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onsemi NXH015F120M3F1PTG 碳化硅功率模塊技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-11-22 17:19 ? 次閱讀
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安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模塊采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和帶Al2O3 DBC陶瓷基板的熱敏電阻,封裝為F1型。該電源模塊的特點(diǎn)是具有柵極源電壓+22V/-10V、77A漏極連續(xù)電流(在TC = 80°C時(shí)(TJ = 175°C)、198W最大功率耗散和12.7mm爬電距離。NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET提供預(yù)涂熱界面材料(TIM)和無預(yù)涂熱界面材料。該SiC模塊無鉛、無鹵化物,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括太陽能逆變器、不間斷電源、電動(dòng)汽車充電站和工業(yè)電源。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽(SiC)模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

  • 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET全橋
  • 三氧化二鋁 (Al2O 3 ) DBC陶瓷基板
  • 包括熱敏電阻
  • 可選擇預(yù)涂導(dǎo)熱接口材料(TIM)和無預(yù)涂TIM選項(xiàng)
  • 壓配引腳
  • 無鉛
  • 不含鹵素
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

典型特性

1.png

原理圖

2.png

尺寸圖

3.png

onsemi NXH015F120M3F1PTG 碳化硅功率模塊技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述

NXH015F120M3F1PTG是安森美半導(dǎo)體推出的碳化硅功率模塊,采用15mΩ/1200V的M3S SiC MOSFET全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),封裝在F1封裝中。該模塊特別適用于?高效率、高功率密度?的應(yīng)用場(chǎng)景,如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和電動(dòng)汽車充電站等工業(yè)電源系統(tǒng)。

二、核心電氣特性

2.1 主要技術(shù)參數(shù)

  • ?額定電壓?:1200V
  • ?導(dǎo)通電阻?:15mΩ(典型值)
  • ?最大結(jié)溫?:175°C
  • ?連續(xù)漏極電流?:77A(TC=80°C)
  • ?脈沖漏極電流?:232A

2.2 開關(guān)特性

在VDS=800V、ID=60A、VGS=-3V/18V的測(cè)試條件下:

  • ?開啟延遲時(shí)間?:33.3ns(25°C)
  • ?上升時(shí)間?:8.6ns
  • ?關(guān)斷延遲時(shí)間?:103ns
  • ?下降時(shí)間?:7.5ns

2.3 熱管理特性

  • ?芯片到外殼熱阻?:0.48°C/W
  • ?芯片到散熱器熱阻?:0.86°C/W

三、模塊結(jié)構(gòu)與引腳功能

3.1 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

采用?全橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)?,包含四個(gè)獨(dú)立的SiC MOSFET開關(guān)管(M1-M4),可實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。

3.2 關(guān)鍵引腳定義

  • ?AC1/AC2?:全橋輸出中心點(diǎn)
  • ? DC+/DC- ?:直流母線正負(fù)端
  • ?G1-G4?:各MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)
  • ?TH1/TH2?:熱敏電阻接口,用于溫度監(jiān)測(cè)

四、應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)

4.1 柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

  • ?推薦柵極電壓范圍?:-3V至+18V
  • ?內(nèi)部柵極電阻?:1.65Ω

4.2 散熱設(shè)計(jì)建議

由于模塊最大功耗為198W,設(shè)計(jì)時(shí)需要:

  • 選用高性能散熱器
  • 確保良好熱接觸
  • 優(yōu)化PCB布局以增強(qiáng)散熱效果

五、性能優(yōu)勢(shì)分析

5.1 高溫性能

在高溫環(huán)境下仍保持優(yōu)良特性:

  • 150°C時(shí)的導(dǎo)通電阻僅28.7mΩ
  • 具備在-40°C至150°C寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作的能力

5.2 開關(guān)特性

通過測(cè)試數(shù)據(jù)可見,該模塊具備?快速開關(guān)能力?,有助于降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)整體效率。

六、典型應(yīng)用場(chǎng)景

  1. ?太陽能逆變器?
    • 利用SiC的高頻特性提升功率密度
    • 降低系統(tǒng)體積和重量
  2. ?電動(dòng)汽車充電站?
    • 支持高效率快速充電
    • 適應(yīng)惡劣工作環(huán)境
  3. ?工業(yè)電源系統(tǒng)?
    • 提供可靠的大功率處理能力
    • 滿足嚴(yán)格的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求

七、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

  1. ?絕緣性能?
    • 絕緣測(cè)試電壓4800VRMS
    • 爬電距離12.7mm
  2. ?安全工作區(qū)域?
    • 嚴(yán)格遵守最大額定值限制
    • 在推薦工作范圍內(nèi)使用
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