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探索NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2:APM16系列H橋模塊的卓越性能

lhl545545 ? 2026-04-24 11:10 ? 次閱讀
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探索NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2:APM16系列H橋模塊的卓越性能

在電動(dòng)汽車(chē)(EV)和插電式混合動(dòng)力汽車(chē)(PHEV)的車(chē)載充電器(OBC)領(lǐng)域,NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2這兩款來(lái)自APM16系列的H橋模塊正嶄露頭角。下面,我們就來(lái)深入了解一下它們的特點(diǎn)、應(yīng)用、電氣特性等方面的內(nèi)容。

文件下載:NXV65HR51DZ1-D.PDF

產(chǎn)品特點(diǎn)

封裝與隔離優(yōu)勢(shì)

這兩款模塊采用SIP或DIP封裝,適用于EV或PHEV的OBC。其5 kV/1 sec電氣隔離基板,不僅符合IEC60664 - 1和IEC 60950 - 1標(biāo)準(zhǔn),還能輕松滿(mǎn)足爬電距離和電氣間隙要求,在組裝時(shí)提供了極大的便利。

緊湊設(shè)計(jì)與可追溯性

緊湊的設(shè)計(jì)使得模塊的總電阻較低,有助于提高效率。同時(shí),模塊支持序列化,可實(shí)現(xiàn)全追溯,方便質(zhì)量管控和故障排查。

環(huán)保與資質(zhì)認(rèn)證

產(chǎn)品符合Pb - Free、RoHS和UL94V - 0標(biāo)準(zhǔn),并且通過(guò)了AEC Q101和AQG324汽車(chē)級(jí)認(rèn)證,具備高可靠性和安全性,可放心應(yīng)用于汽車(chē)環(huán)境。

應(yīng)用領(lǐng)域

NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2主要應(yīng)用于EV或PHEV的車(chē)載充電器中的DC - DC轉(zhuǎn)換器。它們能夠助力設(shè)計(jì)出小型、高效且可靠的系統(tǒng),從而降低車(chē)輛的燃油消耗和(CO_{2})排放。此外,簡(jiǎn)化的組裝過(guò)程、優(yōu)化的布局、高度集成以及出色的熱性能,也是該模塊在應(yīng)用中的顯著優(yōu)勢(shì)。

訂購(gòu)信息

型號(hào) 封裝 引腳成型 內(nèi)部緩沖電容 DBC材料 無(wú)鉛和RoHS合規(guī) 工作溫度范圍 包裝方式
NXV65HR51DZ1 APM16 - CAA Y形 無(wú) (Al{2}O{3}) -40 °C ~ 125 °C 管裝
NXV65HR51DZ2 APM16 - CAB L形 無(wú) (Al{2}O{3}) -40 °C ~ 125 °C 管裝

引腳配置與描述

該模塊共有16個(gè)引腳,每個(gè)引腳都有其特定的功能: 引腳編號(hào) 引腳名稱(chēng) 引腳描述
1, 2 AC1 H橋的第一相支路
3 Q1 Sense Q1的源極感應(yīng)
4 Q1 Gate Q1的柵極端子
5, 6 B+ 正電池端子
7, 8 B? 負(fù)電池端子
9 Q2 Sense Q2的源極感應(yīng)
10 Q2 Gate Q2的柵極端子
11 Q4 Sense Q4的源極感應(yīng)
12 Q4 Gate Q4的柵極端子
13 Q3 Sense Q3的源極感應(yīng)
14 Q3 Gate Q3的柵極端子
15, 16 AC2 H橋的第二相支路

電氣特性

絕對(duì)最大額定值

在(T_{J}=25^{circ}C)(除非另有說(shuō)明)的條件下,模塊的各項(xiàng)絕對(duì)最大額定值如下: 符號(hào) 參數(shù) 最大值 單位
(V_{DS}(Q1~Q4)) 漏源電壓 650 V
(V_{GS}(Q1~Q4)) 柵源電壓 ± 20 V
(I_{D}(Q1~Q4)) 連續(xù)漏極電流((T{C}=25^{circ}C),(V{GS}=10V)) 33 A
(I_{D}(Q1~Q4)) 連續(xù)漏極電流((T{C}=100^{circ}C),(V{GS}=10V)) 21 A
(E_{AS}(Q1~Q4)) 單脈沖雪崩能量 623 mJ
(P_{D}) 功率耗散 135 W
(T_{J}) 最大結(jié)溫 -55 to +150 °C
(T_{C}) 最大殼溫 -40 to +125 °C
(T_{STG}) 存儲(chǔ)溫度 -40 to +125 °C

電氣規(guī)格

在(T_{J}=25^{circ}C)(除非另有說(shuō)明)的條件下,模塊的電氣規(guī)格如下: 符號(hào) 參數(shù) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
(BVDSS) 漏源擊穿電壓 (I{D}=1 mA),(V{GS}=0 V) 650 V
(VGS(th)) 柵源閾值電壓 (VGS = VDS),(I_{D}=3.3 mA) 3.0 5.0 V
(RDS(ON)) Q1 - Q4 MOSFET導(dǎo)通電阻 (V{GS}=10 V),(I{D}=20 A) 44 51
(RDS(ON)) Q1 - Q4 MOSFET導(dǎo)通電阻 (V{GS}=10 V),(I{D}=20 A),(T_{J}=125^{circ}C) 79
正向跨導(dǎo) (V{DS}=20 V),(I{D}=20 A) 30 S
(IGSS) 柵源泄漏電流 (V{GS}= pm 20 V),(V{DS}=0 V) -100 +100 nA
(loss) 漏源泄漏電流 (V{DS}=650 V),(V{GS}=0 V) 10 μA

動(dòng)態(tài)特性

符號(hào) 參數(shù) 條件 典型值 單位
(Ciss) 輸入電容 (V{DS}=400 V),(V{GS}=0V),(f = 1 MHz) 4864 pF
(Coss) 輸出電容 pF
(Crss) 反饋電容 16 pF
(Coss(eff)) 有效輸出電容 (V_{GS}=0V)
(Rg) 柵極電阻 (f = 1 MHz) 2 Ω
(Qg(tot)) 總柵極電荷 (V_{DS}=380 V) 123 nC
(Qgs) 柵源柵極電荷 (I{D}=20 A),(V{GS}=0 to 10V) 37.5 nC
(Qgd) 柵漏“米勒”電荷 49 nC

開(kāi)關(guān)特性

符號(hào) 參數(shù) 條件 典型值 單位
(ton) 導(dǎo)通時(shí)間 (V_{DS}=400 V) 87 ns
(td(on)) 導(dǎo)通延遲時(shí)間 (I_{D}=20 A) 47 ns
(tr) 導(dǎo)通上升時(shí)間 43 ns
(toff) 關(guān)斷時(shí)間 ns
(td(off)) 關(guān)斷延遲時(shí)間 118 ns
(tf) 關(guān)斷下降時(shí)間 ns

二極管特性

符號(hào) 參數(shù) 條件 典型值 單位
(VSD) 源漏二極管電壓 (delta{SD}=20 A),(delta{GS}=0 V) 0.95 V
(T) 反向恢復(fù)時(shí)間 (V{DS}=520 V),(I{D}=20 A) 133 ns
(Qm) 反向恢復(fù)電荷 (d{1} / d{t}=100 A / μs) 669 nC

熱阻與隔離特性

熱阻

參數(shù) 最小值 典型值 最大值 單位
(R_{theta JC})(每芯片) - 0.66 0.92 °C/W
(R_{theta JS})(每芯片) - 1.2 - °C/W

隔離特性

在(V_{AC}=5 kV),60 Hz的測(cè)試條件下,模塊的隔離電阻大于100MΩ。

典型特性

文檔中還給出了一系列典型特性曲線(xiàn),包括歸一化功率耗散與殼溫的關(guān)系、最大連續(xù)(I_{D})與殼溫的關(guān)系、傳輸特性、正向二極管特性等。這些曲線(xiàn)有助于工程師更好地了解模塊在不同條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行更合理的設(shè)計(jì)。

總結(jié)

NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2模塊憑借其出色的特點(diǎn)、廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域以及優(yōu)秀的電氣和熱性能,為EV和PHEV的車(chē)載充電器設(shè)計(jì)提供了可靠的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們可以根據(jù)具體需求,參考這些特性和參數(shù),進(jìn)行合理的選型和設(shè)計(jì)。大家在使用過(guò)程中,有沒(méi)有遇到過(guò)類(lèi)似模塊的其他問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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