ON Semiconductor FDD86567 - F085 N - Channel PowerTrench? MOSFET深度解析

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET是一種常用的功率器件。今天我們就來深入了解一下ON Semiconductor（現(xiàn)更名為onsemi）推出的FDD86567 - F085 N - Channel PowerTrench? MOSFET。

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一、公司聲明與注意事項(xiàng)

首先，我們要關(guān)注一下ON Semiconductor的相關(guān)聲明。該公司擁有眾多專利、商標(biāo)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)品信息可能隨時(shí)變更且不另行通知。同時(shí)，公司對(duì)產(chǎn)品信息的準(zhǔn)確性、適用性等不做保證，不承擔(dān)產(chǎn)品應(yīng)用中的相關(guān)責(zé)任。特別要注意的是，其產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備等特定應(yīng)用，如果買家將產(chǎn)品用于非授權(quán)應(yīng)用，需承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。

二、產(chǎn)品概述

FDD86567 - F085是一款N - Channel PowerTrench? MOSFET，具有60V耐壓、100A電流和3.2mΩ導(dǎo)通電阻的特性。它有以下顯著特點(diǎn)：

1. 低導(dǎo)通電阻：在(V{GS}=10V)，(I{D}=80A)時(shí)，典型(R_{DS(on)} = 2.6mΩ)，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的功率損耗較低，能有效提高系統(tǒng)效率。
2. 低柵極電荷：在(V{GS}=10V)，(I{D}=80A)時(shí)，典型(Q_{g(tot)} = 63nC)，有助于降低開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度。
3. UIS能力：具備單脈沖雪崩能量能力，能承受一定的能量沖擊，增強(qiáng)了器件的可靠性。
4. RoHS合規(guī)：符合環(huán)保要求，滿足當(dāng)今電子產(chǎn)品的綠色設(shè)計(jì)需求。
5. AEC Q101認(rèn)證：經(jīng)過汽車級(jí)認(rèn)證，適用于汽車相關(guān)應(yīng)用。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

該MOSFET適用于多個(gè)領(lǐng)域，包括：

1. 汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制：在汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中，需要精確控制功率輸出，F(xiàn)DD86567 - F085的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力能夠滿足發(fā)動(dòng)機(jī)控制對(duì)功率器件的要求。
2. 動(dòng)力總成管理：在動(dòng)力總成系統(tǒng)中，對(duì)功率器件的可靠性和性能要求較高，此MOSFET可以穩(wěn)定地控制動(dòng)力傳輸。
3. 電磁閥和電機(jī)驅(qū)動(dòng)：能夠?yàn)殡姶砰y和電機(jī)提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流，保證其正常工作。
4. 集成啟動(dòng)/發(fā)電機(jī)：在啟動(dòng)和發(fā)電過程中，需要快速、高效地進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換，該MOSFET可以滿足這一需求。
5. 12V系統(tǒng)主開關(guān)：作為12V系統(tǒng)的主開關(guān)，能夠可靠地控制電路的通斷。

四、產(chǎn)品參數(shù)

（一）最大額定值

（二）電氣特性

1. 關(guān)斷特性：包括漏源擊穿電壓、漏源泄漏電流和柵源泄漏電流等參數(shù)。例如，在(I{D}=250μA)，(V{GS}=0V)時(shí)，漏源擊穿電壓為60V。
2. 導(dǎo)通特性：如柵源閾值電壓和漏源導(dǎo)通電阻。在(I{D}=80A)，(V{GS}=10V)，(T_{J}=25°C)時(shí)，漏源導(dǎo)通電阻為2.6mΩ。
3. 動(dòng)態(tài)特性：涵蓋輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容、柵極電阻和總柵極電荷等。例如，輸入電容(C{iss})在(V{DS}=30V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz)時(shí)為4950pF。
4. 開關(guān)特性：包括開通時(shí)間、開通延遲時(shí)間、上升時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、下降時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間等。如開通時(shí)間為105ns。
5. 漏源二極管特性：有源漏二極管電壓、反向恢復(fù)時(shí)間和反向恢復(fù)電荷等參數(shù)。例如，在(I{SD}=80A)，(V{GS}=0V)時(shí)，源漏二極管電壓為1.25V。

五、典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，這些曲線對(duì)于工程師理解器件在不同條件下的性能非常有幫助。

1. 功率耗散與殼溫關(guān)系：從圖1可以看出，隨著殼溫的升高，功率耗散會(huì)逐漸降低。
2. 最大連續(xù)漏極電流與殼溫關(guān)系：圖2顯示，在不同殼溫下，最大連續(xù)漏極電流會(huì)發(fā)生變化，工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮溫度對(duì)電流的影響。
3. 歸一化最大瞬態(tài)熱阻抗與脈沖持續(xù)時(shí)間關(guān)系：圖3反映了在不同脈沖持續(xù)時(shí)間和占空比下，熱阻抗的變化情況。
4. 峰值電流能力與脈沖持續(xù)時(shí)間關(guān)系：圖4展示了器件在不同脈沖持續(xù)時(shí)間下的峰值電流能力。

六、封裝與訂購信息

在實(shí)際設(shè)計(jì)中，電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮上述各項(xiàng)參數(shù)和特性，合理選擇和使用FDD86567 - F085 N - Channel PowerTrench? MOSFET。大家在使用過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。