隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展和需求的不斷增加，半導(dǎo)體行業(yè)的檢測(cè)需求也在增加。半導(dǎo)體制造業(yè)是一個(gè)要求高精度、高功率、零誤差的行業(yè)。半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝比較復(fù)雜，5nm工藝的逐步成熟完善，3nm工藝不斷突破，普通檢測(cè)技術(shù)不能滿(mǎn)足要求，機(jī)器視覺(jué)可以滿(mǎn)足半導(dǎo)體行業(yè)的檢測(cè)需求，可以快速準(zhǔn)確地執(zhí)行各種檢測(cè)功能，在半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程之中發(fā)揮重要作用。

機(jī)器視覺(jué)在半導(dǎo)體檢測(cè)行業(yè)中常見(jiàn)的應(yīng)用場(chǎng)景:對(duì)沖壓、焊裝、涂裝、總裝工藝流程全環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)缺陷檢測(cè)、視覺(jué)引導(dǎo)和測(cè)量。

機(jī)器視覺(jué)檢測(cè)貫穿半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)冀K，可應(yīng)用于晶圓制造量測(cè)、晶圓前道檢測(cè)、后道測(cè)試。

一、晶圓制造量測(cè)

1、膜厚測(cè)量

測(cè)量多次薄膜沉積后晶圓薄膜的厚度及性質(zhì)，可采用3D飛點(diǎn)分光干涉儀。

2、關(guān)鍵尺寸掃描、測(cè)量

對(duì)柵極線(xiàn)條寬度、形貌結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量，提升最終性能、良率和可靠性，可采用半導(dǎo)體外觀測(cè)量方案

3、套刻誤差測(cè)量

量測(cè)套刻目標(biāo)圖形的圖像，獲取套刻誤差，提升芯片工藝水平，可采用半導(dǎo)體外延片檢測(cè)。

二、晶圓前道檢測(cè)

1、有圖形晶圓檢測(cè)設(shè)備

采取明場(chǎng)、暗場(chǎng)照明，光線(xiàn)反射/散射到光傳感器上對(duì)比檢測(cè)缺陷并記錄位置。

2、無(wú)圖形晶圓檢測(cè)

用激光照射晶圓表面，采集散射光并抑制表面背景噪聲，通過(guò)算法提取和比較多通道表面缺

陷信號(hào)。

3、電子束檢測(cè)

通過(guò)對(duì)電子束掃描原件所得成像的解析，尋找晶圓的異常。

4、宏觀缺陷檢測(cè)

全晶圓片或局部晶圓片表面成像，對(duì)不同芯片同一位置比對(duì)等方法獲取缺陷信息。

三、后道測(cè)試

1、芯片AOI檢測(cè)分選

對(duì)被測(cè)芯片進(jìn)行標(biāo)記、分選、收料或編帶。保證出廠的集成電路的指標(biāo)能夠達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要

求。

2、封裝檢測(cè)

檢查封裝過(guò)程中是否存在缺陷，如封裝材料是否均勻、封裝結(jié)構(gòu)是否牢固等，從而確保封裝

質(zhì)量。

3、金線(xiàn)檢測(cè)

檢查金線(xiàn)是否存在斷裂、虛焊等問(wèn)題，確保每一條金線(xiàn)都按照設(shè)計(jì)要求正確連接，防止因金線(xiàn)問(wèn)題導(dǎo)致的芯片故障。

解決方案案例：半導(dǎo)體行業(yè)SWIR相機(jī)晶圓隱裂檢測(cè)系統(tǒng)--51camera

51camera 的半導(dǎo)體檢測(cè)方案已經(jīng)多方驗(yàn)證，在項(xiàng)目上廣泛應(yīng)用。SWIR相機(jī)晶圓隱裂檢測(cè)系統(tǒng)，使用紅外相機(jī)發(fā)揮波段長(zhǎng)穿透性強(qiáng)的特性進(jìn)行材質(zhì)透檢捕捉內(nèi)部隱裂缺陷。搭配CCS紅外燈箱和茉莉特紅外鏡頭，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合助力于晶圓檢測(cè)行業(yè)。

晶圓行業(yè)市場(chǎng)呈現(xiàn)專(zhuān)業(yè)分工深度細(xì)化、細(xì)分領(lǐng)域高度集中的特點(diǎn)。未來(lái)，我國(guó)在高端供應(yīng)鏈中不斷突破并掌握核心技術(shù)，使中國(guó)制造業(yè)向高端供應(yīng)鏈攀爬，加速進(jìn)口替代，從而促進(jìn)行業(yè)進(jìn)一步發(fā)展。在晶圓檢測(cè)和測(cè)量行業(yè)，51camera的晶圓檢測(cè)解決方案，為客戶(hù)實(shí)現(xiàn)智能質(zhì)檢助力，實(shí)現(xiàn)與產(chǎn)線(xiàn)、質(zhì)檢線(xiàn)的智能對(duì)接，快速推進(jìn)了其智能化轉(zhuǎn)型。