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深入解析 FDB024N04AL7 N 溝道 PowerTrench? MOSFET

lhl545545 ? 2026-04-02 10:40 ? 次閱讀
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深入解析 FDB024N04AL7 N 溝道 PowerTrench? MOSFET

一、引言

飛兆半導體Fairchild)現(xiàn)已并入安森美半導體(ON Semiconductor)。在半導體行業(yè)不斷發(fā)展的今天,電子工程師們需要深入了解各類器件的性能和特性,以滿足不同設(shè)計需求。今天,我們聚焦于 FDB024N04AL7 N 溝道 PowerTrench? MOSFET 這款產(chǎn)品,詳細探討其各項特性、參數(shù)及應(yīng)用場景。

文件下載:FDB024N04AL7CN-D.pdf

二、產(chǎn)品背景與名稱變更

由于飛兆半導體與安森美半導體的整合,部分飛兆可訂購的產(chǎn)品編號需要更改以符合安森美半導體的系統(tǒng)要求。特別是產(chǎn)品編號中的下劃線(_)將被改為破折號(-),大家可通過安森美半導體網(wǎng)站(www.onsemi.com)來驗證更新后的器件編號。

三、FDB024N04AL7 特性

3.1 低導通電阻

典型值 (R{DS(on)}=2.0 mΩ)(@ (V{GS}=10 V),(I_{D}=80 A)),這種低導通電阻特性降低了功率損耗,提高了效率,在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。大家想想,在一個需要大電流輸出的電路里,低導通電阻能減少多少發(fā)熱和能量損耗呢?

3.2 開關(guān)性能優(yōu)越

具有快速開關(guān)速度和低柵極電荷。這使得它在高頻應(yīng)用中能夠快速響應(yīng),降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)的整體性能。例如在高頻的電源轉(zhuǎn)換電路中,快速開關(guān)速度能使電路更高效地工作。

3.3 高性能溝道技術(shù)

可實現(xiàn)極低的 (R_{DS(on)}),同時具備高功率和高電流處理能力。這意味著它能夠承受較大的功率和電流,適用于對功率要求較高的場合。

3.4 環(huán)保標準

符合 RoHS 標準,這符合當前環(huán)保的要求,也為產(chǎn)品的應(yīng)用范圍提供了更廣泛的可能性。

四、產(chǎn)品描述

FDB024N04AL7 采用飛兆半導體先進的 PowerTrench 工藝生產(chǎn)。該工藝專為最大限度地降低導通電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制,在保證低電阻的同時,還能有良好的開關(guān)響應(yīng),為電子工程師的設(shè)計提供了有力的支持。

五、應(yīng)用領(lǐng)域

5.1 同步整流

用于 ATX/ 服務(wù)器/ 電信 PSU 的同步整流,能有效提高電源的效率和穩(wěn)定性。在服務(wù)器電源中,高效的同步整流可以降低功耗,延長服務(wù)器的使用壽命。

5.2 電池保護電路

可以對電池進行有效的保護,防止過充、過放等情況的發(fā)生,保障電池的安全和性能。

5.3 電機驅(qū)動和不間斷電源

在電機驅(qū)動中,能夠提供穩(wěn)定的功率輸出;在不間斷電源中,確保在市電中斷時能迅速切換,為設(shè)備提供穩(wěn)定的電力支持。

六、參數(shù)詳解

6.1 最大額定值

符號 參數(shù) 額定值 單位
(V_{DSS}) 漏極 - 源極電壓 40 V
(V_{GSS}) 柵極 - 源極電壓 +20 V
(I_{D}) 漏極電流(連續(xù),(T_{C}=25^{circ} C),硅限制) 219* A
(I_{D}) 漏極電流(連續(xù),(T_{C}=100^{circ} C),硅限制) 155* A
(I_{D}) 漏極電流(連續(xù),(T_{C}=25^{circ} C),封裝限制) 100 A
(I_{DM}) 漏極電流(脈沖) 876 A
(E_{AS}) 單脈沖雪崩能量 864 mJ
(dv/dt) 二極管恢復(fù) (dv/dt) 峰值 6.0 V/ns
(P_{D}) 功耗((T_{C}= 25^{circ} C)) 214 W
(P_{D}) 高于 25°C 的功耗系數(shù) 1.43 W/°C
(T{J},T{STG}) 工作和存儲溫度范圍 -55 至 +175 (^{circ}C)
(T_{L}) 用于焊接的最高引腳溫度(距離外殼 1/8",持續(xù) 5 秒) 300 (^{circ}C)

注:連續(xù)電流是基于最高可允許的結(jié)溫計算所得,封裝限制電流為 120 A。

6.2 熱性能

符號 參數(shù) 額定值 單位
(R_{θJC}) 結(jié)點 - 殼體的熱阻 0.7 (^{circ}C/W)
(R_{θJA}) 結(jié)至環(huán)境熱阻 62.5 (^{circ}C/W)

6.3 電氣特性

包括關(guān)斷特性、導通特性、動態(tài)特性、開關(guān)特性、漏極 - 源極二極管特性等。這些特性在不同的測試條件下都有明確的參數(shù)范圍,為工程師在設(shè)計電路時提供了詳細的參考。例如,在導通特性中,柵極閾值電壓 (V{GS(th)}) 在 (V{GS} = V{DS}),(I{D} = 250 μA) 時,最小值為 1.0 V,典型值為 3.0 V。

七、典型性能特征

文檔中給出了多個典型性能特征的圖表,如導通區(qū)域特性、傳輸特性、導通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系等。這些圖表直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現(xiàn),工程師可以根據(jù)圖表來預(yù)測器件在實際應(yīng)用中的性能,從而優(yōu)化電路設(shè)計。

八、結(jié)語

FDB024N04AL7 N 溝道 PowerTrench? MOSFET 憑借其優(yōu)異的特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為電子工程師在設(shè)計中值得考慮的選擇。我們在使用時,要充分了解其參數(shù)和性能,結(jié)合實際應(yīng)用需求進行合理設(shè)計。同時,也要關(guān)注安森美半導體關(guān)于產(chǎn)品編號變更等相關(guān)信息,以確保設(shè)計的準確性和可靠性。大家在使用這款器件時,有沒有遇到過什么有趣的問題或者獨特的應(yīng)用場景呢?歡迎在評論區(qū)分享。

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