芯塔電子最新推出650V/185mΩ多封裝SiC MOSFET，為工業(yè)與消費級應用提供高性能解決方案。該系列產(chǎn)品兼具高耐壓、低損耗與高頻開關特性，適用于工業(yè)電源、電動汽車充電、光儲逆變器等多種場景。

新品提供三種封裝選擇，滿足不同應用場景的安裝與散熱需求：TM3G0180065N采用DFN5*6封裝，適用于高功率密度設計；TM3G0180065E采用TO-252-2封裝，具有良好的散熱性和焊接可靠性；TM3G0180065F則采用TO-220F-3封裝，適合中大功率場景，支持更高的連續(xù)電流輸出。三款產(chǎn)品均支持-55℃至+175℃的工作溫度范圍，且符合RoHS環(huán)保標準。

產(chǎn)品靜態(tài)特性優(yōu)異，柵極閾值電壓典型值為3.9V，跨導達到5S，確保了器件的高效驅(qū)動能力。在動態(tài)特性方面，產(chǎn)品輸入電容429pF，輸出電容32pF，反向傳輸電容僅3pF，總柵極電荷14.8nC。開關參數(shù)表現(xiàn)突出，導通延遲29.2ns，關斷延遲46.1ns，總開關能量低至82.8μJ，有效降低開關損耗，提升系統(tǒng)效率。

產(chǎn)品優(yōu)勢突出：首先，其快速本征二極管具有低反向恢復電荷（典型值68nC），有效減少了開關過程中的能量損耗；其次，器件支持-10V至+22V的寬柵極電壓范圍，增強了系統(tǒng)設計的靈活性；此外，產(chǎn)品可在-55℃至+175℃的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，滿足嚴苛環(huán)境下的應用需求。這些特性使得該系列MOSFET特別適用于高頻、高效率的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，有助于提升系統(tǒng)功率密度，降低散熱需求。

該產(chǎn)品系列現(xiàn)已量產(chǎn)供貨，歡迎登錄芯塔電子官網(wǎng)www.topelectronics.cn或致函芯塔電子銷售郵箱sale.topelectronics.cn獲取詳細技術資料和樣品支持。