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FGY100T120RWD IGBT:高效能電力開關(guān)的理想之選

lhl545545 ? 2026-04-22 15:05 ? 次閱讀
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FGY100T120RWD IGBT:高效能電力開關(guān)的理想之選

引言

在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種重要的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、UPS、數(shù)據(jù)中心等眾多領(lǐng)域。今天,我們就來深入了解一款性能卓越的IGBT產(chǎn)品——FGY100T120RWD。

文件下載:FGY100T120RWD-D.PDF

產(chǎn)品概述

FGY100T120RWD采用了新穎的場(chǎng)截止第7代IGBT技術(shù)和Gen7二極管,封裝形式為TO247 - 3L。這種組合使得該產(chǎn)品在各種應(yīng)用中都能實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行,具備低傳導(dǎo)損耗和良好的開關(guān)可控性。

產(chǎn)品特性

低損耗與優(yōu)化開關(guān)

FGY100T120RWD具有低傳導(dǎo)損耗,能夠有效降低能量損耗,提高系統(tǒng)效率。同時(shí),其優(yōu)化的開關(guān)特性使得開關(guān)過程更加穩(wěn)定和高效。

高結(jié)溫能力

該產(chǎn)品的最大結(jié)溫可達(dá)175°C,這意味著它能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適應(yīng)各種惡劣的工作條件。

正溫度系數(shù)

正溫度系數(shù)特性使得多個(gè)FGY100T120RWD器件可以輕松并聯(lián)運(yùn)行,提高系統(tǒng)的功率處理能力。

高電流能力

具備高電流能力,能夠滿足高功率應(yīng)用的需求。

動(dòng)態(tài)測(cè)試與短路額定

所有產(chǎn)品都經(jīng)過100%動(dòng)態(tài)測(cè)試,并且具有短路額定能力,提高了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

RoHS合規(guī)

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保性能良好。

應(yīng)用領(lǐng)域

電機(jī)控制

在電機(jī)控制領(lǐng)域,F(xiàn)GY100T120RWD的低損耗和良好的開關(guān)特性能夠提高電機(jī)的運(yùn)行效率和控制精度。

UPS

對(duì)于UPS系統(tǒng),該產(chǎn)品的高可靠性和高電流能力能夠確保系統(tǒng)在緊急情況下穩(wěn)定供電。

高功率開關(guān)應(yīng)用

適用于各種需要高功率開關(guān)的通用應(yīng)用場(chǎng)景。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

參數(shù) 符號(hào) 單位
集電極 - 發(fā)射極電壓 VCES 1200 V
柵極 - 發(fā)射極電壓 VGES ±20 V
瞬態(tài)柵極 - 發(fā)射極電壓 ±30 V
集電極電流(TC = 25°C) IC 200 A
集電極電流(TC = 100°C) 100 A
功率耗散(TC = 25°C) PD 1071 W
功率耗散(TC = 100°C) 535 W
脈沖集電極電流(TC = 25°C, tp = 10 s) ICM 300 A
二極管正向電流(TC = 25°C) IF 200 A
二極管正向電流(TC = 100°C) 100 A
脈沖二極管正向電流(TC = 25°C, tp = 10 s) IFM 300 A
短路耐受時(shí)間(VGE = 15 V, VCC = 600 V, TC = 150°C) TSC 5 s
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍 TJ, TSTG -55 to 175 °C
焊接用引腳溫度 TL 260 °C

電氣特性

IGBT電氣特性

參數(shù) 符號(hào) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 BVCES VGE = 0 V, IC = 5 mA 1200 - - V
擊穿電壓溫度系數(shù) BVCES / TJ VGE = 0 V, IC = 5 mA - 1221 - mV/°C
集電極 - 發(fā)射極截止電流 ICES VGE = 0 V, VCE = VCES - - 40 μA
柵極 - 發(fā)射極泄漏電流 IGES VGE = 20 V, VCE = 0 V - - ±400 nA
柵極 - 發(fā)射極閾值電壓 VGE(TH) VGE = VCE, IC = 100 mA 4.9 5.92 6.7 V
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(TJ = 25°C) VCE(SAT) VGE = 15 V, IC = 100 A 1.15 1.43 1.75 V
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(TJ = 175°C) VGE = 15 V, IC = 100 A - 1.66 - V
輸入電容 CIES VCE = 30 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz - 12200 - pF
輸出電容 COES - 392 - pF
反向傳輸電容 CRES - 44.2 - pF
總柵極電荷 QG VCE = 600 V, VGE = 15 V, IC = 100 A - 427 - nC
柵極到發(fā)射極電荷 QGE - 108 - nC
柵極到集電極電荷 QGC - 161 - nC
開通延遲時(shí)間(IC = 50 A, TJ = 25°C) td(on) VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7 - 74 - ns
關(guān)斷延遲時(shí)間(IC = 50 A, TJ = 25°C) td(off) - 464 - ns
上升時(shí)間(IC = 50 A, TJ = 25°C) tr - 45 - ns
下降時(shí)間(IC = 50 A, TJ = 25°C) tf - 196 - ns
開通開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 25°C) Eon - 3.43 - mJ
關(guān)斷開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 25°C) Eoff - 4.54 - mJ
總開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 25°C) Ets - 7.97 - mJ
開通延遲時(shí)間(IC = 100 A, TJ = 25°C) td(on) VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7 - 80 - ns
關(guān)斷延遲時(shí)間(IC = 100 A, TJ = 25°C) td(off) - 364 - ns
上升時(shí)間(IC = 100 A, TJ = 25°C) tr - 85 - ns
下降時(shí)間(IC = 100 A, TJ = 25°C) tf - 180 - ns
開通開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 25°C) Eon - 8.13 - mJ
關(guān)斷開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 25°C) Eoff - 7.05 - mJ
總開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 25°C) Ets - 15.18 - mJ
開通延遲時(shí)間(IC = 50 A, TJ = 175°C) td(on) VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7 - 70 - ns
關(guān)斷延遲時(shí)間(IC = 50 A, TJ = 175°C) td(off) - 536 - ns
上升時(shí)間(IC = 50 A, TJ = 175°C) tr - 50 - ns
下降時(shí)間(IC = 50 A, TJ = 175°C) tf - 348 - ns
開通開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 175°C) Eon - 5.58 - mJ
關(guān)斷開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 175°C) Eoff - 6.83 - mJ
總開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 175°C) Ets - 12.41 - mJ
開通延遲時(shí)間(IC = 100 A, TJ = 175°C) td(on) VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7 - 78 - ns
關(guān)斷延遲時(shí)間(IC = 100 A, TJ = 175°C) td(off) - 412 - ns
上升時(shí)間(IC = 100 A, TJ = 175°C) tr - 93 - ns
下降時(shí)間(IC = 100 A, TJ = 175°C) tf - 316 - ns
開通開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 175°C) Eon - 12.00 - mJ
關(guān)斷開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 175°C) Eoff - 10.30 - mJ
總開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 175°C) Ets - 22.30 - mJ

二極管特性

參數(shù) 符號(hào) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
二極管正向電壓(TJ = 25°C) VF IF = 100 A 1.46 1.80 2.08 V
二極管正向電壓(TJ = 175°C) IF = 100 A - 1.90 - V
反向恢復(fù)時(shí)間(IF = 50 A, TJ = 25°C) trr VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs - 256 - ns
反向恢復(fù)電荷(IF = 50 A, TJ = 25°C) Qrr - 3140 - nC
反向恢復(fù)能量(IF = 50 A, TJ = 25°C) Erec - 1 - mJ
峰值反向恢復(fù)電流(IF = 50 A, TJ = 25°C) IRRM - 24.5 - A
反向恢復(fù)時(shí)間(IF = 100 A, TJ = 25°C) trr VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs - 347 - ns
反向恢復(fù)電荷(IF = 100 A, TJ = 25°C) Qrr - 4408 - nC
反向恢復(fù)能量(IF = 100 A, TJ = 25°C) Erec - 2 - mJ
峰值反向恢復(fù)電流(IF = 100 A, TJ = 25°C) IRRM - 25.8 - A
反向恢復(fù)時(shí)間(IF = 50 A, TJ = 175°C) trr VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs - 424 - ns
反向恢復(fù)電荷(IF = 50 A, TJ = 175°C) Qrr - 8610 - nC
反向恢復(fù)能量(IF = 50 A, TJ = 175°C) Erec - 4 - mJ
峰值反向恢復(fù)電流(IF = 50 A, TJ = 175°C) IRRM - 40.8 - A
反向恢復(fù)時(shí)間(IF = 100 A, TJ = 175°C) trr VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs - 572 - ns
反向恢復(fù)電荷(IF = 100 A, TJ = 175°C) Qrr - 12476 - nC
反向恢復(fù)能量(IF = 100 A, TJ = 175°C) Erec - 5 - mJ
峰值反向恢復(fù)電流(IF = 100 A, TJ = 175°C) IRRM - 43.6 - A

典型特性

文檔中還給出了一系列典型特性曲線,包括輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、飽和電壓特性、電容特性、柵極電荷特性、安全工作區(qū)特性等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解FGY100T120RWD在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

機(jī)械封裝

該產(chǎn)品采用TO - 247 - 3LD封裝,文檔中詳細(xì)給出了封裝的尺寸信息。同時(shí),需要注意的是,該封裝不遵循任何標(biāo)準(zhǔn),所有尺寸單位為毫米,且尺寸不包括毛刺、模具飛邊和連接條突出部分。

總結(jié)

FGY100T120RWD IGBT憑借其低損耗、高結(jié)溫、高電流能力等優(yōu)秀特性,在電機(jī)控制、UPS等眾多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。電子工程師設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí),可以根據(jù)其詳細(xì)的參數(shù)和特性,合理選擇和使用該產(chǎn)品,以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運(yùn)行。大家在實(shí)際應(yīng)用中,是否遇到過類似IGBT產(chǎn)品的選型和使用問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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