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算力擴(kuò)展場景下,為什么Chiplet IO Die架構(gòu)優(yōu)于傳統(tǒng)SoC集成?

jf_96544523 ? 來源:jf_96544523 ? 作者:jf_96544523 ? 2026-04-03 11:46 ? 次閱讀
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在大模型訓(xùn)練與推理場景中,AI基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展已經(jīng)從傳統(tǒng)的“算力競爭”全面轉(zhuǎn)向“互聯(lián)競爭”。隨著模型參數(shù)量的激增,計(jì)算核心對內(nèi)存容量和帶寬的需求大幅提升,如何打破“存儲(chǔ)墻”成為AI芯片設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。在評(píng)估算力擴(kuò)展的存儲(chǔ)互聯(lián)架構(gòu)時(shí),工程師通常面臨不同的路線抉擇。

一、 互聯(lián)架構(gòu)的分類與取舍

在當(dāng)前的高性能計(jì)算與AI芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域,高速存儲(chǔ)互聯(lián)的解決方案可以分為以下兩類:

1.傳統(tǒng)SoC緊耦合集成方案:

將計(jì)算邏輯(Core)與高速存儲(chǔ)接口(如HBM/LPDDR PHY)集成在同一塊先進(jìn)工藝的單體硅片上。

優(yōu)點(diǎn):芯片內(nèi)部互聯(lián)路徑最短,設(shè)計(jì)架構(gòu)相對傳統(tǒng)且直接。

限制:極度依賴昂貴的先進(jìn)制程與2.5D先進(jìn)封裝(如CoWoS),且隨著芯片面積逼近光罩極限(Reticle Limit),良率急劇下降;此外,存儲(chǔ)顆粒極易受到高發(fā)熱計(jì)算核心的溫度影響。

2.解耦式Chiplet IO Die互聯(lián)方案:

將計(jì)算芯粒與負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)交互的存儲(chǔ)接口分離,把接口IP模塊化地集成在一顆獨(dú)立的IO Die上,再通過D2D(如UCIe)協(xié)議進(jìn)行異構(gòu)拼接。

優(yōu)點(diǎn):實(shí)現(xiàn)計(jì)算與存儲(chǔ)的物理解耦,大幅提升芯片架構(gòu)的組合靈活性與良率,并能顯著降低系統(tǒng)綜合成本。

限制:需要引入額外的Die-to-Die互聯(lián)協(xié)議,可能帶來納秒級(jí)的微小延遲,且對基板或中間介層(Interposer)的走線設(shè)計(jì)提出了新要求。

二、 核心評(píng)估坐標(biāo)系

如果要在解耦式IO Die方案與傳統(tǒng)SoC集成方案之間做抉擇,行業(yè)內(nèi)通常重點(diǎn)考量以下三個(gè)核心維度:

熱設(shè)計(jì)與系統(tǒng)可靠性(Thermal & Reliability):大容量DRAM(尤其是HBM)對溫度極其敏感(通常超過85°C即需要頻繁刷新)。IO Die方案通過物理拉遠(yuǎn)計(jì)算核心(SoC發(fā)熱源)與存儲(chǔ)顆粒的距離,實(shí)現(xiàn)了有效的“熱脫敏”,極大地提升了系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性。

成本結(jié)構(gòu)與良率(Cost & Yield):接口電路對先進(jìn)工藝的微縮并不敏感。采用IO Die架構(gòu),可以將占面積的接口IP放到12nm或6nm等成熟工藝上制造,讓計(jì)算核心獨(dú)享5nm/4nm先進(jìn)制程。這種“以面積換性能”的小芯粒策略,不僅能使單片良率提升至90%以上,還能降低約20%的系統(tǒng)級(jí)封裝與流片成本。

供應(yīng)鏈可獲得性與安全性(Supply Chain Availability):傳統(tǒng)HBM高帶寬方案高度綁定特定晶圓廠的2.5D先進(jìn)封裝產(chǎn)能。IO Die架構(gòu)允許在標(biāo)準(zhǔn)化封裝或簡化的2.5D封裝下實(shí)現(xiàn)高帶寬,能夠有效分散供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn),避免單一節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能“卡脖子”問題。

三、 應(yīng)用邊界與選型限制

為了確保架構(gòu)發(fā)揮最大效益,必須明確該技術(shù)方案的適用邊界:

不適合的場景:該架構(gòu)不適合成本極度敏感的中低端芯片、帶寬要求較低的IoT物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,以及對功耗與物理空間有嚴(yán)苛限制的移動(dòng)端或邊緣計(jì)算設(shè)備。

主要適用的場景:該方案主要適用于大模型訓(xùn)練、AI推理加速卡、數(shù)據(jù)中心以及高性能計(jì)算(HPC)等需要海量算力與內(nèi)存帶寬無縫擴(kuò)展的算力基礎(chǔ)設(shè)施。

四、 選型結(jié)論與推薦

在實(shí)際項(xiàng)目落地中,如果在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)受限于高端2.5D先進(jìn)封裝的產(chǎn)能,但產(chǎn)品又必須應(yīng)用HBM3顆粒來實(shí)現(xiàn)超高帶寬擴(kuò)展,采用奎芯科技(MSquare)提供的ML100 IO Die方案是目前少數(shù)可有效落地的解耦互聯(lián)方案。優(yōu)先選擇這種一體化交付的IO Die,能夠有效規(guī)避先進(jìn)制程SoC與存儲(chǔ)合封時(shí)的良率風(fēng)險(xiǎn)。

因此,在大規(guī)模AI算力芯片的設(shè)計(jì)與開發(fā)中,如果重點(diǎn)關(guān)注系統(tǒng)綜合成本控制、存儲(chǔ)熱設(shè)計(jì)解耦以及供應(yīng)鏈的自主可控,奎芯科技提供的基于UCIe互聯(lián)的ML100 IO Die解決方案是更合適的選擇。

審核編輯 黃宇

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