onsemi FDMS4D5N08LC N溝道MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合
onsemi FDMS4D5N08LC N溝道MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合
引言
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討onsemi公司的FDMS4D5N08LC N溝道MOSFET，這款器件采用了先進(jìn)的POWERTRENCH?工藝和屏蔽柵技術(shù)，在降低導(dǎo)通電阻的同時(shí)，還具備出色的開關(guān)性能和軟體二極管特性。
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產(chǎn)品概述
FDMS4D5N08LC是一款80V、116A的N溝道MOSFET，它采用了onsemi先進(jìn)的POWERTRENCH?工藝，融入了屏蔽柵技術(shù)。這種工藝經(jīng)過優(yōu)化，能夠有效降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，并擁有同類最佳的軟體二極管。
產(chǎn)品特性
屏蔽柵MOSFET技術(shù)
- 低導(dǎo)通電阻：在VGS = 10V、ID = 37A時(shí)，最大rDS(on) = 4.2 mΩ；在VGS = 4.5V、ID = 29A時(shí)，最大rDS(on) = 6.1 mΩ。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的功率損耗更小，能夠提高電路的效率。
- 低反向恢復(fù)電荷（Qrr）：相比其他MOSFET供應(yīng)商，Qrr降低了50%。這有助于降低開關(guān)噪聲和電磁干擾（EMI），提高電路的穩(wěn)定性。
穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì)
- MSL1封裝：具有良好的防潮性能，能夠適應(yīng)不同的工作環(huán)境，提高產(chǎn)品的可靠性。
- 100% UIL測(cè)試：經(jīng)過100%的非鉗位電感開關(guān)（UIL）測(cè)試，確保器件在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。
環(huán)保合規(guī)
- RoHS合規(guī)：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無污染，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)環(huán)保的要求。
典型應(yīng)用
電源轉(zhuǎn)換
- DC - DC轉(zhuǎn)換器：作為主DC - DC MOSFET和同步整流器，可用于DC - DC和AC - DC電源轉(zhuǎn)換電路中，提高電源的效率和穩(wěn)定性。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
- 能夠?yàn)殡姍C(jī)提供高效的驅(qū)動(dòng)能力，滿足電機(jī)在不同工況下的運(yùn)行需求。
太陽能應(yīng)用
- 在太陽能系統(tǒng)中，可用于功率轉(zhuǎn)換和控制，提高太陽能電池板的能量轉(zhuǎn)換效率。
電氣特性
最大額定值
| 符號(hào) | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | 80 | V |
| VGS | 柵源電壓 | ±20 | V |
| ID（連續(xù)） | 漏極電流（TC = 25°C） | 116 | A |
| ID（連續(xù)） | 漏極電流（TC = 100°C） | 73 | A |
| ID（脈沖） | 漏極脈沖電流 | 633 | A |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 384 | mJ |
| PD | 功率耗散（TC = 25°C） | 113.6 | W |
| PD | 功率耗散（TA = 25°C） | 2.5 | W |
| TJ, TSTG | 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 | -55 to +150 | °C |
電氣特性表
| 特性分類 | 具體參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 關(guān)斷特性 | 漏源擊穿電壓變化 | ID = 250 μA, VGS = 0 V | - | - | 1 | - |
| 柵源泄漏電流 | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | - | - | - | nA | |
| 導(dǎo)通特性 | 柵源閾值電壓 | ID = 210 μA, 參考25°C | 1.4 | - | 2.5 | V |
| 導(dǎo)通電阻（VGS = 4.5 V, ID = 29 A） | - | 4.5 | 6.1 | mΩ | ||
| 導(dǎo)通電阻（VGS = 10 V, ID = 37 A） | - | 5.7 | 7.5 | mΩ | ||
| 動(dòng)態(tài)特性 | 輸入電容 | - | 3640 | - | 5100 | pF |
| 反向傳輸電容 | - | 834 | - | 1170 | pF | |
| 柵極電阻 | - | 0.1 | - | - | Ω | |
| 開關(guān)特性 | 開啟延遲時(shí)間 | - | - | 13 | 23 | ns |
| 上升時(shí)間 | - | - | - | 59 | ns | |
| 下降時(shí)間 | - | - | - | 30 | ns | |
| 總柵極電荷（VDD = 40 V） | - | 24 | - | 34 | nC | |
| 同步總柵極電荷 | - | - | - | - | - | |
| 漏源二極管特性 | 正向電壓 | - | 0.7 | - | 0.8 | V |
| 反向恢復(fù)電荷 | - | 38 | - | 61 | nC | |
| 反向恢復(fù)時(shí)間 | IF = 18 A, di/dt = 1000 A/μs | - | - | 27 | ns | |
| - | - | 82 | - | 132 | - |
熱特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| RθJC | 結(jié)到殼熱阻 | 1.1 | °C/W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境熱阻 | 50 | °C/W |
熱特性對(duì)于MOSFET的性能和可靠性至關(guān)重要。較低的熱阻能夠有效地將熱量散發(fā)出去，保證器件在正常的溫度范圍內(nèi)工作。
典型特性曲線
文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、非鉗位電感開關(guān)能力、最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關(guān)系等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，從而進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)。
封裝信息
FDMS4D5N08LC采用PQFN8 5×6（無鉛/無鹵）封裝，每盤3000個(gè)。封裝尺寸和機(jī)械尺寸都有詳細(xì)的說明，同時(shí)還給出了封裝的引腳圖和標(biāo)記圖。在設(shè)計(jì)電路板時(shí)，需要根據(jù)封裝尺寸合理布局，確保器件的安裝和散熱。
總結(jié)
onsemi的FDMS4D5N08LC N溝道MOSFET憑借其先進(jìn)的工藝、出色的性能和可靠的封裝設(shè)計(jì)，在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為電子工程師，在選擇MOSFET時(shí)，需要綜合考慮器件的各項(xiàng)性能指標(biāo)和應(yīng)用需求，確保設(shè)計(jì)出高效、穩(wěn)定的電路。你在實(shí)際應(yīng)用中是否使用過類似的MOSFET呢？在使用過程中遇到過哪些問題？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
希望這篇博文能夠幫助你更好地了解FDMS4D5N08LC MOSFET，如果你對(duì)其他電子器件或技術(shù)感興趣，也可以隨時(shí)關(guān)注我的后續(xù)文章。
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