安森美FDS2672 N溝道MOSFET：高效性能與廣泛應用

在電子設計領域，MOSFET作為關鍵的半導體器件，其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們來深入了解安森美（onsemi）推出的FDS2672 N溝道MOSFET，探索它的特點、應用及電氣特性。

文件下載：FDS2672-D.pdf

一、產品概述

FDS2672是一款采用安森美先進UltraFET溝槽工藝生產的單N溝道MOSFET。該工藝經過特別優(yōu)化，在降低導通電阻的同時，還能保持出色的開關性能。這使得FDS2672在眾多應用場景中都能發(fā)揮出色的作用。

二、產品特點

低導通電阻

• 在(V{GS}=10V)，(I{D}=3.9A)的條件下，最大(r{DS(on)} = 70mΩ)；在(V{GS}=6V)，(I{D}=3.5A)時，最大(r{DS(on)} = 80mΩ)。低導通電阻意味著在導通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗更小，能有效提高電路效率。

  快速開關速度

  具備快速的開關速度，能夠滿足高速電路的需求，減少開關過程中的能量損耗。

  高性能溝槽技術

  采用高性能溝槽技術，實現(xiàn)極低的(R_{DS(on)})，進一步提升了器件的性能。

  環(huán)保特性

  該器件無鉛、無鹵，符合RoHS標準，滿足環(huán)保要求。

三、應用領域

FDS2672適用于DC - DC轉換等應用場景。在DC - DC轉換電路中，其低導通電阻和快速開關速度能夠有效提高轉換效率，減少能量損耗。

四、絕對最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

五、熱特性

其中，(R{theta JA})是結到殼和殼到環(huán)境熱阻之和，(R{theta JC})由設計保證，而(R_{theta CA})則由用戶的電路板設計決定。

六、電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓(B{V DSS})：在(I{D}=250μA)，(V_{GS}=0V)的條件下，最小值為200V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)：在(I_{D}=250μA)，參考25°C時，為206mV/°C。
• 零柵壓漏電流(I{DSS})：在(V{DS}=200V)，(V{GS}=0V)時，最大值為10μA，在(V{DS}=200V)，(V{GS}=0V)，(T{J}=55°C)時，最大值為100nA。
• 柵源泄漏電流(I{GSSF})：在(V{GS}=±20V)時，最大值為±100nA。

導通特性

• 柵源閾值電壓(V{GS(th)})：在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250μA)時，典型值為4V。
• 導通電阻(r{DS(on)})：在不同條件下具有不同的值，如在(V{DS}=10V)，(I_{D}=3.9A)時，最小值為58mΩ，最大值為148mΩ。

動態(tài)特性

在(V{DS}=100V)，(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)的條件下，有相應的電容值等動態(tài)參數(shù)。

開關特性

• 開通延遲時間、上升時間、下降時間等參數(shù)在特定測試條件下有明確的值，這些參數(shù)反映了MOSFET的開關速度。
• 總柵電荷(Q{g(TOT)})：在(V{DS}=100V)，(I_{D}=3.9A)時，典型值為46nC。

漏源二極管特性

• 源漏二極管電壓：在(V{GS}=0V)，(I{S}=3.9A)時，有相應的值。
• 反向恢復時間：在(I{F}=3.9A)，(d{if}/d_{t}=100A/μs)時，典型值為67ns，最大值為101ns。

七、典型特性

文檔中給出了多個典型特性曲線，包括導通區(qū)域特性、歸一化導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系、歸一化導通電阻與結溫的關系、導通電阻與柵源電壓的關系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關系、柵電荷特性、電容與漏源電壓的關系、非鉗位電感開關能力、環(huán)境連續(xù)漏極電流與殼溫的關系、正向偏置安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解FDS2672在不同條件下的性能表現(xiàn)。

八、總結

安森美FDS2672 N溝道MOSFET憑借其低導通電阻、快速開關速度、高性能溝槽技術和環(huán)保特性，在DC - DC轉換等應用中具有顯著優(yōu)勢。工程師在設計電路時，可以根據(jù)其電氣特性和典型特性曲線，合理選擇和使用該器件，以實現(xiàn)電路的高效穩(wěn)定運行。在實際應用中，你是否遇到過MOSFET選擇和使用的難題呢？又有哪些經驗可以分享呢？歡迎留言交流。