華潤微代理商 —— 依托華潤微在功率半導體領(lǐng)域的龍頭技術(shù)積淀與全產(chǎn)業(yè)鏈布局，旗下授權(quán)代理商為行業(yè)帶來專為中低壓大電流場景打造的CRM 先進溝槽型 P-MOSFET——CRTD050P03L2-G。這款器件由華潤微核心子公司研發(fā)生產(chǎn)，深度承襲華潤微在功率器件領(lǐng)域的工藝與設(shè)計優(yōu)勢，以極致低導通電阻、優(yōu)異的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)、超大電流承載能力、工業(yè)級高可靠性為核心亮點，精準破解電機控制、電動工具、鋰電池保護等場景中功率損耗大、高頻開關(guān)效率低、大電流通斷穩(wěn)定性差、空間布局受限的行業(yè)痛點，成為中低壓大電流功率開關(guān)場景的標桿之選。

一、原生適配：中低壓大電流場景專屬 Trench P-MOSFET 定制設(shè)計

CRTD050P03L2-G 并非傳統(tǒng)平面型 MOSFET 的簡單技術(shù)升級，而是華潤微立足 **-30V 中低壓、大電流通斷 ** 全場景使用需求的定制化溝槽型（Trench）設(shè)計，完美適配電機控制與驅(qū)動、電動工具、鋰電池保護、高頻（HF）開關(guān)電路等中低壓大電流應(yīng)用場景。

作為華潤微面向中低壓功率開關(guān)領(lǐng)域的核心產(chǎn)品，其核心參數(shù)實現(xiàn)行業(yè)優(yōu)質(zhì)表現(xiàn)：-30V 漏源耐壓、4.2mΩ 典型導通電阻、-125A 硅片極限連續(xù)漏極電流，在低導通損耗、大電流承載、高頻開關(guān)效率、工業(yè)級可靠性、小型化集成之間實現(xiàn)最優(yōu)平衡，一站式為中低壓電路提供高效開關(guān)、大電流通斷、高可靠防護、簡化 BOM的完整功率解決方案。

二、七大核心亮點，重新定義中低壓 P-MOSFET 性能標桿

先進 CRM 溝槽技術(shù)，極致低導通電阻突破損耗瓶頸

CRTD050P03L2-G 采用華潤微自主研發(fā)的 CRM 先進 Trench 溝槽技術(shù)，依托華潤微成熟的功率器件工藝平臺，對器件溝道結(jié)構(gòu)進行深度優(yōu)化，有效降低漏源導通電阻（RDS(on)?）：在VGS?=?10V、ID?=?19A的典型工況下，RDS(on)?典型值僅4.2mΩ，最大值也僅 5.3mΩ，即使在低柵壓VGS?=?4.5V下，仍能保持 7mΩ 以內(nèi)的低導通電阻表現(xiàn)。

極致低阻直接大幅降低電路導通損耗，提升系統(tǒng)整體效率；同時器件擁有優(yōu)異的Qg?×RDS(on)?品質(zhì)因數(shù)（FOM），柵極電荷與導通電阻的乘積實現(xiàn)行業(yè)優(yōu)級優(yōu)化，高頻開關(guān)過程中開關(guān)損耗更小，完美適配高頻（HF）開關(guān)電路的設(shè)計需求。

全規(guī)格極限電流承載，大電流場景輕松應(yīng)對

針對中低壓場景的大電流通斷需求，華潤微為 CRTD050P03L2-G 打造了硅片與封裝的雙級電流極限設(shè)計，電流承載能力行業(yè)領(lǐng)先：25℃下硅片極限連續(xù)漏極電流達 **-125A**，封裝極限也達 - 60A，即使在 100℃高溫工況下，硅片極限連續(xù)漏極電流仍保持 **-80A的高水準；脈沖漏極電流（25℃，受結(jié)溫限制）更是高達-240A**，能輕松應(yīng)對電路中的瞬時大電流沖擊。

同時器件單脈沖雪崩能量達225mJ（L=0.5mH），具備優(yōu)異的抗雪崩能力，在電機驅(qū)動、電動工具等感性負載場景中，可有效抵御電壓尖峰沖擊，避免器件損壞，充分匹配工業(yè)級場景的嚴苛要求。

嚴苛行業(yè)認證測試，工業(yè)級高可靠性適配全場景

CRTD050P03L2-G 完全符合 JEDEC 行業(yè)標準認證，并經(jīng)過華潤微全批次 100% 嚴苛測試驗證：所有器件均完成DVDS 漏源耐壓測試、雪崩耐量測試，從芯片設(shè)計、晶圓制造到封裝測試，全流程遵循華潤微的高品質(zhì)品控標準，保障器件的一致性和可靠性。

器件的工作與存儲溫度覆蓋 **-55℃~+150℃**，寬溫域適配工業(yè)設(shè)備、戶外便攜工具等復雜工作環(huán)境；引腳焊接溫度支持 260℃（距外殼 1.6mm 處焊接 10s），兼容常規(guī)波峰焊、回流焊工藝，耐焊接熱沖擊能力優(yōu)異，大幅提升量產(chǎn)良率。

優(yōu)異動靜態(tài)電氣特性，高頻開關(guān)控制更精準

依托華潤微在功率器件領(lǐng)域的精準參數(shù)標定能力，CRTD050P03L2-G 的靜態(tài)與動態(tài)電氣特性均實現(xiàn)高精度匹配，為高頻開關(guān)控制提供穩(wěn)定的參數(shù)支撐：靜態(tài)特性上，漏源擊穿電壓穩(wěn)定在 - 30V，柵極閾值電壓（VGS(th)?）精準控制在 - 1.5V~-2V，零柵壓漏極電流（IDSS?）、柵源漏電流（IGSS?）均處于 nA 級，器件靜態(tài)功耗極低；跨導（gfs?）達 83S，柵壓對漏極電流的控制靈敏度高，電流調(diào)節(jié)更精準。

動態(tài)特性上，在 1MHz 高頻下，輸入電容（Ciss?）、輸出電容（Coss?）、反向傳輸電容（Crss?）參數(shù)匹配優(yōu)化，柵極總電荷（Qg?）88.0nC，柵源電荷（Qgs?）、柵漏電荷（Qgd?）分配合理；開關(guān)延遲時間（td(on)?）9ns，上升 / 下降時間精準，高頻開關(guān)過程中無信號拖影、無遲滯，完美適配 HF 高頻開關(guān)電路和高速功率控制場景。

專屬熱性能優(yōu)化，高溫工況穩(wěn)定運行

針對大電流工況下的散熱難題，華潤微為 CRTD050P03L2-G 進行了定制化熱性能優(yōu)化設(shè)計：結(jié)殼熱阻（RthJC?）典型值僅1.2℃/W，熱量能快速從芯片結(jié)區(qū)傳導至外殼，再通過 PCB 高效散熱；25℃下器件最大功耗達104W，具備超強的功率承載能力。

同時華潤微為該器件提供了完整的漏極電流降額曲線、功率耗散降額曲線，器件隨殼溫升高，電流與功率輸出呈平穩(wěn)線性降額，無突變性性能衰減；瞬態(tài)熱阻抗（ZthJC?）經(jīng)過深度優(yōu)化，短時大功耗工況下結(jié)溫上升緩慢，有效避免熱失控，保障高溫工況下的長期穩(wěn)定運行。

高集成優(yōu)質(zhì)體二極管，簡化電路設(shè)計降本增效

CRTD050P03L2-G 內(nèi)置華潤微定制化高性能體二極管，無需額外外接續(xù)流 / 整流二極管，大幅簡化電路設(shè)計，減少外圍 BOM 器件數(shù)量，降低整體方案成本。

該體二極管為快速恢復型，反向恢復時間（trr?）僅 1.2ns，反向恢復電荷（Qrr?）40.5nC，在電機驅(qū)動、鋰電池保護等場景中，能快速關(guān)斷反向電流，避免反向恢復損耗；體二極管連續(xù)正向電流達 - 60A，正向電壓低，續(xù)流效率高，完美匹配主功率管的大電流通斷需求，實現(xiàn)主器件與體二極管的性能協(xié)同。

TO-252 經(jīng)典貼片封裝，小型化易集成適配自動化量產(chǎn)

CRTD050P03L2-G 采用TO-252 貼片封裝，這是華潤微針對中低壓功率器件打造的經(jīng)典封裝形式，引腳布局經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計，頂 / 底視圖的引腳定義清晰（D/D-S/G 引腳分布），適配各類 PCB 的貼片布局，能有效節(jié)省 PCB 空間，滿足便攜式設(shè)備、小型化工業(yè)模塊的空間設(shè)計需求。

器件采用卷裝供貨，每卷 2500pcs，完美適配 SMT 自動化貼片產(chǎn)線，大幅提升客戶量產(chǎn)效率；封裝引腳的焊接性、機械強度優(yōu)異，抗振動、抗沖擊能力強，適合電動工具、工業(yè)電機等存在振動工況的應(yīng)用場景，適配工業(yè)級設(shè)備的使用要求。

三、主流應(yīng)用場景

CRTD050P03L2-G 作為華潤微中低壓功率器件的核心產(chǎn)品，憑借 **-30V 中低壓、低導通電阻、大電流承載、高頻開關(guān)、高可靠性 ** 的核心優(yōu)勢，成為中低壓大電流場景的功率開關(guān)優(yōu)選，主流應(yīng)用覆蓋：

電機控制與驅(qū)動：小型工業(yè)電機、直流無刷電機、步進電機的功率開關(guān)與續(xù)流控制

電動工具：充電式手電鉆、扳手、吸塵器等便攜電動工具的鋰電供電回路開關(guān)

鋰電池保護：動力電池、儲能鋰電池、便攜式設(shè)備鋰電池的保護板功率開關(guān)

高頻（HF）開關(guān)電路：低壓高頻電源、DC-DC 變換器的高速功率開關(guān)

便攜式大功率電子設(shè)備：便攜儲能、大功率手持設(shè)備的電源通斷與功率控制

工業(yè)低壓驅(qū)動模塊：工業(yè)自動化設(shè)備、低壓驅(qū)動板的功率開關(guān)單元

四、總結(jié)

CRTD050P03L2-G 是華潤微基于CRM 先進 Trench 溝槽技術(shù)打造的 **-30V 中低壓大電流 P-MOSFET**，也是華潤微面向中低壓大電流功率開關(guān)場景量身定制的高效功率器件。依托華潤微在功率半導體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，該器件在4.2mΩ 極致低導通電阻、-125A 超大電流承載、優(yōu)異的高頻開關(guān) FOM 值、工業(yè)級高可靠性、集成化優(yōu)質(zhì)體二極管、TO-252 小型化封裝上實現(xiàn)了全維度突破。

相比傳統(tǒng)平面型 MOSFET，CRTD050P03L2-G 能大幅降低電路的導通損耗和開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)整體效率，同時簡化電路設(shè)計、減少 BOM 成本，完美適配電機控制、電動工具、鋰電池保護等中低壓大電流場景的功率開關(guān)需求，是華潤微在中低壓功率器件領(lǐng)域的標桿產(chǎn)品。

華潤微授權(quán)代理商常備 CRTD050P03L2-G 原廠現(xiàn)貨，可為客戶提供完整規(guī)格書、定制化應(yīng)用方案設(shè)計、全流程硬件調(diào)試指導、樣品快速申請及大規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)支持，正品保障、價格優(yōu)勢顯著、交貨周期短，助力客戶在工業(yè)控制、電動工具、鋰電保護等領(lǐng)域的產(chǎn)品高效開發(fā)、穩(wěn)定量產(chǎn)，快速搶占中低壓功率器件市場。

面向工業(yè)自動化、便攜電動工具、鋰電儲能等市場高效化、小型化、高可靠性的發(fā)展趨勢，華潤微 CRTD050P03L2-G 以低損耗、大電流、高可靠、易集成的核心優(yōu)勢，為中低壓大電流場景的功率開關(guān)設(shè)計提供了全新的優(yōu)質(zhì)解決方案，也彰顯了華潤微在功率半導體領(lǐng)域的技術(shù)實力與產(chǎn)品布局能力。

審核編輯 黃宇