開發(fā)片上系統(tǒng)（SoC）的第一步，是正確構(gòu)建模塊：將預先設(shè)計并經(jīng)過嚴格驗證的 IP，用于邏輯、存儲器、輸入/輸出（I/O）以及其他核心功能。

雖然標準 IP 產(chǎn)品能夠滿足大多數(shù)設(shè)計需求，但在某些項目中要求會更高——尤其當創(chuàng)新是首要目標，或項目對功耗、性能、面積（PPA）提出極為嚴苛的指標時。

因此，定制 IP 的重要性正日益凸顯。

而這正是新思科技的真正獨到之處。我們不僅擁有業(yè)內(nèi)最廣泛的經(jīng)過硅驗證的 IP 產(chǎn)品組合，而且更愿意為客戶量身打造專屬的 IP 解決方案。

客戶案例：為功耗敏感的光網(wǎng)絡芯片定制基礎(chǔ) IP，助力邊緣 AI 落地

階段 1：確認需求，接受挑戰(zhàn)

近期，一位客戶帶著獨特的應用場景和嚴苛需求找到我們。他們計劃開發(fā)一款用于構(gòu)建光網(wǎng)絡基礎(chǔ)設(shè)施的新型芯片，以應對邊緣 AI 激增的算力需求。這款芯片須在僅 0.4V 的電壓下穩(wěn)定運行，而市場上沒有任何現(xiàn)成的 IP 能滿足如此低電壓的要求。更具挑戰(zhàn)的是，項目交付周期只有 8 個月。

面對挑戰(zhàn)，我們從不退縮。依托業(yè)內(nèi)最全面、且經(jīng)硅驗證過、性能優(yōu)化且高靈活度的基礎(chǔ) IP 產(chǎn)品組合，新思科技 IP 研發(fā)團隊迅速啟動項目，全力以赴。

在全面評估客戶的 PPA 目標后，我們意識到，該設(shè)計的低電壓要求對存儲器編譯器和邏輯庫來說都是一項不小的挑戰(zhàn)。

階段 2：迎難而上，定制 IP

存儲位單元——芯片內(nèi)部的微型存儲元件——在 0.5V 及以下電壓下通常難以保持穩(wěn)定。為解決這一問題，我們團隊開發(fā)了全新的存儲器編譯器架構(gòu)：優(yōu)化存儲位單元設(shè)計、調(diào)整外圍電路，并采用先進的低泄漏晶體管，確保在低電壓下依然穩(wěn)定運行。

針對其他類型的存儲器，我們增強了雙軌供電支持——這是該技術(shù)節(jié)點的首選方案，允許芯片不同部分能夠在不同電壓下工作。例如，存儲器陣列通常需要比邏輯電路更高的最低工作電壓，而我們的雙軌供電優(yōu)化確保邏輯電路不受存儲器電壓限制。這種靈活性有效降低了整顆芯片的功耗。

除了實現(xiàn)低電壓運行，我們的團隊還致力于縮小設(shè)計的硅片面積，同時最大化能效。具體措施包括：

優(yōu)化存儲器架構(gòu)，減少面積。

采用更小、更高效的構(gòu)建模塊定制邏輯組件。

實施電源門控技術(shù)，并引入低泄漏單元庫，降低空閑期間能耗。

利用先進制造工藝，在更小面積內(nèi)集成更多功能。

這些優(yōu)化措施協(xié)同作用，使芯片各部分功耗更低、面積更小，這對于成本和功耗受限的芯片設(shè)計而言，都至關(guān)重要。

階段 3：全面達成 PPA、可靠性與交付目標

在實現(xiàn)客戶的能效目標后，我們開發(fā)了對應的測試芯片，用于驗證該定制化的存儲器編譯器，并確保其在實際應用中表現(xiàn)穩(wěn)健。通過全面的壓力測試和基準測試，我們確認其性能及穩(wěn)定性，排除了潛在問題，并為長期可靠性建立了堅實保障。

該設(shè)計不僅全面達成所有 PPA 指標，還在客戶要求的 8 個月的緊湊周期內(nèi)完成所有設(shè)計。目前芯片正處于等待流片階段，預計很快將進入量產(chǎn)。

總結(jié)：卓越的 IP 定制能力與協(xié)作模式

當項目需要同時滿足苛刻的 PPA 指標和緊湊的交付周期時，量身定制 IP 模塊并非易事。這不僅要求多方緊密協(xié)作，還需要設(shè)計與工程具備高度靈活性，并有勇氣攻克深層技術(shù)挑戰(zhàn)。而多數(shù) IP 供應商對于這樣的投入程度，是難以做到的。

但這正是新思科技的優(yōu)勢所在。

新思科技憑借著業(yè)內(nèi)最全面、適應性最強的基礎(chǔ) IP 產(chǎn)品組合，一流的研發(fā)引擎，以及高度協(xié)作的現(xiàn)場工程師團隊，隨時準備幫助客戶突破復雜技術(shù)難題，實現(xiàn)他們野心勃勃的 PPA 目標。