探索 onsemi FDMS3672：高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率轉(zhuǎn)換元件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 FDMS3672 N 溝道 MOSFET，這款產(chǎn)品憑借其出色的特性，在眾多應(yīng)用場景中展現(xiàn)出強(qiáng)大的競爭力。

文件下載：FDMS3672-D.pdf

產(chǎn)品概述

FDMS3672 屬于 UltraFET 系列，該系列設(shè)備結(jié)合了多種特性，能夠在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)卓越的效率。它針對低導(dǎo)通電阻（(R_{DS(on)})）、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低總柵極電荷和米勒柵極電荷進(jìn)行了優(yōu)化，非常適合高頻 DC - DC 轉(zhuǎn)換器。

關(guān)鍵特性

低導(dǎo)通電阻

• 在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=7.4 A) 時(shí)，最大 (R{DS(on)} = 23 mOmega)；在 (V{GS}=6 V)，(I{D}=6.6 A) 時(shí)，最大 (R{DS(on)} = 29 mOmega)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET 的功率損耗更小，能夠提高系統(tǒng)的效率。

  低柵極電荷

  典型的 (Qg = 31 nC)（(V_{GS}=10 V)），并且具有低米勒電荷。低柵極電荷可以減少開關(guān)過程中的能量損耗，提高開關(guān)速度，從而適用于高頻應(yīng)用。

  環(huán)保合規(guī)

  該器件無鉛、無鹵化物，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

絕對最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (B{V D S S})：在 (I{D}=250mu A)，(V_{GS}=0 V) 時(shí)為 100 V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù) (B{V D S S}/T{J}) 為 104 mV/°C。
• 零柵壓漏電流 (I{D S S})：在 (V{D S}=80 V)，(V{G S}=0 V) 時(shí)為 1 μA；在 (V{D S}=80 V)，(V{G S}=0 V)，(T{J}=55°C) 時(shí)為 10 μA。
• 柵源泄漏電流 (I{G S S})：在 (V{G S}=±20 V)，(V_{D S}=0 V) 時(shí)為 ±100 nA。

  導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓 (V_{G S(th)}) 為 4.0 V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (R{D S(on)})：在 (V{G S}=6 V)，(I{D}=6.6 A) 時(shí)；在 (V{G S}=10 V)，(I{D}=7.4 A)，(T{J}=125°C) 時(shí)為 20 mΩ。

  動態(tài)特性

• 輸入電容 (C{iss})：在 (V{D S}=50 V)，(V_{G S}=0 V)，(f = 1 MHz) 時(shí)為 2680 pF。
• 輸出電容 (C_{oss}) 為 210 - 280 pF。
• 反向傳輸電容 (C_{rss}) 為 90 - 135 pF。
• 柵極電阻 (R_{g}) 為 1.3 Ω。

  開關(guān)特性

• 開通延遲時(shí)間 (t_{d(on)}) 為 23 ns。
• 下降時(shí)間 (t_{f}) 為 8 ns。
• 柵極電荷 (Q{g})：在 (V{G S}=0 V) 到 4.5 V 時(shí)為 44 nC。

典型特性

通過一系列典型特性曲線，我們可以更直觀地了解 FDMS3672 的性能表現(xiàn)。

導(dǎo)通區(qū)域特性

展示了不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關(guān)系，幫助工程師了解 MOSFET 在不同工作條件下的導(dǎo)通性能。

歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系

可以看到導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化情況，為電路設(shè)計(jì)提供參考。

歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系

了解導(dǎo)通電阻隨結(jié)溫的變化，有助于在不同溫度環(huán)境下進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和熱管理。

導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系

明確柵源電壓對導(dǎo)通電阻的影響，優(yōu)化電路的功率損耗。

傳輸特性

展示了漏極電流與柵源電壓的關(guān)系，為設(shè)計(jì)放大器等電路提供依據(jù)。

源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系

有助于了解二極管的正向?qū)ㄌ匦?，在相關(guān)應(yīng)用中進(jìn)行合理設(shè)計(jì)。

柵極電荷特性

體現(xiàn)了柵極電荷隨不同電源電壓的變化情況，對開關(guān)速度和能量損耗有重要影響。

電容與漏源電壓的關(guān)系

了解電容特性對于高頻應(yīng)用中的電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。

雪崩電流與雪崩時(shí)間的關(guān)系

反映了 MOSFET 的雪崩能力，在應(yīng)對突發(fā)電壓沖擊時(shí)的性能表現(xiàn)。

最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關(guān)系

幫助工程師根據(jù)殼溫確定最大連續(xù)漏極電流，確保器件在安全工作范圍內(nèi)。

正向偏置安全工作區(qū)

明確了 MOSFET 在不同電壓和電流條件下的安全工作范圍，避免器件損壞。

單脈沖最大功率耗散

了解單脈沖情況下的功率耗散能力，為脈沖電路設(shè)計(jì)提供參考。

瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線

反映了器件在不同占空比下的熱阻抗特性，對于熱設(shè)計(jì)非常重要。

封裝與訂購信息

FDMS3672 采用 WDFN8（無鉛、無鹵化物）封裝，每卷 3000 個。關(guān)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息，可參考 Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D。

應(yīng)用領(lǐng)域

FDMS3672 主要應(yīng)用于 DC - DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，其高性能特性能夠滿足該領(lǐng)域?qū)π屎头€(wěn)定性的要求。

在實(shí)際的電子工程設(shè)計(jì)中，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景和需求，綜合考慮 FDMS3672 的各項(xiàng)特性，合理選擇和使用該器件。同時(shí)，要注意遵循器件的使用規(guī)范，確保其在安全的工作條件下運(yùn)行，以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。你在使用類似 MOSFET 器件時(shí)，遇到過哪些挑戰(zhàn)呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。