電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）2025年，全球爆發(fā)了內(nèi)存芯片短缺危機，導致消費電子市場大受影響。PC 與手機出貨承壓，不少整機廠被迫減單或暫緩拉貨。而原因則是由于AI熱潮正在重塑整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈，導致內(nèi)存產(chǎn)能的戰(zhàn)略性重新分配。

但在近期，這一現(xiàn)象卻發(fā)生了一些改變，不少報道表示，市場中消費級內(nèi)存條正在從最高點降下來，而最多的甚至一天降了超過100美元。那這輪降價潮，意味著存儲市場真的已經(jīng)漲到頭了？抑或短期的調(diào)整呢？

從暴漲到暴降

過去存儲市場供需產(chǎn)生了結(jié)構(gòu)性的改變，這主要源于AI數(shù)據(jù)中心對HBM和大容量服務(wù)器DDR5需求的井噴，三星、SK海力士、美光將大量產(chǎn)能往那邊傾斜。有機構(gòu)預計2026年HBM將占據(jù)DRAM晶圓產(chǎn)出的23%左右，且需求年增約70%。

而IDC也認為，上游將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM，將顯著擠壓給手機、PC的通用DRAM/SSD，導致整體內(nèi)存，尤其是消費級內(nèi)存持續(xù)偏緊、價格上行。

公開數(shù)據(jù)顯示，即便在2026年Q1，PC DRAM的合約價格仍然在顯著上揚，OEM會優(yōu)先保持供應，而模組廠、渠道拿貨則偏緊，這變相推高了終端市場的價格。

例如一條16GB DDR5 內(nèi)存條，價格從2025年中的約200元，一路飆升至2026年1月的900元左右，漲幅超過350%。市場價格一天一個樣，不少商家甚至囤貨惜售，等待價格繼續(xù)沖高。

但從最新情況來看，這一趨勢似乎發(fā)生了改變。根據(jù)市場跟蹤數(shù)據(jù)，近一周美國多家零售商的DDR5內(nèi)存出現(xiàn)了大范圍的降價，在亞馬遜美國、新蛋等主流電商平臺上都有體現(xiàn)，例如海盜船的復仇者（VENGEANCE）系列DDR5降幅尤為巨大。

以32GB容量、最高6400MHz頻率的型號為例，其售價目前約為379.99美元，較近期峰值的490美元降了超過110美元。而16GB、5200MHz的產(chǎn)品，售價也從峰值的260美元，降至219.99美元。

不僅是美國，據(jù)德國3DCenter的檢測情況，2026年3月，主流DDR5內(nèi)存均價環(huán)比下降約7.2%，個別大容量、高頻的套裝降價更是接近19%，例如2×32GB DDR5-6000 CL28從999歐元降到805歐元。

從國內(nèi)市場來看，例如在華強北、百腦匯等市場中，16GB DDR5單條從高峰的約900–980元跌到700元附近，一周內(nèi)多次調(diào)整，某16GB型號更是單日跌幅上百元。

部分媒體報道，32GB DDR5 套裝從3800元附近下探到3000元以內(nèi)，單周跌幅約800元；8GB DDR4單條跌破百元門檻。

可以看到，這輪內(nèi)存條的降價并不是單一市場的行為，而是全球范圍內(nèi)的一場價格向下的共振，幅度在百分之十幾到二十不等。但需要注意的是，當前DDR5均價仍比2025年7月高出約300%，是常規(guī)價格的大約4倍左右，目前不過是從最高點有所回落。

降價的背后，存儲市場將進入下行周期？

此次存儲市場價格的突然爆降，有多方面的原因。一個是因為受到存儲價格上漲，導致終端產(chǎn)品也被迫提價，例如PC、智能手機出貨都開始承壓，不少整機廠開始減單或暫緩拉貨。市場面臨量縮價升的局面，漲價反過來壓制了換機需求。

另一方面，2025 年下半年零售商在漲價預期下大量囤貨，結(jié)果銷量下滑，庫存積壓嚴重，回籠資金壓力下開始集中出貨、降價促銷。

由于這一輪降價潮來得太快，導致部分渠道開始瘋狂“清倉拋貨”，但問題在于，拋售之后發(fā)現(xiàn)市場的承接能力并不好。因此，內(nèi)存市場罕見地出現(xiàn)了“倒掛”現(xiàn)象，也就是品牌出廠價甚至要高于市場的拋售價格。

但值得注意的是，調(diào)研機構(gòu)顯示，2026 年Q1 PC DRAM合約價仍在顯著上揚。原廠對大客戶是保供不保價，這個盤面依然是賣方市場。

并且從上游市場來看，目前HBM和服務(wù)器級高容量DDR5的利潤率，仍然遠超消費級PC/手機用的通用DDR4/DDR5。包括三星、SK 海力士、美光三大原廠，正把1a、1b、1c甚至更先進節(jié)點的產(chǎn)能極限向HBM傾斜。

這意味著通用內(nèi)存的供給不僅沒有增加，反而被結(jié)構(gòu)性抽血了。這也是為什么IDC等機構(gòu)稱之為結(jié)構(gòu)性再分配，它直接鎖死了通用內(nèi)存價格大幅暴跌的底部空間。

而從半導體產(chǎn)品的生命周期來看，這輪降價還受到技術(shù)代際轉(zhuǎn)換的影響。例如原廠基本停止了對DDR4的先進產(chǎn)能投入，轉(zhuǎn)交給二三線代工廠。DDR4的供給在收縮，因此這波降價中，DDR4其實相對抗跌，甚至部分小容量規(guī)格還有微漲。

而DDR5正在成為絕對主力，但是普通頻率的 DDR5（如4800-5600）和高端發(fā)燒級DDR5（如6400+）面臨不同命運。原廠把產(chǎn)能給了服務(wù)器高規(guī)格DDR5，消費級中端DDR5在渠道拋壓下成了降價重災區(qū)。

原廠的庫存仍處于歷史極低水平，HBM和服務(wù)器內(nèi)存一出廠就被英偉達、云廠商等大客戶包圓。當前的庫存積壓主要積壓在渠道商和模組廠環(huán)節(jié)。這是典型的牛鞭效應導致的中間環(huán)節(jié)錯配，而不是源頭產(chǎn)能過剩。

因此，我們判斷，現(xiàn)貨市場的拋售一旦將渠道庫存降至健康水位，價格就會迅速企穩(wěn)。不過現(xiàn)貨的供給彈性非常小，畢竟原廠不增產(chǎn)，貨就那么多，一旦拋壓消失，價格極易反彈。

并且HBM的擠壓效應也將長期存在，只要英偉達、谷歌的AI芯片出貨量繼續(xù)狂飆，HBM就會持續(xù)抽血通用產(chǎn)能。也導致三大原廠的資本支出大頭幾乎全在HBM和先進邏輯上，根本就沒有意愿去擴建傳統(tǒng)的DRAM產(chǎn)能。如果沒有大規(guī)模資本開支的注入，通用內(nèi)存就不具備長期大跌的基礎(chǔ)。

那么如今的存儲市場處于周期的什么位置呢？準確來說，如今的存儲市場走入了K型分化格局，一方面AI/服務(wù)器存儲依然處于超級上行周期中，HBM供不應求，高容量服務(wù)器DDR5價格堅挺，原廠在此領(lǐng)域的利潤率極高。

另一方面，消費級通用存儲在經(jīng)歷前期的非理性暴漲之后，正在經(jīng)歷價值回歸。因為消費端承受不了高價，銷量下滑，迫使渠道降價去庫存。

那什么時候存儲市場會真正走入下行周期，主要看兩種情況是否會發(fā)生。一個是AI泡沫破裂，將導致HBM的巨量產(chǎn)能重新回到DRAM市場，引發(fā)全行業(yè)的供過于求。

另一個則是消費端長期萎縮導致反噬原廠，也就是即便消費級內(nèi)存價格降低，但PC和手機的出貨量依然起不來，那么到了某個節(jié)點，OEM廠商就會與原廠重新調(diào)整合約價。只有當現(xiàn)貨市場的疲軟最終傳導并擊穿合約價防線時，下行周期才算正式開啟。

總結(jié)

此次內(nèi)存價格的暴跌，主要由于終端需求承壓、渠道去庫存以及市場情緒波動所致，是一次典型的渠道庫存周期出清，并不能看作產(chǎn)業(yè)周期下行的標志。對半導體行業(yè)而言，原廠的核心矛盾依然是如何把更多的晶圓變成HBM，而不是消費級內(nèi)存賣不出去怎么辦。因此，這波降價結(jié)束后，消費級內(nèi)存大概率會在一個比過去幾年高出不少的新階段上重新穩(wěn)定下來。