什么MOSFET柵極前面要加一個100Ω電阻
。
再進一步講，為什么電阻是100Ω呢？
我在網(wǎng)上看到一個仿真試驗，實驗在MOSFET電路中的柵極串聯(lián)電阻R3，分別對它取1歐姆，10歐姆，50歐姆進行仿真實驗：
當R3為1歐姆時，
發(fā)表于 12-02 06:00
功率MOSFET管的應用問題分析
。選取相關(guān)元件參數(shù)后，對電路進行測試，直到滿足設計要求。負載開關(guān)穩(wěn)態(tài)功耗并不大，但是瞬態(tài)功耗很大，特別是長時間工作在線性區(qū)，會產(chǎn)生熱失效問題。因此，要校核功率MOSFET管的安全工作區(qū)
發(fā)表于 11-19 06:35
SL1585B 36V輸入 輸出3A電流 12V降壓5V 12V降壓3.3V 降壓恒壓芯片
SL1585B 36V輸入3A輸出降壓芯片技術(shù)解析?
一、芯片概述?
SL1585B是一款高性能同步降壓轉(zhuǎn)換器，集成低EMI特性與內(nèi)部功率MOSFET，可在4.5V至36V寬輸入電壓范圍內(nèi)提供3A
發(fā)表于 11-04 15:34
如何降低電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置對傳導干擾的敏感度？
降低電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置對傳導干擾的敏感度，核心是通過 **“硬件抗擾增強、電路隔離優(yōu)化、濾波防護強化、軟件補償輔助”** 四大維度，從裝置自身設計層面提升抗干擾能力，減少干擾對測量鏈路的 “滲透
MOSFET導通電阻參數(shù)解讀
導通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程
評論