Onsemi FSB50550BB Motion SPM 5模塊:高性能逆變器解決方案
在電子工程領(lǐng)域,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需要高性能、可靠且易于集成的逆變器解決方案。Onsemi的FSB50550BB Motion SPM 5模塊就是這樣一款出色的產(chǎn)品,它為交流感應(yīng)電機(jī)、無刷直流電機(jī)(BLDC)和永磁同步電機(jī)(PMSM)提供了全功能、高性能的逆變器輸出級(jí)。下面我們就來詳細(xì)了解一下這款模塊。
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一、產(chǎn)品概述
FSB50550BB是一款先進(jìn)的Motion SPM 5模塊,集成了優(yōu)化的內(nèi)置MOSFET(FRFET?技術(shù))柵極驅(qū)動(dòng),可最大限度地減少電磁干擾(EMI)和損耗。同時(shí),它還具備多種模塊級(jí)保護(hù)功能,如欠壓鎖定和熱監(jiān)測(cè)。內(nèi)置的高速高壓集成電路(HVIC)僅需單電源電壓,能將輸入的邏輯電平柵極輸入轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)部MOSFET所需的高壓、大電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)。每個(gè)相位都有獨(dú)立的開源MOSFET端子,支持各種控制算法。
二、產(chǎn)品特性
2.1 柵極驅(qū)動(dòng)特性
- 柵極驅(qū)動(dòng)電阻 (R{ON}=4.5 k Omega),(R{OFF}=1.2 k Omega),優(yōu)化了開關(guān)性能。
- 適用于超過10 kHz的開關(guān)頻率,滿足高頻應(yīng)用需求。
2.2 逆變器特性
- 采用500 V FRFET MOSFET三相逆變器,集成柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能。
- 內(nèi)置自舉二極管,簡化了PCB布局。
- 低側(cè)MOSFET具有獨(dú)立的開源引腳,用于三相電流檢測(cè)。
2.3 接口與保護(hù)特性
- 采用高電平有效接口,可與3.3/5 V邏輯兼容,具有施密特觸發(fā)器輸入。
- 優(yōu)化設(shè)計(jì)以降低電磁干擾。
- 內(nèi)置HVIC溫度傳感功能,用于溫度監(jiān)測(cè)。
- HVIC用于柵極驅(qū)動(dòng)和欠壓保護(hù),隔離額定值為1500 Vrms/min。
- 該器件無鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
FSB50550BB主要應(yīng)用于小功率交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的三相逆變器驅(qū)動(dòng)。
四、技術(shù)參數(shù)
4.1 絕對(duì)最大額定值
| 參數(shù) | 描述 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 每個(gè)MOSFET的漏源電壓 | 500 | V |
| ID(25°C) | 每個(gè)MOSFET的連續(xù)漏極電流(TC = 80°C) | 3.0 | A |
| VDD | 控制電源電壓(VDD與COM之間) | 20 | V |
| VBS | 高端偏置電壓(VB與VS之間) | 20 | V |
| VIN | 輸入信號(hào)電壓(IN與COM之間) | -0.3 ~ VDD + 0.3 | V |
| VRRMB | 自舉二極管的最大重復(fù)反向電壓 | 500 | V |
| IFB | 自舉二極管的正向電流(TC = 25°C) | 0.5 | A |
| IFPB | 自舉二極管的正向峰值電流(TC = 25°C,脈沖寬度小于1 ms) | 2.0 | A |
4.2 熱阻
| 參數(shù) | 描述 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| Rth(j - c)Q | 結(jié)到外殼的熱阻(逆變器工作條件下每個(gè)FET) | 8.9 | °C/W |
4.3 工作溫度范圍
| 參數(shù) | 描述 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| TJ | 工作結(jié)溫 | -40 ~ 150 | °C |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -40 ~ 125 | °C |
| VIS0 | 隔離電壓(60 Hz正弦波,1分鐘,引腳連接到散熱板) | 1500 | Vrms |
五、引腳描述
FSB50550BB共有23個(gè)引腳,每個(gè)引腳都有特定的功能,如COM為IC公共電源地,V B(U)為U相高端MOSFET驅(qū)動(dòng)的偏置電壓等。在設(shè)計(jì)電路時(shí),需要根據(jù)引腳功能進(jìn)行正確的連接。
六、電氣特性
6.1 逆變器部分
- 漏源擊穿電壓為500 V。
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 為3.0 mΩ。
- 漏源二極管正向電壓為1.3 V。
- 開關(guān)時(shí)間 (t{on}) 在460 - 1100 ns之間,(t{off}) 在1660 - 2300 ns之間。
6.2 控制部分
- 靜態(tài)VBS電流為100 μA。
- 工作VBS電源電流為800 μA。
- 欠壓保護(hù)檢測(cè)電平 (UVDDD) 在7.4 - 8.0 V之間。
6.3 自舉二極管部分
- 正向電壓 (V_{FB}) 在IF = 0.1 A,TC = 25 °C時(shí)為2.5 V。
- 反向恢復(fù)時(shí)間 (t_{rrB}) 在IF = 0.1 A,TC = 25 °C時(shí)為80 ns。
七、推薦工作條件
| 參數(shù) | 描述 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| VPN | 電源電壓 | 300 - 400 | V |
| VDD | 控制電源電壓(VDD與COM之間) | 15.0 | V |
| VBS | 高端偏置電壓(VB與VS之間) | 13.5 - 15.0 - 18.5 | V |
| 輸入導(dǎo)通閾值電壓(VIN與COM之間) | 3.0 - VDD | V | |
| VIN(OFF) | 輸入關(guān)斷閾值電壓 | 0 - 0.6 | V |
| 消隱時(shí)間(防止橋臂短路) | 2 | μs | |
| fPWM | PWM開關(guān)頻率 | 15 | kHz |
八、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
8.1 自舉電路參數(shù)
自舉電路元件的參數(shù)取決于PWM算法。對(duì)于15 kHz的開關(guān)頻率,文檔中給出了典型的參數(shù)示例。
8.2 抗干擾措施
- 在Motion SPM和MCU的每個(gè)輸入處使用RC耦合((R{5}) 和 (C{5}) 以及 (C_{4})),可防止浪涌噪聲導(dǎo)致的錯(cuò)誤信號(hào)。
- PCB布局中,粗線應(yīng)短而厚,以減小電路的雜散電感,降低浪涌電壓。旁路電容器(如 (C{1})、(C{2}) 和 (C_{3}))應(yīng)具有良好的高頻特性,以吸收高頻紋波電流。
8.3 溫度測(cè)量
在SPM 5封裝的散熱片頂部(如果適用,在SPM 5封裝和散熱片之間)連接熱電偶,以獲得正確的溫度測(cè)量值。
九、總結(jié)
Onsemi的FSB50550BB Motion SPM 5模塊是一款功能強(qiáng)大、性能優(yōu)越的逆變器模塊,適用于小功率交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。在設(shè)計(jì)應(yīng)用電路時(shí),工程師需要根據(jù)其技術(shù)參數(shù)和設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)進(jìn)行合理的布局和連接,以確保模塊的正常運(yùn)行和系統(tǒng)的可靠性。你在使用這款模塊時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
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