在持續(xù)缺貨和價格上漲的背景下，近日半導體市場研究機構IC Insights發(fā)布的最新報告預測，2018年全球DRAM芯片產業(yè)增幅超過30%，總產值將突破1000億美元大關，以24%的市場份額繼續(xù)穩(wěn)居IC產品市場規(guī)模第一。作為DRAM市場占有率最高的三星，已經在去年成功超越英特爾坐上半導體龍頭寶座的三星能否因此保持霸主地位？

IC產業(yè)單個領域產值首次突破1000億美元

根據IC Insights（亞利桑那州斯科茨代爾）的數據，今年DRAM銷售額預計將增長39％，達到1016億美元。與此同時，IBS（加利福尼亞州洛斯加托斯）預測今年DRAM市場將增長32.6％，更廣泛的半導體市場將增長12.5％。

DRAM市場銷售額增長 資料來源：IBS

IC Insights預計DRAM將占2018年整體芯片銷售額的24％，并預測今年銷售額第二大的NAND閃存預計將達到628億美元的規(guī)模。IC Insights同時估計，DRAM和NAND將占今年4280億美元芯片市場的38％。

DRAM成IC芯片銷售最大來源，來源：IC Insights

當然，無論是DRAM還是NAND的增長，韓國廠商獲益最多，其中最大的贏家將是市場份額最高的三星電子，其在DRAM和NAND的市占率分別是45％、37％，比排名第二的SK海力士的28％、10％高很多。

DRAM市場份額 Source: IBS

獲益頗豐的三星

自1992年以來，英特爾一直是全球最大的半導體廠商，然而得益于芯片業(yè)務的推動，2017年第四季度，三星憑借芯片業(yè)務690億美元的銷售額碾壓英特爾630億美元的銷售額，26年來首次擠下英特爾成為全球最大芯片制造商。

雷鋒網還了解到，IC Insights五月份公布的統(tǒng)計數據顯示，2018年第一季度三星的芯片銷售額為186億美元排名第二的英特爾為158億美元。從增長率看，三星的增長率高達43%，而英特爾的增長率只有11%。并且，三星的零部件銷售額在今年上半年已經超過手機部門。數據顯示，上半年三星電子設備解決方案（DS）部門（也稱零部件事業(yè)部）銷售額為56.05萬億韓元（約合人民幣3400億元），占三星整體銷售額的47.1%；生產智能手機的IT＆移動通信銷售占比為44.1%，生產電視和其他家電產品的CE部門的銷售占比為16.9%。

從營業(yè)利潤來看，主要生產半導體和顯示器產品的DS部門的增長更加明顯，2013年DS部門的營業(yè)利潤在公司整體營業(yè)利潤中占38.8%，2014年為25.5%，2015年和2016年分別為27.2%和37.7%，去年為56.4%，今年上半年高達76.9%。相比之下，IT＆移動通信事業(yè)部的營業(yè)利潤雖然從2013年到2016年占公司總營業(yè)利潤的一半以上，特別是2015年達到67.8%，但去年大幅跌至38.4%，今年上半年僅為21.1%。

三星能坐穩(wěn)半導體龍頭的寶座嗎？

因此，三星能否在半導體龍頭寶座上坐穩(wěn)，存儲芯片就成為了關鍵。我們從替代技術和市場兩方面去尋找答案。內基梅隆大學的研究者 Kevin Chang 指出：“過去二十年來，基于DRAM 的計算機內存的存取帶寬已經提升了20倍，容量增長了128倍，但延遲表現僅有 1.3 倍的提升?！?/p>

如今的計算機需要大量高速度、高容量的內存才能保證持續(xù)運轉，尤其是工作重心是內存數據庫、數據密集型分析以及越來越多的機器學習和深度神經網絡訓練功能的數據中心服務器。盡管研究人員已經在尋找更好、更快的替代技術上努力了很多年，但在性能優(yōu)先的任務上，DRAM仍舊是人們普遍采用的選擇，這有助于解釋2017年的DRAM銷量激增。

另外，DRAM 被認為是一個成熟的技術，雖快但功率需求大，當前或未來有望替代 DRAM 的技術有很多，如3D XPoint、MRAM、ReRAM，但專家們似乎認為這些技術還沒有替代 DRAM 的性價比優(yōu)勢。DRAM也有技術上規(guī)劃的改進方案以及HBM2和Hybrid Memory Cube等新型DRAM架構，需要指出的是DRAM和CPU之間的速度差距依然還是存在。

需求方面，過去兩年由于需求的一直增長，但制造商的產能提升有限。從事DRAM和NAND研究的DRAMeXchange報道，由于三星，SK海力士和美光等主要制造商的產能投資需要時間，今年存儲器產能只增長了19.6%，達到歷史新低。

DRAMeXchange的數據同時預測，2018年DRAM芯片需求預計將增長30％以上。由于制造商專注于滿足智能手機和數據中心的需求，因此今年DRAM市場的供應將繼續(xù)受到限制。因此，無論是從替代的技術還是市場需求來看，DRAM的增長動力并未有減弱的跡象，并且三星也在積極推出新產品。

上月三星電子宣布首發(fā)量產8Gb LPDDR5顆粒，速率可達6400Mbps，比現有LPDDR4-4266內存快50%，同時功耗降低30%。不過需要指出的是，宣傳上三星表示8Gb LODDR5采用10nm級別的工藝，但10nm級并不是10nm工藝，結合此前發(fā)布的產品應該還是18nm工藝。

那么，你覺得三星真的能坐穩(wěn)半導體龍頭的寶座嗎？