ON Semiconductor ATP101 P-Channel Power MOSFET深度解析
ON Semiconductor ATP101 P-Channel Power MOSFET深度解析
在電子工程領域，功率MOSFET作為關鍵的電子元件，廣泛應用于各類電路設計中。今天我們要探討的是ON Semiconductor推出的ATP101 P - Channel Power MOSFET，它具有諸多出色的特性，適用于多種應用場景。
文件下載：ENA1646-D.PDF
一、產品概述
ATP101是一款P - Channel Power MOSFET，額定電壓為 - 30V，最大連續(xù)漏極電流可達 - 25A，導通電阻低至30mΩ，采用單ATPAK封裝。該產品具備低導通電阻、大電流處理能力、4.5V驅動能力以及內置保護二極管等特點，并且符合無鹵標準。
二、產品特性
2.1 低導通電阻
低導通電阻是ATP101的一大亮點，這意味著在導通狀態(tài)下，器件的功率損耗更小，發(fā)熱更低，從而提高了整個電路的效率。例如，在一些對功耗要求較高的應用中，低導通電阻可以有效降低能量損耗，延長電池續(xù)航時間。
2.2 大電流處理能力
能夠承受 - 25A的連續(xù)漏極電流以及 - 75A的脈沖電流（PW 10us，占空比1%），使得該MOSFET適用于需要處理大電流的電路，如電源管理模塊、電機驅動等。
2.3 4.5V驅動
支持4.5V驅動，這為電路設計提供了更大的靈活性。在一些低電壓供電的系統(tǒng)中，無需額外的升壓電路即可直接驅動該MOSFET，簡化了電路設計。
2.4 保護二極管
內置保護二極管可以有效防止反向電壓對MOSFET造成損壞，提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性。
三、產品規(guī)格
3.1 絕對最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (V_{DSS}) | - 30 | V | |
| 柵源電壓 | (V_{GSS}) | + 20 | V | |
| 漏極電流（直流） | (I_{D}) | - 25 | A | |
| 漏極電流（脈沖10us） | (I_{DP}) | PW 10us，占空比1% | - 75 | A |
| 允許功耗 | (P_{D}) | (T_{c}=25^{circ}C) | 30 | W |
| 溝道溫度 | (T_{ch}) | 150 | (^{circ}C) | |
| 存儲溫度 | (T_{stg}) | - 55 至 + 150 | (^{circ}C) | |
| 雪崩能量（單脈沖） | (E_{AS}) | 25 | mJ | |
| 雪崩電流 | (I_{AV}) | - 13 | A |
需要注意的是，超過最大額定值的應力可能會損壞器件，并且在推薦工作條件以上的功能操作并不被保證。長時間暴露在推薦工作條件以上的應力下可能會影響器件的可靠性。
3.2 電氣特性
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | (V_{BRDSS}) | (I{D}=-1mA)，(V{GS}=0V) | - 30 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | (I_{DSS}) | (V{DS}=-30V)，(V{GS}=0V) | - 1 | (mu A) | ||
| 柵源泄漏電流 | (I_{GSS}) | (V{GS}=16V)，(V{DS}=0V) | ± 10 | (mu A) | ||
| 截止電壓 | (V_{GS(off)}) | (V{DS}=-10V)，(I{D}=-1mA) | - 1.2 | - 2.6 | V | |
| 正向傳輸導納 | (y_{fs}) | (V{DS}=-10V)，(I{D}=-13A) | 17 | S | ||
| 靜態(tài)漏源導通電阻1 | (R_{DS(on)1}) | (I{D}=-13A)，(V{GS}=-10V) | 23 | 30 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻2 | (R_{DS(on)2}) | (I{D}=-7A)，(V{GS}=-4.5V) | 36 | 51 | mΩ | |
| 輸入電容 | (C_{iss}) | (V_{DS}=-10V)，(f = 1MHz) | 875 | pF | ||
| 輸出電容 | (C_{oss}) | 220 | pF | |||
| 反向傳輸電容 | (C_{rss}) | 155 | pF | |||
| 導通延遲時間 | (t_{d(on)}) | 見指定測試電路 | 9.2 | ns | ||
| 上升時間 | (t_{r}) | 70 | ns | |||
| 關斷延遲時間 | (t_{d(off)}) | 80 | ns | |||
| 下降時間 | (t_{f}) | 70 | ns | |||
| 總柵極電荷 | (Q_{g}) | (V{DS}=-15V)，(V{GS}=-10V)，(I_{D}=-25A) | 18.5 | nC | ||
| 柵源電荷 | (Q_{gs}) | 3.2 | nC | |||
| 柵漏“米勒”電荷 | (Q_{gd}) | 4.0 | nC | |||
| 二極管正向電壓 | (V_{SD}) | (I{S}=-25A)，(V{GS}=0V) | - 0.99 | - 1.5 | V |
這些電氣特性為工程師在設計電路時提供了重要的參考依據(jù)，例如在選擇合適的驅動電路、計算功耗等方面都需要用到這些參數(shù)。
四、封裝與尺寸
ATP101采用ATPAK封裝，最小包裝數(shù)量為3000個/卷。封裝尺寸等詳細信息可參考文檔中的相關圖表。在進行PCB設計時，需要根據(jù)封裝尺寸合理布局，確保器件的安裝和焊接。
五、使用注意事項
由于ATP101是MOSFET產品，在使用時應避免將其放置在高電荷物體附近，以免受到靜電等因素的影響而損壞器件。
此外，ON Semiconductor對產品的使用也有一些聲明。產品規(guī)格中的“典型”參數(shù)在不同應用中可能會有所變化，實際性能也可能隨時間變化。因此，所有工作參數(shù)，包括“典型值”，都必須由客戶的技術專家針對每個客戶應用進行驗證。同時，該產品不適合用于外科植入人體、支持或維持生命等應用場景，如果客戶將產品用于非預期或未經授權的應用，需要自行承擔相關責任。
大家在實際使用ATP101時，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應用經驗呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。
-
電子元件
+關注
關注
95文章
1589瀏覽量
60519
發(fā)布評論請先 登錄
評論