Onsemi單P溝道MOSFET BSS84L系列產(chǎn)品解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天我們就來(lái)深入了解Onsemi推出的單P溝道MOSFET——BSS84L、BVSS84L和SBSS84L系列產(chǎn)品。

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產(chǎn)品概述

BSS84L、BVSS84L和SBSS84L采用SOT - 23表面貼裝封裝，這種封裝形式能夠有效節(jié)省電路板空間，非常適合對(duì)空間要求較高的設(shè)計(jì)。其中，BV前綴的產(chǎn)品適用于汽車及其他有獨(dú)特場(chǎng)地和控制變更要求的應(yīng)用，并且通過(guò)了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力。同時(shí)，這些器件為無(wú)鉛產(chǎn)品，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品特性

1. 最大額定值

在正常工作條件下（$T_{J}=25^{circ}C$），該系列產(chǎn)品的一些關(guān)鍵最大額定值如下：

• 漏源電壓（$V_{DSS}$）： - 50 Vdc，這決定了器件能夠承受的最大電壓，在設(shè)計(jì)電路時(shí)需要確保實(shí)際工作電壓不超過(guò)該值，否則可能會(huì)對(duì)器件造成損壞。
• 熱阻方面，結(jié)到環(huán)境的熱阻（$R_{theta JA}$）為556（單位未明確給出），它反映了器件散熱的能力，熱阻越小，散熱性能越好。

2. 電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓（$V{(BR)DSS}$）：在$V{GS} = 0 Vdc$，$I_{D} = - 250 mu Adc$的條件下，最小值為 - 50 Vdc，這是保證器件正常關(guān)斷的重要參數(shù)。
• 零柵壓漏電流（$I{DSS}$）：在不同的$V{DS}$和溫度條件下有不同的值，如$V{DS} = - 25 Vdc$，$V{GS} = 0 Vdc$時(shí)為 - 0.1 $mu$Adc；$V{DS} = - 50 Vdc$，$V{GS} = 0 Vdc$，$T_{J} = 125^{circ}C$時(shí)為 - 60 $mu$Adc。這個(gè)參數(shù)反映了器件在關(guān)斷狀態(tài)下的漏電流大小，漏電流越小，說(shuō)明器件的關(guān)斷性能越好。
• 柵體泄漏電流（$I{GSS}$）：在$V{GS} = ± 20 Vdc$，$V_{DS} = 0 Vdc$的條件下為 ± 10 nAdc，它體現(xiàn)了柵極與體之間的泄漏情況。

導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓（$V{GS(th)}$）：在$V{DS} = V{GS}$，$I{D} = - 250 mu A$的條件下，范圍為 - 0.9 到 - 2.0 Vdc，這是器件開(kāi)始導(dǎo)通的臨界電壓。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（$R{DS(on)}$）：在$V{GS} = - 5.0 Vdc$，$I_{D} = - 100 mAdc$的條件下，典型值為4.7 $Omega$，最大值為10 $Omega$。導(dǎo)通電阻越小，器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗就越小。
• 轉(zhuǎn)移導(dǎo)納（$|y{fs}|$）：在$V{DS} = - 25 Vdc$，$I_{D} = - 100 mAdc$，$f = 1.0 kHz$的條件下為50 mS，它反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容（$C{iss}$）：在$V{DS} = 5.0 Vdc$時(shí)為36 pF，輸出電容（$C{oss}$）為17 pF，轉(zhuǎn)移電容（$C{rss}$）在$V_{DG} = 5.0 Vdc$時(shí)為6.5 pF。這些電容參數(shù)會(huì)影響器件的開(kāi)關(guān)速度和動(dòng)態(tài)性能。

開(kāi)關(guān)特性

以$R{L}=50 Omega$，$V{DD}=-40 Vdc$，$I{D}=-0.5 ~A$，$V{GS} = - 10V$為例，開(kāi)啟延遲時(shí)間為3.6（單位未明確），關(guān)斷延遲時(shí)間為2.2（單位未明確）。開(kāi)關(guān)特性對(duì)于需要快速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用非常重要，如開(kāi)關(guān)電源等。

源漏二極管特性

• 連續(xù)電流（$I{S}$）：為 - 0.130 A，脈沖電流（$I{SM}$）為 - 0.520 A。
• 正向電壓（$V{SD}$）：在$V{GS} = 0 V$，$I_{S} = - 130 mA$的條件下為 - 2.2 V。

封裝與尺寸

這些尺寸信息對(duì)于電路板的布局設(shè)計(jì)非常關(guān)鍵，工程師需要根據(jù)這些尺寸來(lái)規(guī)劃器件的安裝位置和布線。

訂購(gòu)信息

在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)項(xiàng)目的需求選擇合適的器件和包裝形式。同時(shí)，要注意產(chǎn)品的性能可能會(huì)在不同的工作條件下有所變化，因此在使用前需要對(duì)相關(guān)參數(shù)進(jìn)行驗(yàn)證。大家在使用這些器件時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)一些特殊的問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。