據(jù)韓國中央日報8月9日報道，中國在存儲芯片領(lǐng)域展開了空襲。在被視為半導(dǎo)體起源地的美國硅谷舉行的半導(dǎo)體大會上，中國長江存儲科技有限責(zé)任公司(YMTC)宣布，將從明年開始向市場供應(yīng)32層三維NAND閃存(以下簡稱NAND)，并公開了自主三維NAND量產(chǎn)技術(shù)。

中國長江存儲當(dāng)?shù)貢r間8月7日參加在美國圣克拉拉會議中心舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)，公開了32層三維NAND樣品。該公司表示，產(chǎn)品將從今年10月開始進行試投產(chǎn)，明年啟動大規(guī)模量產(chǎn)。在此之前，長江存儲曾在去年公開三維NAND技術(shù)，宣布將在一年后的今年年末啟動量產(chǎn)。中國作為全球最大的存儲芯片市場，中國企業(yè)宣布“自主生產(chǎn)”給全球存儲芯片市場帶來了巨大沖擊。但當(dāng)時業(yè)界普遍認為中國不可能輕易成功實現(xiàn)量產(chǎn)。

報道稱，當(dāng)時中國沒有任何生產(chǎn)存儲芯片的基礎(chǔ)，長江存儲又是一家2016年剛剛成立的新生企業(yè)。但現(xiàn)在看來，這家企業(yè)似乎要打破人們的預(yù)期，成立短短三年后就將向市場推出中國生產(chǎn)的存儲芯片。長江存儲是中國國營半導(dǎo)體公司清華紫光集團的子公司，得到了中國政府的補助和稅收減免等全面支持。

業(yè)界認為，長江存儲的技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到64層三維NAND閃存階段。據(jù)了解，該公司正在試產(chǎn)64層三維NAND閃存并向本國IT企業(yè)供貨。

具備記憶和儲存功能的NAND和DRAM是典型的存儲芯片，中國首先將目光盯向了存儲芯片領(lǐng)域行業(yè)壁壘相對較低的NAND市場。現(xiàn)在三星電子和SK海力士主要生產(chǎn)第四代64-72層三維NAND閃存，與長江存儲計劃明年投產(chǎn)的第二代三維NAND閃存的市場需求不同。在NAND閃存產(chǎn)品中，層數(shù)越多，所需要的技術(shù)力量越強。

韓國國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)認為，雖然韓國半導(dǎo)體不會立刻受到打擊，但到明年下半年市場也會受到影響。長江存儲從公開32層三維NAND閃存技術(shù)到產(chǎn)品投產(chǎn)只用了1年半的時間，按照這個速度下去，該公司今年年初試產(chǎn)的64層三維NAND完全有望在明年年末投產(chǎn)。

韓國業(yè)界認為，現(xiàn)在韓國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先中國三至四年。長江存儲計劃投產(chǎn)的32層三維NAND閃存是三星電子2014年8月推出的產(chǎn)品。另外，三星早在2016年12月就開始量產(chǎn)64層三維NAND閃存，現(xiàn)在三星電子已經(jīng)具備96層三維NAND閃存技術(shù)，SK海力士也已經(jīng)具備72層三維NAND技術(shù)。

長江存儲在本屆半導(dǎo)體大會上公開了自主研發(fā)的“Xtacking”三維NAND閃存量產(chǎn)技術(shù)。該公司首席執(zhí)行官(CEO)楊士寧表示“大部分企業(yè)產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度都在1Gbps左右，行業(yè)最頂級的企業(yè)也只有1.4Gbps”，“但我們使用Xtacking技術(shù)，傳輸速度可以達到3Gbps”，主張本公司產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度可以比行業(yè)最頂級的三星電子快一倍。

報道稱，韓國專家們普遍認為這種技術(shù)很難真正實現(xiàn)。一般來說，生產(chǎn)NAND閃存需要1個晶元，但Xtacking技術(shù)需要兩個晶元。這就意味著，Xtacking工程比普通工程耗費的成本更高。極東大學(xué)半導(dǎo)體設(shè)備工程學(xué)教授崔才成(音)表示“這種工程需要加入將兩個芯片連接在一起的程序，不僅成本高，還會耗費更多的時間，很難實現(xiàn)批量生產(chǎn)”。

韓媒認為無論Xtacking技術(shù)具有多大可信度，中國在NAND閃存上的追趕速度都對韓國形成了威脅。韓國專家們一致認為，韓國若想擺脫中國的追擊保持世界第一的位置，就必須采取“超大差距”戰(zhàn)略。漢陽大學(xué)電子復(fù)合工程學(xué)樸在勤教授表示“在以人工智能(AI)、5G、云技術(shù)等為代表的第四次工業(yè)革命時代，高性能和大容量存儲芯片的需求將大大增加”，“為了把擁有強大資源的中國甩在身后，我們必須占領(lǐng)絕對技術(shù)高地，使其無從追趕”。

三星電子計劃在京畿道平澤市投資超過30萬億韓元建造新的半導(dǎo)體流水線。SK海力士也計劃投資15萬億韓元在京畿道利川市建造半導(dǎo)體工廠。

最近，三星電子存儲器項目閃存開發(fā)室長(副總裁)庚界賢(音)表示“我們將擴大V NAND流水線，加速推動新一代存儲芯片市場的變化”。

另外，它們還將強化與中小合作企業(yè)和學(xué)術(shù)界的合作。SK海力士實施了“技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)”制度，通過成立專門工作團隊(TF)向被列為技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)的中小企業(yè)提供研發(fā)、制造和采購等支持；三星也在8月8日表示，將把產(chǎn)學(xué)合作規(guī)模從現(xiàn)在的每年400億韓元擴大到一年1000億韓元的水平。

韓國各大企業(yè)都正費盡心思拉開在存儲芯片領(lǐng)域與中國的差距，同時，韓國政府也開始著手培育相對薄弱的非內(nèi)存半導(dǎo)體。韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部部長白云揆7月30日表示“我們將在未來10年投資1.5萬億韓元支持(半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè))”。

為此，韓國在7月31日成立“System Semiconductor設(shè)計援助中心”，計劃對非內(nèi)存半導(dǎo)體的技術(shù)開發(fā)、投資招商、市場營銷等從創(chuàng)業(yè)到成長的全部過程提供全面支持。