10月24日，我們舉辦了DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)入門網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)?，F(xiàn)將研討會(huì)答疑環(huán)節(jié)中各位提出的問(wèn)題及解答分三期公開(kāi)。若能為各位解決難題提供參考，我們將深感榮幸。

DC/DC轉(zhuǎn)換器（設(shè)計(jì)入門篇）網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)問(wèn)答內(nèi)容公開(kāi)：第2/3次

Q5：考慮電容器的頻率特性時(shí)，是否也應(yīng)考慮直流偏壓導(dǎo)致的電容下降？

A5：用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的高性能陶瓷電容器，通常會(huì)分別提供直流偏壓特性、頻率特性和溫度特性的獨(dú)立曲線圖。因此數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)明確標(biāo)注推薦電容器的具體型號(hào)。

特別是在小型電容器中需要使用接近有效電容極限的CL時(shí)，請(qǐng)比較推薦電容器與候選電容器的特性曲線，選擇性能相進(jìn)的產(chǎn)品。

Q6：在考慮CL值時(shí)，是否需要將負(fù)載側(cè)IC附近的旁路電容（CVDD）也納入考慮范圍？

A6：是的，原則上應(yīng)將CL與CVDD的總電容量作為整體進(jìn)行考量。

首先，軟啟動(dòng)階段需要對(duì)所有電容進(jìn)行充電。此外，若后級(jí)存在LDO且需同步啟動(dòng)，還需考慮LDO的輸出電容（CL）的充電電流。

然而從工作穩(wěn)定性與相位補(bǔ)償角度考量時(shí)，情況略有不同。

若CL與后級(jí)電容間存在足夠阻抗且實(shí)現(xiàn)交流隔離，僅考慮CL即可。

但在未明確插入RC/LC濾波器或LDO等元件的小型且高密度的PCB設(shè)計(jì)中，CL與后級(jí)電容實(shí)質(zhì)上構(gòu)成整體，此時(shí)應(yīng)以總合成電容進(jìn)行穩(wěn)定性評(píng)估更為合理。

Q7：使用高分子電容器作為CL時(shí)的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？

A7：多數(shù)DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)基于陶瓷電容器的使用。

因此，采用高分子電容器時(shí)需注意以下事項(xiàng)：

優(yōu)點(diǎn)

與同容量的電解電容或鉭電容相比，ESR較低，可靠性高且壽命長(zhǎng)。

缺點(diǎn)與對(duì)策

由于ESR值高于陶瓷電容，在針對(duì)陶瓷電容優(yōu)化的DC/DC轉(zhuǎn)換器中會(huì)導(dǎo)致紋波電壓增大。

→ 此種情況需并聯(lián)陶瓷電容以降低ESR值，從而抑制紋波。

此舉旨在避免影響相位補(bǔ)償及防止過(guò)大紋波侵入內(nèi)部電路。

容量通常大于推薦陶瓷電容規(guī)格

→ 可適當(dāng)延長(zhǎng)軟啟動(dòng)時(shí)間，使總電容在IC規(guī)格容許范圍內(nèi)。

Q8：并聯(lián)在FB系上側(cè)電阻的電容有什么作用？應(yīng)如何設(shè)置？

A8：這是用于相位補(bǔ)償?shù)碾娙萜鳎ǔ７Q為“CFB”。

其與輸出電壓設(shè)定電阻的上側(cè)（RFB1）并聯(lián)連接，生成以下零點(diǎn)頻率（fzfb）：

fzfb = 1 / (2 x π x RFB1 x CFB)

該零點(diǎn)既用于相位補(bǔ)償（相位反饋），同時(shí)還能將紋波成分和瞬態(tài)響應(yīng)波形引入IC內(nèi)部，從而提升響應(yīng)速度。

fzfb值的設(shè)定方法請(qǐng)遵循各IC數(shù)據(jù)手冊(cè)中記載的設(shè)計(jì)公式。

需注意：即使為實(shí)現(xiàn)輸出可變等目的需調(diào)整分壓電阻值，也應(yīng)保持RFB1和CFB固定，通過(guò)調(diào)整下側(cè)分壓電阻（RFB2）值或?qū)B端子施加偏壓等方式進(jìn)行補(bǔ)償，務(wù)必避免影響fzfb值。

此外，在推薦電路中未配置CFB的電源IC中，若為改善瞬態(tài)響應(yīng)等目的追加CFB，可能導(dǎo)致相位補(bǔ)償失效而引發(fā)振蕩風(fēng)險(xiǎn)。

因此請(qǐng)務(wù)必遵循數(shù)據(jù)手冊(cè)推薦的電路方案。

Q9：CFB的值會(huì)因走線長(zhǎng)度而改變零極點(diǎn)位置嗎？

A9：基本上無(wú)需根據(jù)CFB或RFB1、RFB2的布局調(diào)整fzfb值。

這是因?yàn)閒zfb及分壓電阻上的極點(diǎn)頻率僅在數(shù)kHz至數(shù)十kHz范圍內(nèi)，頻率并不算高。

但布局時(shí)需注意以下事項(xiàng)：

CFB、RFB1、RFB2應(yīng)緊鄰IC的FB端子及GND(AVSS)放置，走線僅限于RFB2上方（VOUT側(cè)）引出。

降壓電路中，VOUT連接點(diǎn)應(yīng)設(shè)置在CL引腳的電感反向側(cè)，以避免紋波和尖峰噪聲干擾。

注意避免走線穿過(guò)由IC、電感、CIN、CL構(gòu)成的電流回路，尤其不可從電感下方經(jīng)過(guò)。

當(dāng)RFB1、RFB2采用數(shù)百kΩ高阻值電阻時(shí)，易受噪聲影響，應(yīng)盡可能采用緊湊布局。

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