onsemi FDMC7660S MOSFET：高效電源轉(zhuǎn)換的理想之選

在電子設(shè)計領(lǐng)域，電源轉(zhuǎn)換效率一直是工程師們關(guān)注的重點。今天，我們來深入了解一款由安森美（onsemi）推出的N溝道MOSFET——FDMC7660S，它在降低功耗、提高效率方面表現(xiàn)出色，為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來了新的解決方案。

文件下載：FDMC7660S-D.PDF

一、產(chǎn)品概述

FDMC7660S專為最大限度減少電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗而設(shè)計。它結(jié)合了先進的硅技術(shù)和封裝技術(shù)，在保持出色開關(guān)性能的同時，實現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻 (r_{DS(on)}) 。此外，該器件還集成了高效的單片肖特基體二極管，進一步提升了整體性能。

二、產(chǎn)品特性

1. 低導(dǎo)通電阻

• 在 (V{GS}=10 V) 、 (I{D}=20 A) 時，最大 (r{DS(on)}) 僅為 (2.2 mOmega) ；在 (V{GS}=4.5 V) 、 (I{D}=18 A) 時，最大 (r{DS(on)}) 為 (2.95 mOmega) 。如此低的導(dǎo)通電阻能夠有效降低功耗，提高電源轉(zhuǎn)換效率。

  2. 高性能技術(shù)

  采用高性能技術(shù)，確保極低的 (r_{DS(on)}) ，同時具備良好的開關(guān)性能，能夠滿足各種高速開關(guān)應(yīng)用的需求。

  3. 環(huán)保合規(guī)

  該器件符合無鉛、無鹵和RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求，為綠色電子設(shè)計提供了支持。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

1. DC/DC轉(zhuǎn)換器同步整流

在DC/DC轉(zhuǎn)換器中，F(xiàn)DMC7660S可作為同步整流器，有效提高轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗。

2. 筆記本Vcore/GPU低端開關(guān)

適用于筆記本電腦的Vcore和GPU電源電路，作為低端開關(guān)，能夠提供穩(wěn)定可靠的電源供應(yīng)。

3. 網(wǎng)絡(luò)負載點低端開關(guān)

在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中，可用于負載點的電源管理，確保設(shè)備的穩(wěn)定運行。

4. 電信二次側(cè)整流

在電信設(shè)備的電源電路中，可實現(xiàn)二次側(cè)整流功能，提高電源質(zhì)量。

四、電氣特性

1. 最大額定值

2. 電氣參數(shù)

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (BV{DSS}) ： (I{D}=1 mA) 、 (V_{GS}=0V) 時，為30V。
• 柵源泄漏電流 (I{GSS}) ： (V{GS}=20 V) 、 (V_{DS}= 0V) 時，最大為100nA。
• 零柵壓漏極電流 (I{DSS}) ： (V{DS}= 24V) 、 (V_{GS}=0V) 時，最大為500μA。

導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓 (V{GS(th)}) ： (V{GS}=V{DS}) 、 (I{D}=1 mA) 時，典型值為1.6V，范圍在1.2 - 2.5V之間。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (r{DS(on)}) ： (V{GS}=10 V) 、 (I{D}=20 A) 時，典型值為1.7mΩ，最大為2.2mΩ； (V{GS}=4.5 V) 、 (I{D}=18 A) 時，典型值為2.5mΩ； (V{GS}=10 V) 、 (I{D}=20 A) 、 (T{J}=125^{circ} C) 時，典型值為2.2mΩ，最大為3.1mΩ。
• 正向跨導(dǎo) (g{fs}) ： (V{DD}=5 V) 、 (I_{D}=20 A) 時，典型值為129S。

動態(tài)特性

• 輸入電容 (C{iss}) ： (V{DS}=15 V) 、 (V_{GS}=0 V) 、 (f = 1 MHz) 時，典型值為3250pF，最大為4325pF。
• 輸出電容 (C_{oss}) ：典型值為1260pF，最大為1680pF。
• 反向傳輸電容 (C_{rss}) ：典型值為105pF，最大為160pF。
• 柵極電阻 (R_{g}) ：典型值為0.8Ω，范圍在0.1 - 1.6Ω之間。

開關(guān)特性

• 開啟延遲時間 (t{d(on)}) ： (V{DD}=15 V) 、 (I{D}=20 A) 、 (V{GS}=10 V) 、 (R_{GEN}=6 Omega) 時，典型值為25ns，范圍在14 - 25ns之間。
• 上升時間 (t_{r}) ：典型值為10ns，范圍在5 - 10ns之間。
• 關(guān)斷延遲時間 (t_{d(off)}) ：典型值為54ns，范圍在34 - 54ns之間。
• 下降時間 (t_{f}) ：典型值為10ns，范圍在3.9 - 10ns之間。
• 總柵極電荷 (Q{g(TOT)}) ： (V{GS}=0 V) 至 (10 V) 、 (V{DD}=15 V) 、 (I{D}=20 A) 時，典型值為66nC，范圍在47 - 66nC之間； (V{GS}=0 V) 至 (4.5 V) 、 (V{DD}=15 V) 、 (I_{D}=20 A) 時，典型值為29nC，范圍在21 - 29nC之間。
• 柵源電荷 (Q{gs}) ： (V{DD}=15 V) 、 (I_{D}=20 A) 時，典型值為9.5nC。
• 柵漏“米勒”電荷 (Q_{gd}) ：典型值為5nC。

漏源二極管特性

• 源漏二極管正向電壓 (V{SD}) ： (V{GS}=0 V) 、 (I{S}=20 A) 時，典型值為1.2V，范圍在0.8 - 1.2V之間； (V{GS}=0 V) 、 (I_{S}=1.9 A) 時，典型值為1.2V，范圍在0.4 - 1.2V之間。
• 反向恢復(fù)時間 (t{rr}) ： (I{F}=20 A) 、 (di / dt = 300 A / mu s) 時，典型值為50ns，范圍在31 - 50ns之間。
• 反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr}) ：典型值為62nC，范圍在39 - 62nC之間。

五、典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，直觀地展示了FDMC7660S在不同條件下的性能表現(xiàn)，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、非鉗位電感開關(guān)能力、最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關(guān)系、正向偏置安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散以及結(jié)到環(huán)境的瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線為工程師在實際應(yīng)用中選擇合適的工作點提供了重要參考。

六、封裝與訂購信息

FDMC7660S采用PQFN8 3.3X3.3、0.65P（Power 33）封裝，為無鉛、無鹵封裝。提供13”卷盤，帶寬為12mm，每盤3000個。

七、總結(jié)

onsemi的FDMC7660S MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高性能技術(shù)和環(huán)保合規(guī)等特性，在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。無論是在DC/DC轉(zhuǎn)換器、筆記本電腦電源電路，還是網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備中，都能為工程師提供可靠的解決方案。在實際設(shè)計中，工程師可以根據(jù)具體應(yīng)用需求，結(jié)合文檔中的電氣特性和典型特性曲線，合理選擇工作參數(shù)，以實現(xiàn)最佳的性能表現(xiàn)。你在使用類似MOSFET時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。