威兆半導(dǎo)體推出的VS3522AA4是一款面向 30V 低壓場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 DFN22x6.5-8L 封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值3.0mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值4.2mΩ，低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)9.2A，\(T=70^\circ\text{C}\)時(shí)降額為7.3A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：36.8A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• 快速開(kāi)關(guān) + 高效率：開(kāi)關(guān)特性優(yōu)異，適配高頻低壓電源場(chǎng)景；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造；
• 小封裝高集成：DFN22x6.5-8L 封裝體積小，適配小型化電路板設(shè)計(jì)。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：DFN22x6.5-8L 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷；
• 典型應(yīng)用：
  • 30V 級(jí)低壓小型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的低壓負(fù)載開(kāi)關(guān)；
  • 小型電源管理模塊。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊(cè)為準(zhǔn)。）