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深入解析 onsemi FGY120T65SPD:高功率 IGBT 的卓越之選

lhl545545 ? 2026-04-22 15:00 ? 次閱讀
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深入解析 onsemi FGY120T65SPD:高功率 IGBT 的卓越之選

電子工程師的世界里,選擇合適的功率器件對(duì)于設(shè)計(jì)的成功至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 FGY120T65SPD,這是一款 120A、650V 的場(chǎng)截止溝槽 IGBT,搭配軟快速恢復(fù)二極管,為各種應(yīng)用帶來(lái)了高效、可靠的解決方案。

文件下載:FGY120T65SPD-D.PDF

產(chǎn)品概述

FGY120T65SPD 專為高效運(yùn)行而設(shè)計(jì),具有極低的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)具備出色的瞬態(tài)可靠性和低電磁干擾(EMI)特性。此外,它在并聯(lián)運(yùn)行時(shí)表現(xiàn)出色,能夠?qū)崿F(xiàn)平衡的電流共享。

產(chǎn)品特性

電氣特性

  • 極低飽和電壓:在 (I{C}=120A) 時(shí),典型飽和電壓 (V{CE(Sat)} = 1.6V),有助于降低功耗,提高效率。
  • 高結(jié)溫能力:最大結(jié)溫 (T_{J}=175^{circ}C),能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。
  • 正溫度系數(shù):便于并聯(lián)操作,確保多個(gè)器件在并聯(lián)時(shí)能夠均勻分擔(dān)電流。
  • 緊密的參數(shù)分布:保證了器件之間的一致性,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
  • 高輸入阻抗:減少了驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)擔(dān)。
  • 100% (I_{LM}) 測(cè)試:確保每個(gè)器件都符合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。
  • 短路魯棒性:能夠在短路情況下保護(hù)自身,提高系統(tǒng)的可靠性。
  • 軟快速恢復(fù)二極管:與 IGBT 共封裝,提供了更好的開(kāi)關(guān)性能。

最大額定值

額定參數(shù) 符號(hào) 單位
集電極 - 發(fā)射極電壓 (V_{CES}) 650 V
柵極 - 發(fā)射極電壓(瞬態(tài)) (V_{GES}) ±30 V
集電極電流((T_{C}=25^{circ}C)) (I_{C}) 120 A
集電極電流((T_{C}=100^{circ}C)) (I_{C}) 120 A
脈沖集電極電流 (I_{LM}) 360 A
二極管正向電流((T_{C}=25^{circ}C)) (I_{F}) 160/120 A
最大功耗((T_{C}=100^{circ}C)) (P_{D}) 714/357 W
短路耐受時(shí)間((T_{C}=25^{circ}C)) (SCWT) 6 μs
電壓瞬態(tài)魯棒性 (dV/dt) - -
工作結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度范圍 - -55 至 +175 °C

熱特性

  • IGBT 結(jié) - 殼熱阻:(R_{JC}=0.21^{circ}C/W)
  • 二極管結(jié) - 殼熱阻:(R_{JC}=0.32^{circ}C/W)
  • 結(jié) - 環(huán)境熱阻:(R_{JA}=40^{circ}C/W)

電氣特性

關(guān)斷特性

  • 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓:(BVCES = 650V)((V{GE}=0V),(I{C}=1mA))
  • 擊穿電壓溫度系數(shù):(-0.6V/^{circ}C)
  • 集電極 - 發(fā)射極截止電流:最大 (40μA)((V{GE}=0V),(V{CE}=650V))
  • 柵極泄漏電流:最大 ±250nA((V{GE}=20V),(V{CE}=0V))

導(dǎo)通特性

  • 柵極 - 發(fā)射極閾值電壓:(V{GE(th)} = 4.3 - 6.3V)((V{GE}=V{CE}),(I{C}=120mA))
  • 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓:典型 (1.6V)((V{GE}=15V),(I{C}=120A));(2.15V)((V{GE}=15V),(I{C}=120A),(T_{J}=175^{circ}C))

動(dòng)態(tài)特性

  • 輸入電容:(C{ies}=4930pF)((V{CE}=30V),(V_{GE}=0V),(f = 1MHz))
  • 輸出電容:(C_{oes}=375pF)
  • 反向傳輸電容:(C_{res}=42pF)
  • 內(nèi)部柵極電阻:(R_{G}=3Ω)((f = 1MHz))
  • 總柵極電荷:(Q{g}=125 - 187nC)((V{CE}=400V),(I{C}=120A),(V{GE}=15V))

開(kāi)關(guān)特性(感性負(fù)載)

溫度 導(dǎo)通延遲時(shí)間 (t_{d(on)}) 上升時(shí)間 (t_{r}) 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t_{d(off)}) 下降時(shí)間 (t_{f}) 導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗 (E_{on}) 關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗 (E_{off}) 總開(kāi)關(guān)損耗 (E_{ts})
(25^{circ}C) 40ns 104ns 80ns 116ns 6.6mJ 3.8mJ 10.4mJ
(175^{circ}C) 36ns 112ns 92ns 160ns 10.5mJ 4.9mJ 15.4mJ

典型應(yīng)用

封裝信息

FGY120T65SPD 采用 TO - 247 - 3LD 封裝,每管 30 個(gè)器件。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線,包括輸出特性、飽和電壓、電容特性、開(kāi)關(guān)特性等,這些曲線對(duì)于工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中評(píng)估器件性能非常有幫助。例如,通過(guò)飽和電壓與溫度的關(guān)系曲線,工程師可以了解器件在不同溫度下的性能變化,從而進(jìn)行合理的熱設(shè)計(jì)。

總結(jié)

FGY120T65SPD 是一款性能卓越的高功率 IGBT,具有低損耗、高可靠性和出色的并聯(lián)性能等優(yōu)點(diǎn)。在設(shè)計(jì)高功率電子系統(tǒng)時(shí),它是一個(gè)值得考慮的選擇。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,工程師還需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)要求和工作條件,對(duì)器件的各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行仔細(xì)評(píng)估和驗(yàn)證,以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。你在使用類似 IGBT 器件時(shí),是否也遇到過(guò)一些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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