逆變電源、工業(yè)開(kāi)關(guān)電源、電焊機(jī)及高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用，對(duì)核心功率開(kāi)關(guān)器件有嚴(yán)苛要求：高耐壓、大電流、低損耗及出色的抗沖擊能力。TO-220封裝的FHP20N50B型號(hào)MOS管憑借其出色的散熱性能與參數(shù)特點(diǎn)，成為這類中高功率應(yīng)用的選型推薦。

它不僅具備20A電流、500V耐壓的參數(shù)，而且還是純國(guó)產(chǎn)自主可控的場(chǎng)效應(yīng)管。能幫助電子工程師對(duì)標(biāo)代換CS20N50等型號(hào)來(lái)使用。

01FHP20N50B在高壓高效的電路設(shè)計(jì)特點(diǎn)

1、高壓大電流，應(yīng)對(duì)復(fù)雜工況：高達(dá)500V的漏源擊穿電壓（VDS）與20A的連續(xù)漏極電流（ID），使其能夠從容應(yīng)對(duì)AC-DC、DC-AC轉(zhuǎn)換中的高壓母線以及感性負(fù)載帶來(lái)的電壓尖峰，確保逆變電源、開(kāi)關(guān)電源的穩(wěn)定運(yùn)行。

2、優(yōu)異的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)性能，提升整體效率：在VGS=10V條件下，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值低至0.23Ω，最大值為0.3Ω，有效降低了導(dǎo)通損耗。

同時(shí)，憑借18pF的低反向傳輸電容（Crss）與56nC的低柵極總電荷（Qg），實(shí)現(xiàn)了快速的開(kāi)關(guān)速度（td(on)=33ns, tr=75ns），顯著降低了開(kāi)關(guān)損耗，特別適用于高頻化的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)。

3、強(qiáng)驅(qū)動(dòng)兼容性與寬安全工作區(qū)：柵源極電壓（VGS）范圍達(dá)±30V，兼容性更強(qiáng)，有效防止柵極誤觸發(fā)。產(chǎn)品經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試，具備單脈沖245mJ的雪崩能量（EAS）承受能力，為應(yīng)對(duì)電源啟停、負(fù)載突變等異常情況提供了堅(jiān)實(shí)的可靠性保障。

02FHP20N50B核心參數(shù)的適配與型號(hào)代換

該器件為N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET，其關(guān)鍵參數(shù)如下，供電子工程師在設(shè)計(jì)中進(jìn)行快速評(píng)估與匹配：

VDSS: 500V

ID: 20A (TC=25℃)

IDM: 80A

RDS(on): 0.23Ω(TYP) / 0.3Ω(MAX) @VGS = 10 V, ID=10A

VGS(th): 2.0–4.0V

Qg (總柵極電荷): 56nC

EAS (單脈沖雪崩能量): 245mJ

封裝: TO-220

FHP20N50B是一款針對(duì)高壓、高頻應(yīng)用的功率MOSFET，其綜合性能使其能對(duì)標(biāo)代換CS20N50等型號(hào)；并使用于逆變電源電路、高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-AC逆變器（特別是1000W級(jí)別）、電焊機(jī)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域的理想MOS管。

作為扎根廣州的國(guó)家級(jí)大功率MOS管重點(diǎn)封裝基地，飛虹半導(dǎo)體集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，專注于場(chǎng)效應(yīng)管、MOS管、IGBT單管及三極管等分立器件的制造。

公司擁有超13000平方米的現(xiàn)代化廠房與300多人的專業(yè)團(tuán)隊(duì)，產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于音響、家電、LED照明、電腦電源、充電器、逆變器及汽車電子等領(lǐng)域，為國(guó)內(nèi)電器廠商提供了穩(wěn)定優(yōu)質(zhì)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體配套服務(wù)。