FSB50250AS Motion SPM? 5 系列模塊:高性能逆變器的理想之選
在電子工程師的日常工作中,選擇合適的模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能的逆變器輸出是一項(xiàng)關(guān)鍵任務(wù)。今天,我們就來(lái)深入了解一下 FSB50250AS Motion SPM? 5 系列模塊,看看它有哪些出色的特性和應(yīng)用。
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模塊概述
FSB50250AS 是一款先進(jìn)的 Motion SPM? 5 模塊,專為交流感應(yīng)、無(wú)刷直流電機(jī)和 PMSM 電機(jī)提供全面的高性能逆變器輸出平臺(tái)。它綜合優(yōu)化了內(nèi)置 MOSFETs(FRFET? 技術(shù))的柵極驅(qū)動(dòng),能夠最小化電磁干擾和能量損耗。同時(shí),該模塊還具備多重模組保護(hù)特性,集成了欠壓閉鎖和熱量監(jiān)測(cè)功能。內(nèi)置的高速 HVIC 只需一個(gè)單電源電壓,就能將邏輯電平柵極輸入轉(zhuǎn)化為適合驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)部 MOSFET 的高電壓、高電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)。此外,獨(dú)立的開源 MOSFET 端子在每個(gè)相位均有效,可支持大量不同種類的控制算法。
特性亮點(diǎn)
認(rèn)證與標(biāo)準(zhǔn)
- 通過(guò) UL 第 E209204 號(hào)認(rèn)證 (UL1557),確保了產(chǎn)品的安全性和可靠性。
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
電氣性能
- 500 V (R_{DS(on)}=3.8 Omega)(最大值)的 FRFET MOSFET 三相逆變器,帶有柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能。
- 內(nèi)置自舉二極管,簡(jiǎn)化了印刷電路板布局。
- 低端 MOSFET 的三個(gè)獨(dú)立開源引腳,可用于三相電流感測(cè)。
接口與邏輯
- 高電平有效接口,可用于 3.3 / 5 V 邏輯電平,施密特觸發(fā)脈沖輸入。
- 針對(duì)低電磁干擾進(jìn)行優(yōu)化,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
溫度與絕緣
- 內(nèi)置于 HVIC 的溫度感測(cè)功能,可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)模塊溫度。
- 用于柵極驅(qū)動(dòng)和欠壓保護(hù)的 HVIC 絕緣等級(jí)為 (1500 V) /分鐘,濕度敏感等級(jí) (MSL) 3。
絕對(duì)最大額定值
逆變器部分
| 符號(hào) | 參數(shù) | 工作條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| V DSS | 單個(gè) MOSFET 的漏極 - 源極電壓 | 500 | V | |
| *I D 25 | 單個(gè) MOSFET 的漏極持續(xù)電流 | T C = 25°C | 1.2 | A |
| *I D 80 | 單個(gè) MOSFET 的漏極持續(xù)電流 | T C = 80°C | 0.9 | A |
| *I DP | 單個(gè) MOSFET 的漏極峰值電流 | T C = 25°C, PW < 100 μs | 3.1 | A |
| *I DRMS | 單個(gè) MOSFET 的漏極電流有效值 | T C = 80°C, F PWM < 20 kHz | 0.6 | A rms |
| *P D | 最大功耗 | T C = 25°C, 單個(gè) MOSFET | 13.4 | W |
控制部分
| 符號(hào) | 參數(shù) | 工作條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| V CC | 控制電源電壓 | 施加在 V CC 和 COM 之間 | 20 | V |
| V BS | 高端偏壓 | 施加在 V B 和 V S 之間 | 20 | V |
| V IN | 輸入信號(hào)電壓 | 施加在 V IN 和 COM 之間 | -0.3 ~ V CC + 0.3 | V |
自舉二極管部分
| 符號(hào) | 參數(shù) | 工作條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| V RRMB | 最大重復(fù)反向電壓 | 500 | V | |
| * I FB | 正向電流 | T C = 25°C | 0.5 | A |
| * I FPB | 正向電流(峰值) | T C = 25°C , 脈沖寬度小于 1 ms | 1.5 | A |
熱阻與系統(tǒng)參數(shù)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 工作條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| R θJC | 結(jié)點(diǎn) - 殼體的熱阻 | 逆變器工作條件下的單個(gè) MOSFET (注 1 ) | 9.3 | °C/W |
| T J | 工作結(jié)溫 | -40 ~ 150 | °C | |
| T STG | 存儲(chǔ)溫度 | -40 ~ 125 | °C | |
| V ISO | 絕緣電壓 | 60 Hz ,正弦波形, 1 分鐘,連接陶瓷基板到引腳 | 1500 | V rms |
注:1. 關(guān)于殼體溫度(TC)的測(cè)量點(diǎn),參見(jiàn)圖 4。2. 標(biāo)記為 “ * “ 的為計(jì)算值或設(shè)計(jì)因素。
引腳描述
| 引腳號(hào) | 引腳名 | 引腳描述 |
|---|---|---|
| 1 | COM | IC 公共電源接地 |
| 2 | V B(U) | U 相高端 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的偏壓 |
| 3 | V CC(U) | U 相 IC 和低端 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的偏壓 |
| 4 | IN (UH) | U 相高端的信號(hào)輸入 |
| 5 | IN (UL) | U 相低端的信號(hào)輸入 |
| 6 | N.C | 無(wú)連接 |
| 7 | V B(V) | V 相高端 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的偏壓 |
| 8 | V CC(V) | V 相 IC 和 低端 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的偏壓 |
| 9 | IN (VH) | V 相高端的信號(hào)輸入 |
| 10 | IN (VL) | V 相低端的信號(hào)輸入 |
| 11 | V TS | HVIC 溫度感測(cè)輸出 |
| 12 | V B(W) | W 相高端 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的偏壓 |
| 13 | V CC(W) | W 相 IC 和低端 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的偏壓 |
| 14 | IN (WH) | W 相高端的信號(hào)輸入 |
| 15 | IN (WL) | W 相低端的信號(hào)輸入 |
| 16 | N.C | 無(wú)連接 |
| 17 | P | 直流輸入正端 |
| 18 | U, V S(U) | 高端 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的 U 相偏壓接地輸出 |
| 19 | N U | U 相的直流輸入負(fù)端 |
| 20 | N V | V 相的直流輸入負(fù)端 |
| 21 | V, V S(V) | 高端 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的 V 相偏壓接地輸出 |
| 22 | N W | W 相的直流輸入負(fù)端 |
| 23 | W, V S(W) | 高端 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的 W 相偏壓接地輸出 |
注:每個(gè)低端 MOSFET 的源極端子與 Motion SPM? 5 中的電源接地或偏壓接地不連接,外部連接應(yīng)當(dāng)如圖 3 所示。
電氣特性
逆變器部分
| 符號(hào) | 參數(shù) | 工作條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVDSS | 漏極 - 源極擊穿電壓 | VIN = 0 V, ID = 1 mA (注 1) | 500 | V | ||
| IDSS | 零柵極電壓漏極電流 | VIN = 0 V, VDS = 500 V | 1 mA | |||
| RDS(on) | 漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻 | VCC = VBS = 15 V, VIN = 5 V, ID = 0.5 A | 2.5 | 3.8 | ? | |
| VSD | 漏極 - 源極二極管正向電壓 | VCC = VBS = 15 V, VIN = 0 V, ID = -0.5 A | 1.2 | V | ||
| tON | 開關(guān)時(shí)間 | VPN = 300 V, VCC = VBS = 15 V, ID = 0.5 A VIN = 0 V ? 5 V, 電感負(fù)載 L = 3 mH |
1150 | ns | ||
| tOFF | 開關(guān)時(shí)間 | 950 | ns | |||
| trr | 開關(guān)時(shí)間 | 190 | ns | |||
| EON | 開關(guān)能量 | 40 | μJ | |||
| EOFF | 開關(guān)能量 | 10 | μJ | |||
| RBSOA | 反向偏壓安全工作區(qū) | VPN = 400 V, VCC = VBS = 15 V, ID = IDP, VDS = BVDSS, TJ = 150°C | 整個(gè)區(qū)域 |
控制部分
| 符號(hào) | 參數(shù) | 工作條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IQCC | VCC 靜態(tài)電流 | VCC = 15 V, VIN = 0 V 施加在 VCC 和 COM 之間 | 200 | μA | ||
| IQBS | VBS 靜態(tài)電流 | VBS = 15 V, VIN = 0 V VB(V) - V, VB(W) - W 施加在 VB(U) - U | 100 | μA | ||
| UVCCD | VCC 欠壓保護(hù)檢測(cè)電平 | 7.4 | 8.0 | 9.4 | V | |
| UVCCR | VCC 欠壓保護(hù)復(fù)位電平 | 8.0 | 8.9 | 9.8 | V | |
| UVBSD | VBS 欠壓保護(hù)檢測(cè)電平 | 7.4 | 8.0 | 9.4 | V | |
| UVBSR | VBS 欠壓保護(hù)復(fù)位電平 | 8.0 | 8.9 | 9.8 | V | |
| VTS | HVIC 溫度感測(cè)電壓輸出 | VCC = 15 V, THVIC = 25°C (注 4) | 600 | 790 | 980 | mV |
| VIH | 導(dǎo)通閾值電壓 | 邏輯高電平 2.9 V 施加在 VIN 和 COM 之間 | V | |||
| VIL | 關(guān)斷閾值電壓 | 邏輯低電平 0.8 V | V |
自舉二極管部分
| 符號(hào) | 參數(shù) | 工作條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VFB | 正向電壓 | IF = 0.1 A, TC = 25°C (注 5) | 2.5 | V | ||
| trrB | 反向恢復(fù)時(shí)間 | IF = 0.1 A, TC = 25°C | 80 | ns |
注:
- (BVDSS) 是 Motion SPM? 5 產(chǎn)品中的單個(gè) MOSFET 的漏極和源極端子之間的絕對(duì)最大額定電壓??紤]到寄生電感,(Vpu) 應(yīng)遠(yuǎn)低于該值,因此 (VPR) 在任何情況下不得超過(guò) (BVoss)。
- (t{ON}) 和 (t{OFF}) 包括內(nèi)部驅(qū)動(dòng) IC 的傳輸延遲。所列出的數(shù)值是在實(shí)驗(yàn)室測(cè)試條件下測(cè)得,在實(shí)際應(yīng)用中因?yàn)橛∷㈦娐钒搴筒季€的差異,數(shù)值也會(huì)有所不同。請(qǐng)參閱圖 6 介紹的開關(guān)測(cè)試電路。
- 每個(gè) MOSFET 在開關(guān)工作時(shí)的峰值電流和電壓也應(yīng)在安全工作區(qū)(SOA)的范圍內(nèi)。請(qǐng)參閱圖 7 中的 RBSOA 測(cè)試電路,它與開關(guān)測(cè)試電路相同。
- (v_{ts}) 只能用作模塊的溫度感測(cè),但不能自動(dòng)關(guān)閉 MOSFETs。
- 內(nèi)置自舉二極管其阻抗特性約為 15 ?。請(qǐng)參閱圖 2。
推薦工作條件
| 符號(hào) | 參數(shù) | 工作條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V PN | 電源電壓 | 施加在 P 和 N 之間 | 300 | 400 | V | |
| V CC | 控制電源電壓 | 施加在 V CC 和 COM 之間 | 13.5 | 15.0 | 16.5 | V |
| V BS | 高端偏壓 | 施加在 V B 和 V S 之間 | 13.5 | 15.0 | 16.5 | V |
| V IN(ON) | 輸入導(dǎo)通閾值電壓 | 施加在 V IN 和 COM 之間 | 3.0 | V CC | V | |
| V IN(OFF) | 輸入關(guān)斷閾值電壓 | 0 | 0.6 | V | ||
| t dead | 防止橋臂直通的死區(qū)時(shí)間 | V CC = V BS = 13.5 ~ 16.5 V, T J ? 150°C | 1.0 | μs | ||
| f PWM | PWM 開關(guān)頻率 | T J ? 150°C | 15 | kHz |
應(yīng)用與注意事項(xiàng)
應(yīng)用場(chǎng)景
FSB50250AS 模塊適用于小功率交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的三相逆變器驅(qū)動(dòng),為電機(jī)控制提供了可靠的解決方案。
注意事項(xiàng)
- 自舉電路的參數(shù)取決于 PWM 算法,上述為開關(guān)頻率為 15 kHz 時(shí)的參數(shù)的典型例子。
- Motion SPM 5 產(chǎn)品和 MCU 的每個(gè)輸入端的 RC 耦合 ((R{5}) 和 (C{5}) 、(R{4}) 和 (C{6}) 、(C_{4})),可用于防止由浪涌噪聲產(chǎn)生的錯(cuò)誤信號(hào)。
- 印刷電路板圖形中的粗線應(yīng)盡量短且粗,以減少電路中的寄生電感,從而降低浪涌電壓。旁路電容 (C{1})、(C{2}) 和 (C_{3}) 應(yīng)具有良好的高頻特性,以吸收高頻紋波電流。
- 由于位于 COM 和低端 MOSFET 的源極端子之間,(R{3}) 的壓降會(huì)影響低端的開關(guān)性能和自舉特性。為此,穩(wěn)態(tài)情況下 (R{3}) 的壓降應(yīng)小于 1 V。
- 為避免浪涌電壓和 HVIC 故障,接地線和輸出端子之間的接線應(yīng)短且粗。
- 所有的濾波電容器應(yīng)緊密連接到 Motion SPM 5 產(chǎn)品,它們應(yīng)當(dāng)具有能夠很好的阻擋高頻紋波電流的特性。
總結(jié)
FSB50250AS Motion SPM? 5 系列模塊以其出色的性能、豐富的特性和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,為電子工程師提供了一個(gè)可靠的逆變器解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理選擇工作參數(shù),并注意相關(guān)的注意事項(xiàng),以確保模塊的穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用類似模塊時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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逆變器
+關(guān)注
關(guān)注
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