FDB0165N807L N-Channel PowerTrench? MOSFET：工業(yè)應(yīng)用的理想之選

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為一種常用的功率器件，其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一下FDB0165N807L這款N - Channel PowerTrench? MOSFET，看看它有哪些獨特的優(yōu)勢和應(yīng)用場景。

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一、公司背景與注意事項

Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor整合。由于ON Semiconductor產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理含下劃線（_）的部件命名，原Fairchild部件編號中的下劃線將改為破折號（-）。若文檔中出現(xiàn)含下劃線的器件編號，需到ON Semiconductor網(wǎng)站核實更新后的編號。關(guān)于系統(tǒng)集成的問題，可發(fā)郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。

二、FDB0165N807L MOSFET概述

（一）基本參數(shù)

FDB0165N807L是一款N - Channel PowerTrench? MOSFET，具有80V耐壓、310A電流處理能力以及低至1.6mΩ的導通電阻（在(V{GS}=10V)，(I{D}=36A)條件下）。

（二）產(chǎn)品特性

1. 低導通電阻：最大(r{DS(on)}=1.6mΩ)（(V{GS}=10V)，(I_{D}=36A)），能有效降低導通損耗，提高電路效率。
2. 快速開關(guān)速度：可實現(xiàn)快速的開關(guān)動作，減少開關(guān)損耗，適用于高頻應(yīng)用。
3. 低柵極電荷：降低了驅(qū)動功率，提高了開關(guān)效率。
4. 高性能溝槽技術(shù)：極大地降低了導通電阻，同時具備高功率和高電流處理能力。
5. RoHS合規(guī)：符合環(huán)保要求，滿足綠色電子的發(fā)展趨勢。

（三）封裝形式

采用D2 - PAK（TO263）封裝，引腳定義為：1. 柵極；2、3. 源極/開爾文檢測；4. 漏極；5 - 7. 源極。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

該MOSFET適用于多種工業(yè)應(yīng)用場景，包括：

1. 工業(yè)電機驅(qū)動：為電機提供高效的功率控制，確保電機穩(wěn)定運行。
2. 工業(yè)電源：提高電源的轉(zhuǎn)換效率，降低能耗。
3. 工業(yè)自動化：滿足自動化設(shè)備對快速響應(yīng)和高可靠性的要求。
4. 電池供電工具：延長電池使用壽命，提高工具的工作效率。
5. 電池保護：防止電池過充、過放和短路，保護電池安全。
6. 太陽能逆變器：提高太陽能轉(zhuǎn)換效率，實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。
7. UPS和能量逆變器：保障電力供應(yīng)的穩(wěn)定性和可靠性。
8. 能量存儲：實現(xiàn)能量的高效存儲和釋放。
9. 負載開關(guān)：靈活控制負載的通斷。

四、電氣特性

（一）最大額定值

（二）熱特性

熱阻參數(shù)如下：

• 結(jié)到殼熱阻(R_{θJC}=0.5^{circ}C/W)
• 結(jié)到環(huán)境熱阻(R_{θJA}=40^{circ}C/W)（注1a）

（三）電氣參數(shù)

1. 關(guān)態(tài)特性
   • 漏源擊穿電壓(B{V DSS}=80V)（(I{D}=250μA)，(V_{GS}=0V)）
   • 擊穿電壓溫度系數(shù)(Delta B{V DSS}/Delta T{J}=38mV/^{circ}C)（(I_{D}=250μA)，參考25°C）
   • 零柵壓漏極電流(I{DSS})（(V{DS}=64V)，(V_{GS}=0V)）
   • 柵源泄漏電流(I{GSS}=±100nA)（(V{GS}=±20V)，(V_{DS}=0V)）
2. 開態(tài)特性
   • 柵源閾值電壓(V{GS(th)})：2 - 4V（(V{S}=V{PS})，(I{D}=250A)）
   • 柵源閾值電壓溫度系數(shù)(Delta V{GS(th)}=-13mV/^{circ}C)（(I{D}=250A)，參考25°C）
   • 靜態(tài)漏源導通電阻(r{DS(on)})：1.2 - 1.6mΩ（(V{GS}=10V)，(I{D}=36A)）；2.0 - 2.7mΩ（(V{GS}=10V)，(I_{D}=36A)，(T = 150^{circ}C)）
   • 正向跨導(g{Fs}=136S)（(V{DS}=10V)，(I_{D}=36A)）
3. 動態(tài)特性
   • 輸入電容(C{iss}=16900 - 23660pF)（(V{DS}=40V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz)）
   • 輸出電容(C_{oss}=2350 - 3290pF)
   • 反向傳輸電容(C_{rss}=335 - 1050pF)
   • 柵極電阻(R_{g}=3.3Ω)
4. 開關(guān)特性
   • 開通延遲時間(t_{d(on)}=68 - 109ns)
   • 上升時間(t_{r}=104 - 166ns)
   • 關(guān)斷延遲時間(t_{d(off)}=123 - 197ns)
   • 下降時間(t_{f}=64 - 102ns)
   • 總柵極電荷(Q{g}=217 - 304nC)（(V{DD}=40V)，(I{D}=36A)，(V{GS}=10V)）
   • 柵源柵極電荷(Q_{gs}=75nC)
   • 柵漏“米勒”電荷(Q_{gd}=38nC)
5. 漏源二極管特性
   • 最大連續(xù)漏源二極管正向電流(I_{S}=310A)
   • 最大脈沖漏源二極管正向電流(I_{SM}=1780A)
   • 源漏二極管正向電壓(V{SD}=0.8 - 1.2V)（(V{GS}=0V)，(I_{S}=36A)）
   • 反向恢復時間(t{rr}=85 - 136ns)（(I{F}=36A)，(di/dt = 100A/μs)）
   • 反向恢復電荷(Q_{rr}=90 - 144nC)

五、典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導通區(qū)域特性、歸一化導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、非鉗位電感開關(guān)能力、正向偏置安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散以及結(jié)到殼瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線有助于工程師更深入地了解該MOSFET在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

六、總結(jié)

FDB0165N807L N - Channel PowerTrench? MOSFET憑借其低導通電阻、快速開關(guān)速度、低柵極電荷等優(yōu)異特性，在工業(yè)應(yīng)用中具有顯著的優(yōu)勢。無論是工業(yè)電機驅(qū)動、電源還是自動化設(shè)備等領(lǐng)域，它都能提供高效、可靠的功率控制解決方案。不過，在實際應(yīng)用中，工程師還需要根據(jù)具體的電路需求和工作條件，對各項參數(shù)進行驗證和優(yōu)化，以確保系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。大家在使用這款MOSFET時，有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流！