深入解析FDMS86202 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種至關(guān)重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)中。今天，我們將深入探討Fairchild（現(xiàn)屬ON Semiconductor）的FDMS86202 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET，了解它的特點(diǎn)、性能參數(shù)以及應(yīng)用場(chǎng)景。

文件下載：FDMS86202-D.pdf

1. 公司背景與產(chǎn)品編號(hào)變更

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購的產(chǎn)品編號(hào)需要更改，原編號(hào)中的下劃線（_）將改為破折號(hào)（-）。大家可訪問ON Semiconductor的網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的設(shè)備編號(hào)。若對(duì)系統(tǒng)集成有疑問，可發(fā)郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。

2. FDMS86202 MOSFET的特點(diǎn)

2.1 先進(jìn)技術(shù)

FDMS86202采用了Shielded Gate MOSFET技術(shù)，結(jié)合了先進(jìn)的PowerTrench?工藝。這種工藝在優(yōu)化導(dǎo)通電阻的同時(shí)，還能保持出色的開關(guān)性能。

2.2 低導(dǎo)通電阻與高效率

在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=13.5 A) 時(shí)，最大 (r{DS(on)}=7.2 mΩ)；在 (V{GS}=6 V)，(I{D}=11.5 A) 時(shí)，最大 (r{DS(on)}=10.3 mΩ)。先進(jìn)的封裝和硅片組合，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻和高效率。

2.3 穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì)

采用MSL1穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)，并且經(jīng)過100% UIL測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

3. 應(yīng)用場(chǎng)景

FDMS86202適用于DC - DC轉(zhuǎn)換電路。在這種電路中，其低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能能夠有效提高轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗。

4. 產(chǎn)品參數(shù)

4.1 最大額定值

4.2 熱特性

4.3 電氣特性

4.3.1 關(guān)斷特性

4.3.2 導(dǎo)通特性

4.3.3 動(dòng)態(tài)特性

4.3.4 開關(guān)特性

4.3.5 漏源二極管特性

5. 典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了FDMS86202在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，導(dǎo)通區(qū)域特性曲線展示了不同 (V{GS}) 下，漏極電流 (I{D}) 與漏源電壓 (V_{DS}) 的關(guān)系；歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系曲線，有助于工程師了解導(dǎo)通電阻在不同工作條件下的變化情況。

6. 封裝標(biāo)記與訂購信息

7. 注意事項(xiàng)

ON Semiconductor保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改的權(quán)利，且不承擔(dān)產(chǎn)品用于特定目的的適用性保證，也不承擔(dān)因產(chǎn)品應(yīng)用或使用產(chǎn)生的任何責(zé)任。同時(shí)，該產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備等特定應(yīng)用。

作為電子工程師，在選擇和使用FDMS86202 MOSFET時(shí)，我們需要充分了解其特點(diǎn)和性能參數(shù)，結(jié)合具體的應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行合理設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中遇到過哪些與MOSFET相關(guān)的問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。