深入解析FDMS86202ET120 N溝道屏蔽柵極MOSFET
深入解析FDMS86202ET120 N溝道屏蔽柵極MOSFET
在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計中。今天，我們將深入探討飛兆半導(dǎo)體（現(xiàn)屬于安森美半導(dǎo)體）的FDMS86202ET120 N溝道屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET，了解其特性、參數(shù)及應(yīng)用。
一、安森美與飛兆半導(dǎo)體的整合說明
飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)已成為安森美半導(dǎo)體的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分飛兆可訂購的零件編號需要更改，原飛兆零件編號中的下劃線（_）將改為破折號（-）。大家可通過安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的器件編號。
二、FDMS86202ET120 MOSFET特性
2.1 卓越的溫度特性
擴(kuò)展額定 (T_{J}) 至 175°C，這使得該MOSFET能夠在較高溫度環(huán)境下穩(wěn)定工作，適應(yīng)更廣泛的應(yīng)用場景。在高溫環(huán)境下，其性能依然可靠，減少了因溫度過高導(dǎo)致的性能下降或故障風(fēng)險。
2.2 先進(jìn)的屏蔽柵極技術(shù)
采用屏蔽柵極MOSFET技術(shù)，該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導(dǎo)通電阻，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，能夠有效降低功耗，提高效率，同時在開關(guān)過程中能夠快速響應(yīng)，減少開關(guān)損耗。
2.3 低導(dǎo)通電阻
最大 (r{DS(on)}=7.2 mOmegaleft(V{GS}=10 V, I{D}=13.5 Aright))，最大 (r{DS(on)}=10.3 mOmega) ( (V{GS} = 6 V, I{D}=11.5 A) )。低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高電路的效率，尤其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
2.4 先進(jìn)的封裝設(shè)計
采用低 (DS(on)) 和高效的先進(jìn)硅封裝，MSL1耐用封裝設(shè)計，并且100%經(jīng)過UIL測試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。這種封裝設(shè)計不僅保證了器件的可靠性和穩(wěn)定性，還滿足了環(huán)保要求。
三、主要參數(shù)
3.1 最大額定值
| 符號 | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DS}) | 漏極 - 源極電壓 | 120 | V |
| (V_{GS}) | 柵極 - 源極電壓 | ±20 | V |
| (I_{D}) | 漏極電流 - 連續(xù)（(T_{C} = 25 °C)） | 102 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流 - 連續(xù)（(T_{C} = 100°C)） | 72 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流 - 連續(xù)（(T_{A} = 25°C)） | 13.5 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流 - 脈沖 | 538 | A |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量 | 600 | mJ |
| (P_{D}) | 功耗（(T_{C} = 25 °C)） | 187 | W |
| (P_{D}) | 功耗（(T_{A} = 25 °C)） | 3.3 | W |
| (T{J}, T{STG}) | 工作和存儲結(jié)溫范圍 | -55 至 +175 | °C |
3.2 熱性能
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 結(jié) - 殼體的熱阻 | 0.8 | °C/W |
| (R_{θJA}) | 結(jié)至環(huán)境熱阻最大值 | 45 | °C/W |
3.3 電氣特性
包含關(guān)斷特性、導(dǎo)通特性、動態(tài)特性、開關(guān)特性以及漏極 - 源極二極管特性等多個方面。例如，漏極 - 源極擊穿電壓 (B{V{DSS}}) 為 120V，柵極 - 源極閾值電壓 (V_{GS(th)}) 在 2.0 - 4.0V 之間等。這些電氣特性為電路設(shè)計提供了重要的參考依據(jù)，工程師可以根據(jù)具體需求進(jìn)行合理選擇和應(yīng)用。
四、典型特性曲線
文檔中給出了一系列典型特性曲線，如導(dǎo)通區(qū)域特性、標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵極 - 源極電壓的關(guān)系等。這些曲線直觀地展示了器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，有助于工程師更好地理解和應(yīng)用該器件。例如，通過導(dǎo)通電阻與柵極 - 源極電壓的關(guān)系曲線，工程師可以選擇合適的柵極電壓來實(shí)現(xiàn)最小的導(dǎo)通電阻，從而提高電路效率。
五、應(yīng)用領(lǐng)域
FDMS86202ET120 MOSFET主要應(yīng)用于DC - DC轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。在DC - DC轉(zhuǎn)換電路中，其低導(dǎo)通電阻和卓越的開關(guān)性能能夠有效提高轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗，為電路的穩(wěn)定運(yùn)行提供保障。
六、注意事項(xiàng)
6.1 零件編號變更
由于安森美系統(tǒng)要求，部分飛兆零件編號中的下劃線將改為破折號，需通過安森美網(wǎng)站核實(shí)更新后的編號。
6.2 熱阻說明
(R{θJA}) 取決于安裝在FR - 4材質(zhì)1.5 x 1.5英寸電路板上1英寸2 2盎司銅焊盤上的器件，(R{θCA}) 取決于使用者的電路板設(shè)計。在實(shí)際應(yīng)用中，需要根據(jù)具體的電路板設(shè)計來考慮熱阻對器件性能的影響。
6.3 脈沖測試條件
部分參數(shù)的測試采用脈沖測試，脈寬 < 300 μ，占空比 < 2.0%。在實(shí)際使用中，要注意測試條件與實(shí)際工作條件的差異，確保器件在實(shí)際應(yīng)用中的性能符合要求。
6.4 特殊應(yīng)用限制
安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品不設(shè)計、不打算也未授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或具有相同或類似分類的外國醫(yī)療設(shè)備以及用于人體植入的設(shè)備。如果購買或使用安森美產(chǎn)品用于此類非預(yù)期或未授權(quán)的應(yīng)用，買方需承擔(dān)相應(yīng)的責(zé)任。
總之，F(xiàn)DMS86202ET120 N溝道屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET以其卓越的性能和特性，在DC - DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。電子工程師在設(shè)計電路時，可以根據(jù)其參數(shù)和特性，合理選擇和應(yīng)用該器件，以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似MOSFET的使用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。
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