概述

LT1118(深圳市方中禾科技)是一種帶鍵盤掃描接口的LED（發(fā)光二極管顯示器）驅動控制專用電路，內部集成 有MCU數(shù)字接口、數(shù)據(jù)鎖存器、LED高壓驅動、鍵盤掃描等電路。本產(chǎn)品性能優(yōu)良，質量可靠。 主要應用于電子狗，手機，機頂盒 及家庭影院等產(chǎn)品的顯示屏驅動。采用QFN24的封裝形式。

特性說明

?采用功率CMOS工藝

?顯示模式（10段×7位 ～ 13段×4位）

?鍵掃描（10×2bit）

?輝度調節(jié)電路（占空比8級可調）

?串行接口（CLK，STB，DIO）

?振蕩方式：內置RC振蕩（450KHz+5%）

?內置上電復位電路

?封裝形式：QFN24

管腳定義：

管腳功能定義：

注意：DIO口輸出數(shù)據(jù)時為N管開漏輸出，在讀鍵的時候需要外接1K-10K的上拉電阻。本公司推薦10K的上拉電 阻。DIO在時鐘的下降沿控制N管的動作，此時讀數(shù)時不穩(wěn)定，你可以參考圖（數(shù)據(jù)讀取（讀數(shù)據(jù)）），在時鐘的上升沿讀數(shù)才時穩(wěn)定。

顯示寄存器地址和顯示模式：

該寄存器存儲通過串行接口從外部器件傳送到LT1118的數(shù)據(jù)，地址從00H-0DH共14字節(jié)單

元，分別與芯片SGE和GRID管腳所接的LED燈對應，分配如下圖：

寫LED顯示數(shù)據(jù)的時候，按照從顯示地址從低位到高位，從數(shù)據(jù)字節(jié)的低位到高位操作。

鍵掃描和鍵掃數(shù)據(jù)寄存器：

鍵掃矩陣為10×2bit，如下所示：

鍵掃數(shù)據(jù)儲存地址如下所示，先發(fā)讀鍵命令后，開始讀取按鍵數(shù)據(jù)BYTE1—BYTE5字節(jié)，讀

數(shù)據(jù)從低位開始輸出，其中B6和B7位為無效位，此時芯片輸出為0。芯片K和KS引腳對應的按鍵

按下時，相對應的字節(jié)內的 BIT位為1。

▲注意：

1、LT1118最多可以讀5個字節(jié)，不允許多讀。

2、讀數(shù)據(jù)字節(jié)只能按順序從BYTE1-BYTE5讀取，不可跨字節(jié)讀。例如：硬件上的K2與KS10對應按鍵按 下時，此時想要讀到此按鍵數(shù)據(jù)，必須需要讀到第5個字節(jié)的第4BIT位，才可讀出數(shù)據(jù)；

當K1與KS10，K2與KS10，K3與KS10三個按鍵同時按下時，此時BYTE5所讀數(shù)據(jù)的B3，B4，B5位均為1（BYTE5 = #38H）。

3、組合鍵只能是同一個KS，不同的K引腳才能做組合鍵；同一個K與不同的KS引腳不可以做成組合鍵使用。

指令說明：

指令用來設置顯示模式和LED驅動器的狀態(tài)。

在STB下降沿后由DIO輸入的第一個字節(jié)作為一條指令。經(jīng)過譯碼，取最高B7、B6兩位比特

位以區(qū)別不同的指令。

如果在指令或數(shù)據(jù)傳輸時STB被置為高電平，串行通訊被初始化，并且正在傳送的指令或數(shù)

據(jù)無效（之前傳送的指令或數(shù)據(jù)保持有效）。

顯示模式設置命令：

該指令用來設置選擇段和位的個數(shù)（4～7位，10～13段）。該指令執(zhí)行時，顯示被強制 關閉，需要送顯示控制命令才能開顯示，原來顯示的數(shù)據(jù)內容不會被改變。但當相同模式被設 置時，則上述情況并不發(fā)生。

數(shù)據(jù)命令設置：

該指令用來設置數(shù)據(jù)寫和讀，B1和B0位不允許設置01或11。

地址命令設設置：

該指令用來設置顯示寄存器的地址。如果地址設為0EH或更高，數(shù)據(jù)被忽略，直到有效地

址被設定。上電時，地址默認設為00H。

顯示控制：

串行數(shù)據(jù)傳輸格式：

讀取和接收1個BIT都在時鐘的上升沿操作。

數(shù)據(jù)接收（寫數(shù)據(jù)）

?編輯 數(shù)據(jù)讀?。ㄗx數(shù)據(jù)）

▲注意：讀取數(shù)據(jù)時，從串行時鐘CLK的第8個上升沿開始設置指令到CLK 下降沿讀數(shù)據(jù)之間需要一個等待時 間Twait(最小1μS)。

顯示和按鍵：

顯示：

驅動共陰數(shù)碼管：

上圖給出共陰數(shù)碼管的連接示意圖，如果讓該數(shù)碼管顯示“0”，那你需要在GRID1為低電平 的時候讓SEG1，SEG2，SEG3，SEG4，SEG5，SEG6為高電平，SEG7為低電平， 查看顯示地址表格，只需在00H地址單元里面寫數(shù)據(jù)3FH就可以讓數(shù)碼管顯示“0”。

驅動共陽數(shù)碼管：

上圖給出共陽數(shù)碼管的連接示意圖，如果讓該數(shù)碼管顯示“0”，那你需要在GRID1，GRID2， GRID3，GRID4，GRID5，GRID6為低電平的時候讓SEG1為高電平，在GRID7為低電平的時候讓SEG1為低電平。要向地址單元00H，02H，04H，06H，08H，0AH里面分別寫數(shù)據(jù)01H，其余的地址單元 全部寫數(shù)據(jù)00H。

▲注意：SEG1-11為P管開漏輸出，GRID1-7為N管開漏輸出，在使用時候，SEG1-11只能接LED的陽極，GRID只能 接LED的陰極，不可反接。

按鍵：

鍵掃描由LT1118自動完成，不受用戶控制，用戶只需要按照時序讀鍵值。完成一次鍵掃需 要2個顯示周期，一個顯示周期大概需要T=8x500US，在8MS先后按下了2個不同的按鍵，2次讀到

的鍵值都是先按下的那個按鍵的鍵值。

按照下圖用示波器觀察SEG1/KS1和SEG2/KS2的輸出鍵掃波形，見圖。

IC在鍵盤掃描時候SEGN/KSN的波形：

Tdisp和IC工作的振蕩頻率有關，我司LT1118經(jīng)過多次完善，振蕩頻率不完全一致。500US僅僅提供參考，以實際測量為準。

一般情況下使用下圖，可以滿足按鍵設計的要求。

當S1被按下的時候，在第1個字節(jié)的B0讀到“1”。如果多個按鍵被按下，將會讀到多個“1”， 當S2，S3被按下的時候，可以在第1個字節(jié)的B1，B3讀到“1”。

▲注意：復合鍵使用注意事項：

SEG1/KS1-SEG10/KS10是顯示和按鍵掃描復用的。以圖（12）為例子，顯示需要D1亮，D2滅，需要讓SEG1為“1”，SEG2為“0”狀態(tài)，如果S1，S2同時被按下，相當于SEG1，SEG2被短路，這時D1，D2都被點亮。

解決方案：

1、在硬件上，可以將需要同時按下的鍵設置在不同的K線上面如下圖所示，

2、在SEG1—SEG N上面串聯(lián)電阻如下圖所示，電阻的阻值應選在510歐姆，太大會造成

按鍵的失效，太小可能不能解決顯示干擾的問題。

3、或者串聯(lián)二極管如下圖所示。

應用時串行數(shù)據(jù)的傳輸：

地址自動加一模式

使用地址自動加1模式，設置地址實際上是設置傳送的數(shù)據(jù)流存放的起始地址。起始地址命

令字發(fā)送完畢，“STB”不需要置高緊跟著傳數(shù)據(jù)，最多14BYTE，數(shù)據(jù)傳送完畢才將“STB”置 高。

Command1:顯示模式設置命令

Command2:數(shù)據(jù)讀寫設置命令

Command3:顯示地址設置命令

Data1～n: 顯示數(shù)據(jù)，以Command3指定的地址為起始地址(最多14 bytes)

Command4:顯示控制命令

固定地址模式

使用固定地址模式，設置地址其實際上是設置需要傳送的1BYTE數(shù)據(jù)存放的地址。地址發(fā) 送完畢，“STB”不需要置高，緊跟著傳1BYTE數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)傳送完畢才將“STB”置高。然后重新設置第2個數(shù)據(jù)需要存放的地址，最多14BYTE數(shù)據(jù)傳送完畢，“STB”置高。

Command1:顯示模式設置命令

Command2:數(shù)據(jù)讀寫設置命令

Command3:顯示地址設置命令，設置顯示地址1

Data1:顯示數(shù)據(jù)1，存入Command3指定的地址單元

Command4:顯示地址設置命令，設置顯示地址2

Data2:顯示數(shù)據(jù)2，存入Command4指定的地址單元

Command5:顯示控制命令

讀按鍵時序

Command1:讀按鍵命令

Data1～5:讀取按鍵數(shù)據(jù)

程序設計流程圖：

采用地址自動加一的程序設計流程圖：

采用固定地址的程序設計流程圖：

應用電路：

LT1118驅動共陰數(shù)碼屏接線電路圖：

▲注意：

1、VDD、GND之間濾波電容在PCB板布線應盡量靠近LT1118芯片放置，加強濾波效果。

2、連接在DIO、CLK、STB通訊口上三個101P電容可以降低對通訊口的干擾。

3、因藍光數(shù)碼管的導通壓降壓約為3V，因此LT1118供電應選用5V。

電氣參數(shù)：

極限參數(shù)（Ta = 25℃, Vss = 0 V）

正常工作范圍（Ta = -20～ +70℃，Vss = 0 V）

電氣特性（Ta = -20～ +70℃，VDD = 4.5～ 5.5 V， Vss = 0 V）

開關特性（Ta = -20～ +70℃，VDD = 4.5～ 5.5 V）

時序特性（Ta = -20～ +70℃，VDD = 4.5～ 5.5 V）

時序波形圖：

審核編輯 黃宇