日前，由21世紀(jì)電源網(wǎng)、電子研習(xí)社聯(lián)合主辦的“第十六屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”在深圳隆重舉行。在活動(dòng)同期舉辦的“2025第四屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”中，瑞能半導(dǎo)體憑借在功率器件領(lǐng)域的技術(shù)突破，榮膺“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”。

該獎(jiǎng)項(xiàng)由世紀(jì)電源網(wǎng)組織，經(jīng)大眾投票及專(zhuān)家團(tuán)嚴(yán)格評(píng)審，被譽(yù)為電源配套領(lǐng)域的權(quán)威認(rèn)證之一，標(biāo)志著獲獎(jiǎng)企業(yè)的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品可靠性獲得了產(chǎn)業(yè)鏈上下游的高度共識(shí)。

本次論壇聚焦高性能功率器件、先進(jìn)電源技術(shù)以及新能源趨勢(shì)，來(lái)自功率器件、半導(dǎo)體芯片等技術(shù)方向，超3000名工程師齊聚一堂。

瑞能半導(dǎo)體受邀出席，并由現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持高級(jí)經(jīng)理Ben Huang發(fā)表主題演講。

Ben Huang重點(diǎn)圍繞瑞能SiC器件在新能源車(chē)主驅(qū)逆變、OBC/DC-DC、電源系統(tǒng)中的關(guān)鍵表現(xiàn)展開(kāi)分析，并分享了瑞能在高壓、大電流、低損耗方面的最新技術(shù)成果。

瑞能SiC產(chǎn)品進(jìn)階歷程

自2011年啟動(dòng)SiC項(xiàng)目以來(lái)，瑞能半導(dǎo)體持續(xù)深耕碳化硅技術(shù)領(lǐng)域，通過(guò)不斷的技術(shù)迭代與創(chuàng)新，已成功構(gòu)建覆蓋650V至2200V全電壓范圍的SiC SBD、MOSFET及功率模塊產(chǎn)品矩陣，全面布局車(chē)載、電源與新能源等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域。

公司產(chǎn)品發(fā)展歷程彰顯了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)積累：2021年實(shí)現(xiàn)重大突破，同步發(fā)布Gen-6 SBD與Gen-1 SiC MOSFET，產(chǎn)品體系快速成型；此后，瑞能緊跟SiC技術(shù)前沿不斷迭代，Gen-2 SiC MOSFET隨即推出；車(chē)規(guī)SiC功率器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，SiC 功率產(chǎn)品線電壓平臺(tái)逐步覆蓋1400V、1700V。SiC功率模塊，頂部散熱封裝，瑞能特殊定制封裝等也全面就緒。

近年，瑞能進(jìn)一步完善了高壓產(chǎn)品線，推出2200V SiC SBD & MOSFET及功率模塊，持續(xù)強(qiáng)化了在高壓大功率功率應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。隨著Gen-3 SiC MOSFET逐步投放市場(chǎng)，以及Gen1 Trench Gate MOSFET 的產(chǎn)品研究開(kāi)發(fā)，瑞能碳化硅的產(chǎn)品版圖不斷擴(kuò)大，市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位更加穩(wěn)固。