onsemi FDMC8010 N溝道MOSFET：小空間中的高性能之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，對(duì)于高性能、小尺寸的功率器件需求日益增長。今天，我們就來深入了解一下 onsemi 的 FDMC8010 N 溝道 MOSFET，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。

文件下載：FDMC8010-D.PDF

一、產(chǎn)品概述

FDMC8010 采用了 onsemi 先進(jìn)的 POWERTRENCH 工藝，該工藝經(jīng)過特別優(yōu)化，旨在最大程度地降低導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})。這使得該器件非常適合那些對(duì)超低 (R{DS(on)}) 有要求且空間有限的應(yīng)用場景，如高性能電壓調(diào)節(jié)模塊（VRM）、負(fù)載點(diǎn)（POL）以及或門（Oring）功能等。

二、產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

• 在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=30 A) 時(shí)，最大 (R{DS(on)}) 僅為 1.3 mΩ；在 (V{GS}=4.5 V)，(I{D}=25 A) 時(shí)，最大 (R{DS(on)}) 為 1.8 mΩ。這種極低的導(dǎo)通電阻能夠有效降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。

  環(huán)保合規(guī)

  該器件為無鉛產(chǎn)品，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

DC - DC 降壓轉(zhuǎn)換器

在 DC - DC 降壓轉(zhuǎn)換器中，F(xiàn)DMC8010 的低導(dǎo)通電阻特性可以減少能量損耗，提高轉(zhuǎn)換效率，從而延長電池續(xù)航時(shí)間或降低電源的散熱需求。

負(fù)載點(diǎn)（POL）

在負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，該器件能夠快速響應(yīng)負(fù)載變化，提供穩(wěn)定的電壓輸出，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

高效負(fù)載開關(guān)和低端開關(guān)

作為高效負(fù)載開關(guān)和低端開關(guān)，F(xiàn)DMC8010 可以實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)動(dòng)作，減少開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)的整體性能。

或門 FET

在或門電路中，F(xiàn)DMC8010 能夠有效地實(shí)現(xiàn)電源的切換和保護(hù)，確保系統(tǒng)在不同電源之間的平穩(wěn)過渡。

四、電氣特性

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱特性

熱阻參數(shù)對(duì)于評(píng)估器件的散熱性能至關(guān)重要，在設(shè)計(jì)散熱方案時(shí)需要充分考慮。

靜態(tài)特性

• 擊穿電壓：(BVDSS)（漏源擊穿電壓）在 (I{D}=1 mA)，(V{GS}=0 V) 時(shí)為 30 V，其溫度系數(shù) (BVDSS/TJ) 為 15 mV/°C。
• 漏極電流：零柵壓漏極電流 (IDSS) 在 (V{DS}=24 V)，(V{GS}=0 V) 時(shí)為 1 μA。
• 柵源泄漏電流：(IGSS) 在 (V{GS}=20 V)，(V{DS}=0 V) 時(shí)為 100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓：在 (I_{D}=1 mA) 時(shí)，參考 (25^{circ}C)，典型值為 1.5 V，范圍在 1.2 - 2.5 V 之間。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=30 A) 時(shí)，最大為 1.3 mΩ；在 (V{GS}=4.5 V)，(I{D}=25 A) 時(shí)，也能保持較低的電阻值。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容：(Ciss) 在 (V{DS}=15 V)，(V{GS}=0 V) 時(shí)為 4405 pF。
• 輸出電容：(Coss) 在 (f = 1 MHz) 時(shí)為 1570 pF。
• 反饋電容：(Crss) 為 167 pF。
• 柵極電阻：(Rg) 范圍在 0.5 - 1.25 Ω 之間。

開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間：(td(on)) 在 (RGEN = 6 Ω) 時(shí)為 15 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：(td(off)) 為 40 - 64 ns。
• 下降時(shí)間：(tf) 為 5.3 - 11 ns。
• 總柵極電荷：(Qg) 在不同條件下有不同的值，例如在 (ID = 30A) 時(shí)為 32 - 45 nC。
• 柵漏“米勒”電荷：(Qgd) 為 9.5 nC。

漏源二極管特性

漏源二極管的正向電壓典型值為 0.7 V，反向恢復(fù)時(shí)間為 78 ns，反向恢復(fù)電荷 (Qm) 為 46 nC。

五、典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，導(dǎo)通電阻與結(jié)溫、漏極電流和柵源電壓的關(guān)系曲線，有助于工程師在設(shè)計(jì)時(shí)更好地評(píng)估器件在不同工況下的性能。

六、封裝與訂購信息

FDMC8010 采用 WDFN8（Power 33）封裝，每盤 3000 個(gè)，采用帶盤包裝。關(guān)于帶盤規(guī)格的詳細(xì)信息，可以參考相關(guān)的包裝規(guī)范手冊(cè)。

七、總結(jié)

總的來說，onsemi 的 FDMC8010 N 溝道 MOSFET 憑借其超低的導(dǎo)通電阻、良好的電氣性能和環(huán)保合規(guī)性，在小空間、高性能的應(yīng)用場景中具有很大的優(yōu)勢。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，可以充分考慮該器件的特性，以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運(yùn)行。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似的高性能 MOSFET 呢？它們?cè)趯?shí)際使用中的表現(xiàn)如何？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。