日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

芯塔電子推出1200V/32mΩ SMPD封裝SiC模塊TFF068C12SS3

CHANBAEK ? 來源:芯塔電子 ? 2026-03-26 14:48 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

芯塔電子近日推出1200V/32mΩ SMPD封裝SiC模塊——TFF068C12SS3。該產品集成了多項技術創(chuàng)新,為電動汽車、電動飛行器、新能源高壓大功率應用場景提供了性能卓越的解決方案。

電氣性能方面,該模塊通過優(yōu)化的器件結構和芯塔電子新一代SiC技術,實現(xiàn)了開關特性與導通損耗的最佳平衡。其動態(tài)性能顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅基器件,不僅提升了系統(tǒng)效率,更為高頻應用創(chuàng)造了條件。模塊采用半橋拓撲集成設計,大幅減少了外部元件數(shù)量和系統(tǒng)復雜度。

產品成功解決了高功率密度與高可靠性之間的平衡難題。通過創(chuàng)新的封裝工藝和熱設計,在保持緊湊體積的同時確保了優(yōu)異的熱性能。集成化的NTC溫度檢測功能進一步增強了系統(tǒng)的智能監(jiān)控能力。

wKgZO2nE1hKAWqc6AAHDYrzf4G0022.jpg

隨著碳化硅器件尺寸持續(xù)縮小和功率密度不斷提高,采用SMPD(表面貼裝型功率器件封裝)的SiC模塊展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。相比傳統(tǒng)SOT227封裝模塊,SMPD封裝體積減小約66%,重量降低約75%,有助于實現(xiàn)更輕巧緊湊的系統(tǒng)設計。

該封裝結構具備更強的抗振性能,可提升系統(tǒng)整體可靠性。其內部采用DCB(陶瓷覆銅基板)絕緣結構,支持多模塊共用散熱器,簡化了熱管理設計,更契合新能源汽車、便攜設備及飛行器等對高效、緊湊、輕量化的需求。此外,SMPD作為表面貼裝封裝,在安裝經濟性與工藝簡便性上也優(yōu)于傳統(tǒng)插件封裝,進一步拓寬了其應用前景。

wKgZPGnE1jiATA6GAAFwUF79pV0238.png

從應用角度看,TFF068C12SS3特別適合車載充電機、高壓DC/DC變換器、電動汽車充電站、電機驅動和光伏能逆變器等高端應用。模塊化的設計顯著減少了系統(tǒng)體積和元件數(shù)量,同時通過優(yōu)化的熱管理和集成化結構降低了系統(tǒng)復雜度和成本。隨著新能源汽車和可再生能源產業(yè)的快速發(fā)展,該產品將為高功率密度電力電子系統(tǒng)提供核心解決方案,助力客戶實現(xiàn)系統(tǒng)性能的全面提升。

該產品現(xiàn)已量產供貨,歡迎登錄芯塔電子官網www.topelectronics.cn或致函芯塔電子銷售郵箱sale.topelectronics.cn獲取詳細技術資料和樣品支持。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 封裝
    +關注

    關注

    128

    文章

    9339

    瀏覽量

    149079
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3874

    瀏覽量

    70195
  • 芯塔電子
    +關注

    關注

    1

    文章

    12

    瀏覽量

    1316
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET:國產替代的價格革命

    的 ASMC120T080G1 就是一款典型的 1200V 80mΩ SiC MOSFET 產品,采用 TO-247-3L 封裝,連續(xù)電流
    的頭像 發(fā)表于 04-25 10:16 ?304次閱讀

    電子最新推出650V/185mΩ多封裝SiC MOSFET

    電子最新推出650V/185mΩ多封裝
    的頭像 發(fā)表于 04-07 17:45 ?1657次閱讀
    <b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>塔</b><b class='flag-5'>電子</b>最新<b class='flag-5'>推出</b>650<b class='flag-5'>V</b>/185<b class='flag-5'>m</b>Ω多<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET

    電子最新推出650V/380mΩ多封裝SiC MOSFET

    電子最新推出650V/380mΩ多封裝
    的頭像 發(fā)表于 03-28 17:10 ?1132次閱讀
    <b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>塔</b><b class='flag-5'>電子</b>最新<b class='flag-5'>推出</b>650<b class='flag-5'>V</b>/380<b class='flag-5'>m</b>Ω多<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET

    電子推出1200V/12mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產品TM4G0012120K

    電子近日推出新一代1200V/12mΩ TO-247-4
    的頭像 發(fā)表于 03-26 16:33 ?714次閱讀
    <b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>塔</b><b class='flag-5'>電子</b><b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1200V</b>/<b class='flag-5'>12m</b>Ω TO-247-4<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET產品TM4G0012120K

    電子推出1200V/16mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產品TM4G0016120K

      電子近日推出新一代1200V/16mΩ TO-247-4
    的頭像 發(fā)表于 03-26 16:30 ?712次閱讀
    <b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>塔</b><b class='flag-5'>電子</b><b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1200V</b>/16<b class='flag-5'>m</b>Ω TO-247-4<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET產品TM4G0016120K

    電子推出1700V/25mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產品TM4G0025170K

    電子近日推出新一代1700V/25mΩ TO-247-4
    的頭像 發(fā)表于 03-26 14:50 ?389次閱讀
    <b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>塔</b><b class='flag-5'>電子</b><b class='flag-5'>推出</b>1700<b class='flag-5'>V</b>/25<b class='flag-5'>m</b>Ω TO-247-4<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET產品TM4G0025170K

    電子推出650V/260mΩ多封裝SiC MOSFET產品TM3G0260065N

      電子最新推出650V/260mΩ多封裝
    的頭像 發(fā)表于 03-26 14:45 ?238次閱讀
    <b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>塔</b><b class='flag-5'>電子</b><b class='flag-5'>推出</b>650<b class='flag-5'>V</b>/260<b class='flag-5'>m</b>Ω多<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET產品TM<b class='flag-5'>3</b>G0260065N

    一文看懂 | 中國華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動態(tài)【上】

    PCIM Asia 2025,展出 750V/1200V SiC 電驅芯片及 1200V 塑封 SiC 功率
    發(fā)表于 03-24 13:48

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域,柵極驅動器是驅動功率半導體器件(如IGBT和SiC M
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:25 ?2543次閱讀

    2ED1322S12M/2ED1321S12M1200V半橋柵極驅動器的卓越之選

    2ED1322S12M/2ED1321S12M1200V半橋柵極驅動器的卓越之選 在電力電子領域,對于IGBT或SiC MOSFET功率器
    的頭像 發(fā)表于 12-20 11:30 ?1919次閱讀

    新品 | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

    CoolSiCMOSFET技術1200V、17mΩ,配備NTC和PressFIT壓接技術。另一個模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術1200V、100A,配備
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:04 ?1163次閱讀
    新品 | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? CoolSiC? <b class='flag-5'>1200V</b>和硅基<b class='flag-5'>模塊</b>

    電子31200V 35mΩ SiC MOSFET量產交付應用

    近期,中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻電子開發(fā)的首批第31200V Si
    的頭像 發(fā)表于 07-16 14:08 ?1528次閱讀
    瞻<b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>電子</b>第<b class='flag-5'>3</b>代<b class='flag-5'>1200V</b> 35<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET量產交付應用

    傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

    傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關鍵詞:
    的頭像 發(fā)表于 06-24 07:58 ?812次閱讀
    傾佳<b class='flag-5'>電子</b>力薦:BASiC 62mm<b class='flag-5'>封裝</b>BMF540R<b class='flag-5'>12KA3</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b> —— 重新定義高功率密度與效率的邊

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產品力分析

    從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產品力分析,中國SiC碳化硅MOSFET產業(yè)已實現(xiàn)顯著
    的頭像 發(fā)表于 06-19 17:02 ?1072次閱讀
    基本股份B<b class='flag-5'>3M013C</b>120Z(碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET)的產品力分析

    聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

    ,聞泰科技半導體業(yè)務近期推出領先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200V SiC MOSFET,為電動汽車行業(yè)注入強勁新動能。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:55 ?1471次閱讀
    土默特左旗| 南平市| 龙州县| 边坝县| 渭南市| 宝山区| 兴国县| 灵丘县| 南陵县| 扬州市| 靖宇县| 闵行区| 修文县| 龙门县| 邢台市| 双柏县| 凤庆县| 平乡县| 临朐县| 博客| 方城县| 政和县| 桓台县| 正定县| 达日县| 应用必备| 丰都县| 沙洋县| 禹州市| 石楼县| 阿坝县| 靖州| 古交市| 宝清县| 丹寨县| 永昌县| 定远县| 乌鲁木齐市| 大城县| 鄄城县| 绩溪县|