從單管到系統(tǒng)級解決方案，碳化硅半橋DCM模塊正重構新能源汽車電驅成本公式：通過集成銀燒結+DTS工藝與超低寄生電感，使800V平臺逆變器成本降低、體積縮減、提升電驅系統(tǒng)效率，進而轉化為有效增加新能源汽車續(xù)航里程。碳化硅半橋DCM的核心在于利用SiC器件的高頻開關特性與DCM模式的電感能量完全釋放機制。當行業(yè)將降本焦點鎖定于芯片代工成本時，派恩杰已通過“芯片-封裝-拓撲”垂直整合能力，在碳化硅半橋DCM模塊領域建立起三重護城河。

派恩杰DCM模塊獨家工藝

派恩杰DCM模塊的底層優(yōu)勢在于芯片設計與封裝工藝的深度協(xié)同，作為國內少數擁有全套“銀燒結+DTS雙面散熱”技術的公司，其自主設計的超低寄生電感架構，將雜散電感降低至行業(yè)領先的標準，確保了模塊100kHz高頻下的極致效率。

派恩杰碳化硅(SiC)半橋模塊的DCM封裝模塊采用半橋拓撲設計，支持1500V，母線1000V電壓平臺，正成為新能源汽車、光伏逆變器等高壓大功率場景的核心解決方案，這種通過材料特性(SiC的高頻低損耗)與工作模式(DCM的輕載高效)的技術協(xié)同組合，正在突破傳統(tǒng)硅基模塊的效率瓶頸，成為高性能電動汽車平臺應用的標桿之作。

技術與研發(fā)的領導力：創(chuàng)始人、資深電力電子領域專家黃興博士將北美半導體產業(yè)化經驗與中國市場需求深度融合，構建起從底層物理模型到車規(guī)級量產的完整技術護城河。這種領導力不僅體現在產品參數的領先，更在于對行業(yè)痛點的預見性解決方案——通過碳化硅芯片量產布局與嵌入式PCB封裝技術，同步解決DCM模塊的成本與性能瓶頸，重新定義高壓功率器件的技術標準。

供應鏈與制造的可靠性：派恩杰的供應鏈與制造優(yōu)勢，本質是“技術自主+工藝創(chuàng)新+質量體系”的三位一體能力。當行業(yè)多數企業(yè)仍依賴外購芯片與傳統(tǒng)封裝時，派恩杰已通過“芯片-封裝-驗證”全鏈路自主可控體垂直整合實現DCM模塊從設計到量產的全鏈路可控，這不僅保障了800V平臺客戶的穩(wěn)定交付，更使其在寄生電感控制、功率密度等核心指標上達到國際領先水平。車規(guī)級產品均已通過嚴苛的車規(guī)級認證(AEC-Q101、IATF 16949等)，既保障了車規(guī)級產品的穩(wěn)定交付，又通過垂直整合實現技術迭代與成本控制的雙重優(yōu)勢。

這種“降本不降質”的能力，使派恩杰DCM模塊在800V平臺逆變器中，實現物料成本降低的同時，實現功率密度的有效提升，為新能源電驅系統(tǒng)體積縮減提供了核心支撐。

派恩杰DCM產品型號

PAAA12800MM

PAAA12600MM

DCM產品優(yōu)勢

1、革命性的散熱能力

極低的熱阻： 由于消除了基板這一主要熱障，模塊的熱阻(Rth(j-c))相比傳統(tǒng)模塊顯著降低約30%-60%。

更高電流輸出： 在相同芯片面積和溫升條件下，DCM模塊能承載的額定電流可提升20%至50%，或在同等電流下，芯片結溫更低。

提升系統(tǒng)功率密度： 優(yōu)異的散熱性能允許使用更小的芯片或模塊，使得整個電力電子系統(tǒng)的結構更緊湊、功率密度更高。

2、卓越的可靠性

更強的溫度循環(huán)能力： 模塊內部連接點(如焊接層)的溫度變化(ΔTj)更小，且結構更堅固，因此其功率循環(huán)能力和溫度循環(huán)壽命遠超傳統(tǒng)模塊。

更高的結溫能力： 許多DCM模塊采用燒結銀等先進連接技術，允許芯片在最高結溫175℃甚至更高的條件下穩(wěn)定工作，拓寬了應用邊界。

3、優(yōu)化的雜散系數

低寄生電感： 緊湊的對稱封裝結構使得主回路內部的寄生電感極低(通常<8nH)，這有助于：

降低開關過電壓

減少開關損耗

允許更高的開關頻率運行

DCM產品目標應用領域

DCM模塊是高要求、高可靠性應用的理想選擇：

新能源汽車:主驅動逆變器、車載充電機、直流變換器

可再生能源:光伏逆變器、風電變流器

工業(yè)驅動:大功率變頻器、伺服驅動器

軌道交通:牽引變流器

不間斷電:高頻、高密度UPS

派恩杰：“

芯片”→“標準”

當中國車企還在為芯片供應焦慮時，派恩杰已通過DCM模塊證明：真正的技術壁壘從來不是單點突破，而是從“芯片”到“標準”的生態(tài)掌控力。

碳化硅半橋 DCM正推動電力電子設備向高效化、小型化轉型，隨著DCM車規(guī)級模塊量產以及驅動保護技術成熟，其在新能源汽車、光伏儲能等領域的滲透率正加速提升。與此同時，作為國際標準委員會JC-70成員，派恩杰正將DCM模塊技術轉化為行業(yè)話語權。以“全棧自主可控”為基石，承諾每年將營收25%投入研發(fā)，2025-2027年實現突破——車規(guī)級芯片性能再度提升、寄生電感超低的第四代封裝、車規(guī)級DCM模塊成本降低代替硅基方案。

我們不止提供功率模塊，更以“定義未來電驅標準”為愿景，讓中國芯驅動全球新能源產業(yè)從“跟隨創(chuàng)新”邁向“規(guī)則制定”。讓國產碳化硅產業(yè)真正實現從“替代進口”到“定義標準”的跨越，為全球電力電子革命提供核心動力。

派恩杰半導體

成立于2018年9月，是國內領先的第三代半導體功率器件設計與解決方案提供商。作為國際標準委員會 JC-70 成員單位之一，我們深度參與寬禁帶半導體功率器件國際標準制定。

公司已量產超過百款 650V / 1200V / 1700V SiC SBD 與 SiC MOSFET 產品，GaN HEMT 系列同步布局。其中，SiC MOSFET 芯片已大規(guī)模導入新能源乘用車及Tier-1動力平臺。

我們的器件廣泛應用于數據中心、AI計算、5G基站、儲能與充電樁、軌道交通、高端家電與航空航天等高要求場景，以高效率、高可靠性和高能量密度，助力全球能源轉型。