Onsemi FDMA7672 MOSFET：高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選

在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能表現(xiàn)直接影響到整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一下Onsemi公司推出的FDMA7672單N溝道MOSFET，它專為同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計，具有出色的性能特點。

文件下載：FDMA7672-D.pdf

一、產(chǎn)品概述

FDMA7672是一款專為同步降壓轉(zhuǎn)換器打造的MOSFET，旨在提供最高的效率和熱性能。其低導(dǎo)通電阻（$R_{DS (on)}$）和柵極電荷特性，使其具備卓越的開關(guān)性能。此外，該器件采用新型MicroFET 2×2 mm封裝，高度僅為0.8 mm，具有低外形的特點，并且符合無鉛、無鹵和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

二、產(chǎn)品特性

1. 低導(dǎo)通電阻

• 在$V{GS}=10 V$，$I{D}=9.0 A$的條件下，最大$R_{DS(on)}$為21 mΩ。
• 在$V{GS}=4.5 V$，$I{D}=7 A$的條件下，最大$R_{DS(on)}$為32 mΩ。 低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗更小，從而提高了電路的效率。

2. 低外形封裝

采用MicroFET 2×2 mm封裝，最大高度僅為0.8 mm，適合對空間要求較高的應(yīng)用場景。

3. 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)

該器件符合無鉛、無鹵和RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

FDMA7672主要應(yīng)用于DC - DC降壓轉(zhuǎn)換器，能夠為各種電子設(shè)備提供穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換。

四、絕對最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

五、熱特性

熱阻是衡量器件散熱能力的重要指標(biāo)，合理的熱設(shè)計對于保證器件的性能和可靠性至關(guān)重要。

六、電氣特性

1. 關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓$B{V{DSS}}$：在$I{D}=250 μA$，$V{GS}=0 V$的條件下，最小值為30 V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)：為16 mV/°C。
• 零柵壓漏極電流$I{DSS}$：在$V{DS}=24 V$，$V_{GS}=0 V$的條件下，最大值為100 μA。
• 柵源泄漏電流$I{GSS}$：在$V{GS}= ±20 V$，$V_{DS}=0 V$的條件下，最大值為1 nA。

2. 導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓$V{GS(th)}$：在$V{GS}=V{DS}$，$I{D}=250 μA$的條件下，最小值為1.0 V，典型值為2.1 V，最大值為3.0 V。
• 柵源閾值電壓溫度系數(shù)$Delta V{GS(th)}$：在$I{D}=250 μA$，參考溫度為$25 °C$的條件下，為 -6 mV/°C。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻$R{DS(on)}$：在不同的$V{GS}$和$I{D}$條件下有不同的值，例如在$V{GS}=10 V$，$I_{D}=9.0 A$時，典型值為14 mΩ，最大值為21 mΩ。

3. 動態(tài)特性

• 輸入電容$C{iss}$：在$V{DS}=15V$，$V_{GS}=0V$的條件下，最小值為570 pF，典型值為760 pF。
• 輸出電容$C_{oss}$：在$f = 1.0 MHz$的條件下，最小值為195 pF，典型值為260 pF。
• 反向傳輸電容$C_{rss}$：最小值為25 pF，典型值為40 pF。
• 柵極電阻$R_{G}$：為1.5 Ω。

4. 開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時間$t{d(on)}$：在$V{DD}=15 V$，$I_{D}=9.0 A$的條件下，典型值為6 ns，最大值為12 ns。
• 上升時間$t{r}$：在$V{GS}=10 V$，$R_{GEN}=6 Ω$的條件下，典型值為2 ns，最大值為10 ns。
• 關(guān)斷延遲時間$t_{d(off)}$：典型值為14 ns，最大值為25 ns。
• 下降時間$t_{f}$：典型值為2 ns，最大值為10 ns。
• 總柵極電荷$Q{g}$：在$V{GS}=0 V$到$10 V$，$V{DD}=15 V$，$I{D}=9.0 A$的條件下，典型值為9.3 nC，最大值為13 nC。

5. 漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流$I_{S}$：為2 A。
• 源漏二極管正向電壓$V{SD}$：在$V{GS}=0 V$，$I_{S}=2.0 A$的條件下，最小值為0.8 V，最大值為1.2 V。
• 反向恢復(fù)時間$t{rr}$：在$I{F}=9.0 A$，$di / dt=100 A / μs$的條件下，最小值為18 ns，最大值為32 ns。
• 反向恢復(fù)電荷$Q_{rr}$：最小值為5 nC，最大值為10 nC。

七、典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、正向偏置安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散和瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，從而進行合理的設(shè)計。

八、訂購信息

九、機械尺寸和推薦焊盤圖案

文檔提供了WDFN6 2x2, 0.65P封裝的機械尺寸和推薦焊盤圖案，工程師在進行PCB設(shè)計時需要參考這些信息，以確保器件的正確安裝和良好的電氣連接。

十、總結(jié)

Onsemi的FDMA7672 MOSFET以其低導(dǎo)通電阻、低外形封裝和出色的開關(guān)性能，為同步降壓轉(zhuǎn)換器提供了高效的解決方案。在實際設(shè)計中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合器件的各項特性和參數(shù)，進行合理的電路設(shè)計和熱設(shè)計，以充分發(fā)揮該器件的優(yōu)勢。同時，要注意器件的絕對最大額定值，避免因超過額定值而損壞器件。大家在使用這款MOSFET時，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的設(shè)計經(jīng)驗?zāi)?？歡迎在評論區(qū)分享。