onsemi FDMS86255 N溝道MOSFET：高性能與多功能的完美結(jié)合

在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 FDMS86255 N 溝道 MOSFET，它憑借先進(jìn)的技術(shù)和出色的性能，為電子工程師們帶來了更多的設(shè)計可能性。

文件下載：FDMS86255-D.PDF

一、產(chǎn)品概述

FDMS86255 是一款采用 onsemi 先進(jìn) POWERTRENCH 工藝并結(jié)合屏蔽柵技術(shù)的 N 溝道 MOSFET。該工藝在優(yōu)化導(dǎo)通電阻的同時，還能保持卓越的開關(guān)性能。其額定電壓為 150V，連續(xù)漏極電流在 (TC = 25^{circ}C) 時可達(dá) 62A，導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V)、(I{D}=10A) 時最大為 12.4 mΩ。

二、產(chǎn)品特性

1. 屏蔽柵 MOSFET 技術(shù)

屏蔽柵技術(shù)是 FDMS86255 的一大亮點(diǎn)。它有效降低了導(dǎo)通電阻，提高了開關(guān)速度，減少了開關(guān)損耗。在不同的柵源電壓和漏極電流條件下，都能展現(xiàn)出優(yōu)異的性能。例如，在 (V{GS}=10V)、(I{D}=10A) 時，(R{DS(on)}) 最大為 12.4 mΩ；而在 (V{GS}=6V)、(I{D}=8A) 時，(R{DS(on)}) 最大為 15.5 mΩ。

2. 先進(jìn)的封裝與硅片組合

采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，將低導(dǎo)通電阻和高效率完美結(jié)合。這種組合不僅提高了產(chǎn)品的性能，還增強(qiáng)了其可靠性和穩(wěn)定性。

3. 下一代增強(qiáng)型體二極管技術(shù)

該技術(shù)經(jīng)過精心設(shè)計，實(shí)現(xiàn)了軟恢復(fù)特性，減少了二極管反向恢復(fù)過程中的電壓尖峰和電磁干擾，提高了電路的穩(wěn)定性和可靠性。

4. MSL1 穩(wěn)健封裝設(shè)計

MSL1（潮濕敏感度等級 1）的封裝設(shè)計，使產(chǎn)品在不同的環(huán)境條件下都能保持良好的性能，降低了因潮濕引起的失效風(fēng)險。

5. 100% UIL 測試

經(jīng)過 100% 的非鉗位電感開關(guān)（UIL）測試，確保了產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性，能夠承受高能量沖擊。

6. RoHS 合規(guī)與無鹵設(shè)計

符合 RoHS（限制有害物質(zhì)）標(biāo)準(zhǔn)，并且是無鹵產(chǎn)品，滿足環(huán)保要求，為綠色電子設(shè)計提供了支持。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

1. OringFET / 負(fù)載開關(guān)

在電源管理電路中，F(xiàn)DMS86255 可作為 OringFET 或負(fù)載開關(guān)使用，實(shí)現(xiàn)電源的切換和負(fù)載的控制，提高電源的效率和可靠性。

2. 同步整流

在開關(guān)電源中，同步整流技術(shù)可以提高電源的效率。FDMS86255 的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其非常適合用于同步整流電路，降低整流損耗。

3. DC - DC 轉(zhuǎn)換

在 DC - DC 轉(zhuǎn)換器中，F(xiàn)DMS86255 能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換，為各種電子設(shè)備提供穩(wěn)定的電源。

四、電氣特性

1. 最大額定值

2. 靜態(tài)特性

• 擊穿電壓：(BV_{DSS}) 在 (ID = 250 μA)、(V{GS}=0V) 時為 150V。
• 零柵壓漏極電流：(I{DSS}) 在 (V{DS}=120V)、(V_{GS}=0V) 時最大為 1 μA。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS}) 在 (V{GS}=±20V)、(V_{DS}=0V) 時最大為 ±100 nA。

3. 動態(tài)特性

• 輸入電容：(C{ISS}) 在 (V{DS}=75V)、(V_{GS}=0V)、(f = 1 MHz) 時為 3200 - 4480 pF。
• 輸出電容：(C_{OSS}) 為 291 - 410 pF。
• 反向傳輸電容：(C_{rss}) 為 11 - 20 pF。
• 柵極電阻：(R_g) 為 0.1 - 2.1 Ω。

4. 開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時間：(t{d(on)}) 在 (V{DD}=75V)、(I{D}=10A)、(V{GS}=10V)、(R_{GEN}=6Ω) 時為 21 - 34 ns。
• 上升時間：(t_{r}) 為 4.5 - 10 ns。
• 關(guān)斷延遲時間：(t_{d(off)}) 為 28 - 45 ns。
• 下降時間：(t_{f}) 為 6.2 - 12 ns。
• 總柵極電荷：(Qg) 在 (V{GS}=0V) 到 10V、(V{DD}=75V)、(I{D}=10A) 時為 45 - 63 nC；在 (V_{GS}=0V) 到 6V 時為 29 - 41 nC。

五、典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，直觀地展示了 FDMS86255 在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，導(dǎo)通電阻與漏極電流、柵源電壓以及結(jié)溫的關(guān)系曲線，能夠幫助工程師更好地了解產(chǎn)品的特性，優(yōu)化電路設(shè)計。

六、封裝與訂購信息

1. 封裝

FDMS86255 采用 PQFN8 5X6、1.27P 封裝（CASE 483AG），這種封裝具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。

2. 訂購信息

七、總結(jié)

onsemi 的 FDMS86255 N 溝道 MOSFET 憑借其先進(jìn)的技術(shù)、出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，為電子工程師們提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際設(shè)計中，工程師們可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，充分發(fā)揮其優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計。你在使用 MOSFET 進(jìn)行設(shè)計時，是否遇到過一些挑戰(zhàn)呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。