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onsemi碳化硅肖特基二極管NDSH20120C-F155測(cè)評(píng)

lhl545545 ? 2026-04-29 11:25 ? 次閱讀
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onsemi碳化硅肖特基二極管NDSH20120C-F155測(cè)評(píng)

電力電子領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性和成本有著至關(guān)重要的影響。今天,我就來(lái)詳細(xì)介紹一下安森美(onsemi)的一款碳化硅(SiC)肖特基二極管——NDSH20120C - F155。

文件下載:NDSH20120C-F155-D.PDF

產(chǎn)品概述

碳化硅肖特基二極管采用了全新的技術(shù),與傳統(tǒng)的硅基二極管相比,具有卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。NDSH20120C - F155這款產(chǎn)品的額定電流為20A,耐壓達(dá)到1200V,采用TO - 247 - 2L封裝,適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景。

產(chǎn)品特性

電氣性能優(yōu)越

  • 無(wú)反向恢復(fù)電流:這是碳化硅肖特基二極管的一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng)硅二極管在反向偏置時(shí)會(huì)產(chǎn)生反向恢復(fù)電流,這不僅會(huì)增加功耗,還可能導(dǎo)致電磁干擾(EMI)問(wèn)題。而NDSH20120C - F155沒(méi)有反向恢復(fù)電流,大大降低了開(kāi)關(guān)損耗,提高了系統(tǒng)效率。
  • 溫度獨(dú)立的開(kāi)關(guān)特性:其開(kāi)關(guān)特性不受溫度影響,在不同的工作溫度下都能保持穩(wěn)定的性能,這使得它在高溫環(huán)境下也能可靠工作。
  • 正溫度系數(shù):正溫度系數(shù)使得該二極管在并聯(lián)使用時(shí)更容易實(shí)現(xiàn)均流,提高了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

熱性能出色

  • 高結(jié)溫能力:最大結(jié)溫可達(dá)175°C,能夠承受較高的溫度,適用于高溫環(huán)境下的應(yīng)用。
  • 優(yōu)秀的散熱性能:較低的熱阻保證了熱量能夠快速散發(fā),進(jìn)一步提高了器件的可靠性。

其他特性

  • 雪崩額定值:雪崩額定值為166mJ,能夠承受一定的過(guò)電壓沖擊,增強(qiáng)了器件的抗干擾能力。
  • 高浪涌電流能力:具有較高的浪涌電流承受能力,能夠應(yīng)對(duì)瞬間的大電流沖擊。
  • 環(huán)保合規(guī):該器件無(wú)鹵、無(wú)溴化阻燃劑(BFR),符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

通用應(yīng)用

適用于各種通用電力電子設(shè)備,如開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源(UPS)等。在這些應(yīng)用中,碳化硅肖特基二極管的高效性能可以顯著提高系統(tǒng)的效率和功率密度,降低系統(tǒng)成本。

功率開(kāi)關(guān)電路

在功率開(kāi)關(guān)電路中,NDSH20120C - F155的快速開(kāi)關(guān)特性和低損耗能夠減少開(kāi)關(guān)損耗,提高電路的工作效率。

電氣參數(shù)

絕對(duì)最大額定值

參數(shù) 數(shù)值 單位
重復(fù)峰值反向電壓(VRRM) 未提及 V
雪崩能量(EAS) 166 mJ
連續(xù)整流正向電流(IF)($T_{C}<149^{circ}C$) 20 A
非重復(fù)峰值正向浪涌電流($T_{C}=150^{circ}C,10mu s$) 854 A
重復(fù)正向浪涌電流(半正弦脈沖,$t_{p}=8.3ms$) 40 A
功率耗散($T_{C}=25^{circ}C$) 214 W
功率耗散($T_{C}=150^{circ}C$) 35 W
工作和儲(chǔ)存溫度范圍($T{J},T{STG}$) -55 至 +175 °C

電氣特性

參數(shù) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
正向電壓($I{F}=20A,T{J}=25^{circ}C$) - - 1.38 1.75 V
正向電壓($I{F}=20A,T{J}=175^{circ}C$) - - 1.64 1.87 V
反向電流($V{R}=1200V,T{J}=125^{circ}C$) - - - 200 μA
反向電流($V{R}=1200V,T{J}=175^{circ}C$) - - - 15.7 μA

封裝與標(biāo)識(shí)

封裝尺寸

該器件采用TO - 247 - 2LD封裝,詳細(xì)的封裝尺寸如下: 尺寸 最小值(mm) 標(biāo)稱值(mm) 最大值(mm)
A 4.58 4.70 4.82
A1 2.20 2.40 2.60
A2 1.40 1.50 1.60
b 1.17 1.26 1.35
b2 1.60 1.72 1.84
C 0.51 0.61 0.71
D 20.32 20.57 20.82
D1 13.08 - -
D2 0.51 0.93 1.35
E 15.37 15.62 15.87
E1 12.81 - -
E2 4.96 5.08 5.20
e - 11.12 -
L 19.75 20.00 20.25
L1 3.69 3.81 3.93
? P 3.51 3.58 3.65
? P1 6.60 6.80 7.00
Q 5.34 5.46 5.58
S 5.34 5.46 5.58

標(biāo)識(shí)信息

器件的標(biāo)識(shí)包括特定設(shè)備代碼(DSH20120C)、組裝廠代碼(A)、日期代碼(YWW,年和周)和批次代碼(ZZ)。

總結(jié)

總的來(lái)說(shuō),安森美(onsemi)的NDSH20120C - F155碳化硅肖特基二極管是一款性能卓越的功率半導(dǎo)體器件。它的無(wú)反向恢復(fù)電流、溫度獨(dú)立的開(kāi)關(guān)特性和優(yōu)秀的熱性能,使其在提高系統(tǒng)效率、降低EMI和減小系統(tǒng)尺寸方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。如果你正在尋找一款高性能的二極管用于電力電子應(yīng)用,不妨考慮一下這款產(chǎn)品。你在實(shí)際應(yīng)用中是否使用過(guò)類似的碳化硅肖特基二極管呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。

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