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深入解析FDMS7660 N-Channel PowerTrench? MOSFET

lhl545545 ? 2026-04-16 10:15 ? 次閱讀
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深入解析FDMS7660 N-Channel PowerTrench? MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,對(duì)電路的性能起著至關(guān)重要的作用。今天,我們將深入探討Fairchild(現(xiàn)屬ON Semiconductor)的FDMS7660 N-Channel PowerTrench? MOSFET,了解其特性、參數(shù)及應(yīng)用。

文件下載:FDMS7660-D.pdf

一、產(chǎn)品背景與更名說(shuō)明

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求,部分Fairchild可訂購(gòu)的產(chǎn)品編號(hào)需要更改。具體來(lái)說(shuō),F(xiàn)airchild產(chǎn)品編號(hào)中的下劃線(_)將改為破折號(hào)(-)。大家可通過(guò)ON Semiconductor網(wǎng)站(www.onsemi.com)核實(shí)更新后的器件編號(hào)。

二、FDMS7660 MOSFET特性

2.1 先進(jìn)設(shè)計(jì)與高性能

  • 低導(dǎo)通電阻與高效率:采用先進(jìn)的封裝和硅技術(shù)組合,實(shí)現(xiàn)了低的導(dǎo)通電阻 (r_{DS(on)}),有助于提高電路效率,減少功率損耗。
  • 增強(qiáng)型體二極管技術(shù):下一代增強(qiáng)型體二極管技術(shù),具有軟恢復(fù)特性,在同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中能提供類似肖特基二極管的性能,同時(shí)將電磁干擾(EMI)降至最低。
  • 穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì):MSL1穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì),提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性。
  • 測(cè)試保證:經(jīng)過(guò)100% UIL測(cè)試,確保產(chǎn)品質(zhì)量。
  • 環(huán)保合規(guī):符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。

2.2 優(yōu)化設(shè)計(jì)目標(biāo)

該N溝道MOSFET專為提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的整體效率和最小化開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴而設(shè)計(jì)。它在低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和體二極管反向恢復(fù)性能方面進(jìn)行了優(yōu)化。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

  • 筆記本電腦IMVP Vcore開(kāi)關(guān):為筆記本電腦的核心供電電路提供高效的開(kāi)關(guān)功能。
  • 臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器VRM Vcore開(kāi)關(guān):滿足臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器電源管理的需求。
  • OringFET/負(fù)載開(kāi)關(guān):可用于電源切換和負(fù)載管理。
  • DC - DC轉(zhuǎn)換:在各種直流電源轉(zhuǎn)換電路中發(fā)揮重要作用。

四、關(guān)鍵參數(shù)

4.1 最大額定值

符號(hào) 參數(shù) 額定值 單位
(V_{DS}) 漏源電壓 30 V V
(V_{GS}) 柵源電壓(注4) ±20 V V
(I_{D}) 漏極電流 - 連續(xù)(封裝限制,(T_C = 25^{circ}C)) 42 A A
(I_{D}) 漏極電流 - 連續(xù)(硅限制,(T_C = 25^{circ}C)) 144 A A
(I_{D}) 漏極電流 - 連續(xù)((T_A = 25^{circ}C),注1a) 25 A A
(I_{D}) 漏極脈沖電流 150 A A
(E_{AS}) 單脈沖雪崩能量(注3) 128 mJ mJ
(P_{D}) 功率耗散((T_C = 25^{circ}C)) 78 W W
(P_{D}) 功率耗散((T_A = 25^{circ}C),注1a) 2.5 W W
(TJ, T{STG}) 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 -55 至 +150 °C °C

4.2 熱特性

符號(hào) 參數(shù) 單位
(R_{theta JC}) 結(jié)到外殼的熱阻 1.6 °C/W °C/W
(R_{theta JA}) 結(jié)到環(huán)境的熱阻(注1a) 50 °C/W °C/W

4.3 電氣特性

4.3.1 關(guān)斷特性

符號(hào) 參數(shù) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
(BV_{DSS}) 漏源擊穿電壓 (ID = 250 mu A, V{GS} = 0 V) 30 - - V
(frac{Delta BV_{DSS}}{Delta T_J}) 擊穿電壓溫度系數(shù) (I_D = 250 mu A),參考25 °C - 17 - mV/°C
(I_{DSS}) 零柵壓漏極電流 (V{DS} = 24 V, V{GS} = 0 V) - - 1 (mu A)
(I_{GSS}) 柵源正向泄漏電流 (V{GS} = 20 V, V{DS} = 0 V) - - 100 nA

4.3.2 導(dǎo)通特性

符號(hào) 參數(shù) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
(V_{GS(th)}) 柵源閾值電壓 (V{GS} = V{DS}, I_D = 250 mu A) 1.25 1.9 3.0 V
(frac{Delta V_{GS(th)}}{Delta T_J}) 柵源閾值電壓溫度系數(shù) (I_D = 250 mu A),參考25 °C - -7 - mV/°C
(r_{DS(on)}) 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (V_{GS} = 10 V, I_D = 25 A) - 1.9 2.8
(r_{DS(on)}) 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (V_{GS} = 4.5 V, I_D = 19 A) - 2.7 3.5
(r_{DS(on)}) 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (V_{GS} = 10 V, I_D = 25 A, T_J = 125 °C) - 2.5 3.7
(g_{FS}) 正向跨導(dǎo) (V_{DS} = 5 V, I_D = 25 A) - 250 - S

4.3.3 動(dòng)態(tài)特性

符號(hào) 參數(shù) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
(C_{iss}) 輸入電容 (V{DS} = 15 V, V{GS} = 0 V, f = 1 MHz) 4185 - 5565 pF
(C_{oss}) 輸出電容 - 1380 - 1830 pF
(C_{rss}) 反向傳輸電容 - 125 - 190 pF
(R_g) 柵極電阻 - 0.9 - 2.0 Ω

4.3.4 開(kāi)關(guān)特性

符號(hào) 參數(shù) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
(t_{d(on)}) 導(dǎo)通延遲時(shí)間 (V_{DD} = 15 V, ID = 25A, V{GS} = 10 V, R_{GEN} = 6 Ω) - 17 31 ns
(t_{r}) 上升時(shí)間 - 9 18 ns
(t_{d(off)}) 關(guān)斷延遲時(shí)間 - 37 60 ns
(t_{f}) 下降時(shí)間 - 7 13 ns
(Q_g) 總柵極電荷 (V{GS} = 0 V) 到 10 V,(V{DD} = 15 V, I_D = 25 A) 60 - 84 nC
(Q_g) 總柵極電荷 (V_{GS} = 0 V) 到 4.5 V 27 - 38 nC
(Q_{gs}) 柵源電荷 - 12.3 - nC
(Q_{gd}) 柵漏“米勒”電荷 - 7.2 - nC

4.3.5 漏源二極管特性

符號(hào) 參數(shù) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
(V_{SD}) 源漏二極管正向電壓 (V_{GS} = 0 V, I_S = 2.1 A)(注2) 0.7 - 0.95 V
(V_{SD}) 源漏二極管正向電壓 (V_{GS} = 0 V, I_S = 25 A)(注2) 0.8 - 1.1 V
(t_{rr}) 反向恢復(fù)時(shí)間 (I_F = 25 A, di/dt = 100 A/mu s) 46 - 74 ns
(Q_{rr}) 反向恢復(fù)電荷 - 26 - 42 nC
(t_a) 反向恢復(fù)下降時(shí)間 - 19 - nC
(t_b) 反向恢復(fù)上升時(shí)間 - 27 - nC
(S) 軟度((t_b/t_a)) - 1.4 - -
(t_{rr}) 反向恢復(fù)時(shí)間 (I_F = 25 A, di/dt = 300 A/mu s) 36 - 58 ns
(Q_{rr}) 反向恢復(fù)電荷 (I_F = 25 A, di/dt = 300 A/mu s) 43 - 68 nC

五、典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線,展示了該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn),如導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系等。這些曲線對(duì)于工程師在實(shí)際設(shè)計(jì)中評(píng)估器件性能和選擇合適的工作點(diǎn)非常有幫助。

六、封裝與訂購(gòu)信息

器件標(biāo)記 器件 封裝 卷盤尺寸 膠帶寬度 數(shù)量
FDMS7660 FDMS7660 Power 56 13 ” 12 mm 3000 單位

七、注意事項(xiàng)

  • 命名更改:注意Fairchild產(chǎn)品編號(hào)中因系統(tǒng)要求的更名情況。
  • 應(yīng)用限制:ON Semiconductor產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。
  • 參數(shù)驗(yàn)證:“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化,實(shí)際性能也可能隨時(shí)間變化。所有工作參數(shù),包括“典型值”,都必須由客戶的技術(shù)專家針對(duì)每個(gè)客戶應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。

通過(guò)對(duì)FDMS7660 N-Channel PowerTrench? MOSFET的詳細(xì)分析,我們可以看到它在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域具有諸多優(yōu)勢(shì)。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合這些參數(shù)和特性,合理選擇和使用該器件。大家在使用過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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