FDBL0090N40 N溝道PowerTrench? MOSFET：性能剖析與應用指南

飛兆半導體（Fairchild）現(xiàn)已成為安森美半導體（ON Semiconductor）的一部分。在整合過程中，部分飛兆可訂購的零件編號需更改，以滿足安森美半導體的系統(tǒng)要求，例如將飛兆零件編號中的下劃線（_）改為破折號（-）。下面我們將詳細探討FDBL0090N40 N溝道PowerTrench? MOSFET的各項特性、參數(shù)及應用。

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產(chǎn)品概述

FDBL0090N40是一款N溝道PowerTrench? MOSFET，具備40V、240A、0.9mΩ的特性。典型值 (R{DS(on)}=0.65 ~m Omega)（(V{GS}=10 ~V) ，(I{D}=80 ~A) ），典型值 (Q{g(tot)}=144 nC)（(V{GS}=10 ~V) ，(I{D}=80 ~A) ），擁有UIS能力且符合RoHS標準。

應用領域

該MOSFET適用于多個工業(yè)領域，包括工業(yè)電機驅(qū)動器、工業(yè)電源、工業(yè)自動化、電動工具、電池保護、太陽能逆變器、UPS和能源逆變器、儲能以及負載開關等。這些應用場景對器件的性能和穩(wěn)定性有較高要求，F(xiàn)DBL0090N40憑借其出色的特性能夠滿足這些需求。

最大額定值

需要注意的是，電流受接合線配置限制；單脈沖雪崩能量測試條件為電感充電期間，起始 (T{J}=25^{circ} C) ，(L=0.36 mH) ，(I{AS}=64 ~A) ，(V{DD}=40 ~V) ；(R{theta JA}) 等于結至殼體和殼體至環(huán)境熱阻之和，其中殼體熱參考定義為漏極引腳的焊料安裝表面，(R{theta JC}) 具備設計保證，(R{theta JA}) 由電路板設計確定，此處的最大額定值基于安裝在2oz銅的 (1 in^2) 焊盤上。

電氣特性

關斷特性

• (B{V DSS})（漏極至源極擊穿電壓）：(I{D} = 250 μA)，(V_{GS} = 0 V) 時，最小值為40V。
• (I{DSS})（漏極至源極漏電流）：(V{DS} = 40 V)，(T{J} = 25 °C) ，(V{GS} = 0 V) 時為μA級；(T_{J} = 175 °C) 時最大值為1mA。
• (I{GSS})（柵極至源極漏電流）：(V{GS} = ±20 V) 時為±100 nA。

導通特性

• (V{GS(th)})（柵極至源極閥值電壓）：(V{GS} = V{DS})，(I{D} = 250 μA) 時，最小值為2.0V，典型值為3.3V，最大值為4.0V。
• (R{DS(on)})（漏極至源極導通電阻）：(I{D} = 80 A)，(V{GS}= 10 V) ，(T{J} = 25 °C) 時，典型值為0.65mΩ，最大值為0.90mΩ；(T_{J} = 175 °C) 時，典型值為1.10mΩ，最大值為1.50mΩ。

動態(tài)特性

• (C{iss})（輸入電容）：(V{DS} = 25 V)，(V_{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz) 時為12000 pF。
• (C_{oss})（輸出電容）：為3260 pF。
• (C_{rss})（反向傳輸電容）：為442 pF。
• (R_{g})（柵極阻抗）：(f = 1 MHz) 時為3.3 Ω。
• (Q{g(ToT)})（在10 V的柵極總電荷）：(V{GS} = 0) 至10 V，(V{DD} = 32 V)，(I{D} = 80 A) 時，典型值為144nC，最大值為188nC。
• (Q{g(th)})（閥值柵極電荷）：(V{GS} = 0) 至2 V時，典型值為22nC，最大值為26nC。
• (Q_{gs})（柵極至源極柵極電荷）：為66 nC。
• (Q_{gd})（柵極至漏極“ 米勒” 電荷）：為16 nC。

開關特性

在 (V{DD} = 20 V)，(I{D} = 80 A)，(V{GS} = 10 V)，(R{GEN} = 6 Ω) 的條件下：

• 導通時間為162 ns，導通延遲 (t{d(on)}) 為42 ns，上升時間 (t{r}) 為73 ns。
• 關斷延遲 (t{d(off)}) 為83 ns，下降時間 (t{f}) 為50 ns，關斷時間 (t_{off}) 為279 ns。

漏極 - 源極二極管特性

• (V{SD})（源極至漏極二極管電壓）：(I{SD} =80 A)，(V{GS} = 0 V) 時為1.25 V；(I{SD} = 40 A)，(V_{GS} = 0 V) 時為1.2 V。
• (t{rr})（反向恢復時間）：(I{F} = 80 A)，(dI{SD}/dt = 100 A/μs)，(V{DD} = 32 V) 時，典型值為111 ns，最大值為129 ns。
• (Q_{rr})（反向恢復電荷）：典型值為178 nC，最大值為214 nC。

典型特性

文檔中還給出了多個典型特性圖，包括標準化功耗與殼體溫度的關系、最大連續(xù)漏電流與殼體溫度的關系、標準化最大瞬態(tài)熱阻抗、峰值電流能力、正向偏壓安全工作區(qū)、非箝位感性開關性能、傳遞特性、正向二極管特性、飽和特性、(R{DS(on)}) 與柵極電壓的關系、標準化 (R{DS(on)}) 與結溫的關系、標準化柵極閥值電壓與溫度的關系、標準化漏極至源極擊穿電壓與結溫的關系、電容與漏極 - 源極電壓的關系以及柵極電荷與柵極 - 源極電壓的關系等。這些特性圖有助于工程師更直觀地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，在實際設計中具有重要的參考價值。

封裝標識與定購信息

器件標識為FDBL0090N40，采用MO - 299A封裝。同時，如需最新封裝圖紙，可訪問Fairchild網(wǎng)站：https://www.fairchildsemi.com/evaluate/packagespecifications/packageDetails.html?id=PN_PSOFA - 008 。

安森美半導體相關聲明

安森美半導體擁有多項專利、商標、版權、商業(yè)秘密和其他知識產(chǎn)權。該公司保留對產(chǎn)品進行更改而不另行通知的權利，不保證產(chǎn)品適用于任何特定用途，也不承擔因產(chǎn)品應用或使用而產(chǎn)生的任何責任。購買者需對使用安森美半導體產(chǎn)品的自身產(chǎn)品和應用負責，包括遵守所有法律法規(guī)和安全要求或標準。此外，安森美半導體產(chǎn)品不設計、不打算也未獲授權用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設備或類似分類的醫(yī)療設備以及用于人體植入的設備。

在實際設計中，電子工程師需要綜合考慮FDBL0090N40的各項特性和參數(shù)，結合具體的應用場景進行合理選擇和設計。大家在使用這款MOSFET時，有沒有遇到過一些特殊的問題或者有獨特的設計經(jīng)驗呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。