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深入解析 onsemi FNB43060T2 Motion SPM 45 模塊:高性能電機(jī)逆變器的理想之選

lhl545545 ? 2026-04-28 15:05 ? 次閱讀
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深入解析 onsemi FNB43060T2 Motion SPM 45 模塊:高性能電機(jī)逆變器的理想之選

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,一款性能卓越、功能豐富的逆變器模塊對(duì)于提升電機(jī)的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性至關(guān)重要。今天,我們就來深入了解 onsemi 的 FNB43060T2 Motion SPM 45 模塊,探討它的特點(diǎn)、參數(shù)以及應(yīng)用場景。

文件下載:FNB43060T2-D.PDF

模塊概述

FNB43060T2 是一款先進(jìn)的 Motion SPM 45 模塊,專為交流感應(yīng)電機(jī)(AC Induction)、無刷直流電機(jī)(BLDC)和永磁同步電機(jī)(PMSM)提供功能齊全、高性能的逆變器輸出級(jí)。該模塊集成了內(nèi)置 IGBT 的優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng),能有效降低電磁干擾(EMI)和損耗,同時(shí)具備多種模塊級(jí)保護(hù)功能,如欠壓鎖定、過流關(guān)斷、驅(qū)動(dòng) IC 的熱監(jiān)測以及故障報(bào)告等。其內(nèi)置的高速高壓集成電路(HVIC)僅需單電源電壓,就能將輸入的邏輯電平柵極輸入轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)部 IGBT 所需的高壓、大電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)。此外,每個(gè)相位都設(shè)有獨(dú)立的負(fù) IGBT 端子,可支持各種控制算法。

主要特點(diǎn)

認(rèn)證與性能

  • UL 認(rèn)證:獲得 UL 認(rèn)證(編號(hào) E209204,符合 UL1557 標(biāo)準(zhǔn)),具備 600V - 30A 的三相 IGBT 逆變器,集成柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能。
  • 低損耗與高可靠性:采用低損耗、短路額定的 IGBT,內(nèi)置自舉二極管和專用 Vs 引腳,簡化 PCB 布局。
  • 溫度監(jiān)測:內(nèi)置 NTC 熱敏電阻,可實(shí)時(shí)監(jiān)測溫度。
  • 電流傳感:低側(cè) IGBT 設(shè)有獨(dú)立的開集電極引腳,用于三相電流傳感。

電氣特性

  • 單一接地電源:采用單一接地電源,簡化電源設(shè)計(jì)。
  • 隔離等級(jí):隔離額定值為 2000Vrms / min,確保電氣安全。

引腳配置與功能

引腳描述

FNB43060T2 模塊共有 26 個(gè)引腳,各引腳功能如下: 引腳編號(hào) 引腳名稱 引腳描述
1 V_TH 熱敏電阻偏置電壓
2 R_TH 熱敏電阻(溫度檢測)的串聯(lián)電阻
3 P 正直流母線輸入
4 U U 相輸出
5 V V 相輸出
6 W W 相輸出
7 N_U U 相負(fù)直流母線輸入
8 N_V V 相負(fù)直流母線輸入
9 N_W W 相負(fù)直流母線輸入
10 C_SC 短路電流檢測輸入的關(guān)斷輸入
11 V_FO 故障輸出
12 IN (WL) 低側(cè) W 相信號(hào)輸入
13 IN (VL) 低側(cè) V 相信號(hào)輸入
14 IN (UL) 低側(cè) U 相信號(hào)輸入
15 COM 公共電源地
16 V_DD(L) 低側(cè) IC 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)的公共偏置電壓
17 V_DD(H) 高側(cè) IC 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)的公共偏置電壓
18 IN (WH) 高側(cè) W 相信號(hào)輸入
19 IN (VH) 高側(cè) V 相信號(hào)輸入
20 IN (UH) 高側(cè) U 相信號(hào)輸入
21 V_S(W) W 相 IGBT 驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓地
22 V_B(W) W 相 IGBT 驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓
23 V_S(V) V 相 IGBT 驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓地
24 V_B(V) V 相 IGBT 驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓
25 V_S(U) U 相 IGBT 驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓地
26 V_B(U) U 相 IGBT 驅(qū)動(dòng)的高側(cè)偏置電壓

內(nèi)部等效電路

逆變器的高側(cè)由三個(gè) IGBT、續(xù)流二極管和每個(gè) IGBT 的一個(gè)控制 IC 組成;低側(cè)同樣由三個(gè) IGBT、續(xù)流二極管和每個(gè) IGBT 的一個(gè)控制 IC 組成,具備柵極驅(qū)動(dòng)和保護(hù)功能;功率側(cè)由四個(gè)逆變器直流母線輸入端子和三個(gè)逆變器輸出端子組成。

絕對(duì)最大額定值與熱阻

絕對(duì)最大額定值

在不同的工作條件下,模塊的各個(gè)參數(shù)都有其絕對(duì)最大額定值,例如:

  • 逆變器部分:P - NU、NV、NW 之間的電源電壓(VPN)最大為 450V,浪涌電壓(VPN(Surge))最大為 500V;集電極 - 發(fā)射極電壓(VCES)為 600V;每個(gè) IGBT 的集電極電流(±IC)在 TC = 25°C、TJ < 150°C 時(shí)為 30A,峰值電流(±ICP)在 1ms 脈沖寬度下為 60A;集電極耗散功率(PC)在 TC = 25°C 時(shí)為 59W;工作結(jié)溫(TJ)范圍為 -40 ~ 150°C。
  • 控制部分:控制電源電壓(VDD)在 VDD(H)、VDD(L) - COM 之間最大為 20V;高側(cè)控制偏置電壓(VBS)在 VB(U) - VS(U)、VB(V) - VS(V)、VB(W) - VS(W) 之間最大為 20V;輸入信號(hào)電壓(VIN)在 IN(UH)、IN(VH)、IN(WH)、IN(UL)、IN(VL)、IN(WL) - COM 之間為 -0.3 ~ VDD + 0.3V;故障輸出電源電壓(VFO)在 VFO - COM 之間為 -0.3 ~ VDD + 0.3V;故障輸出電流(IFO)在 VFO 引腳的灌電流為 1mA;電流傳感輸入電壓(VSC)在 CSC - COM 之間為 -0.3 ~ VDD + 0.3V。
  • 自舉二極管部分:最大重復(fù)反向電壓(VRRM)為 600V;正向電流(IF)在 TC = 25°C、TJ < 150°C 時(shí)為 0.5A,峰值正向電流(IFP)在 1ms 脈沖寬度下為 2.0A;工作結(jié)溫(TJ)范圍為 -40 ~ 150°C。
  • 整個(gè)系統(tǒng):自保護(hù)電源電壓極限(VPN(PROT))在特定條件下為 400V;模塊外殼工作溫度(TC)范圍為 -40 ~ 125°C;存儲(chǔ)溫度(TSTG)范圍為 -40 ~ 125°C;隔離電壓(VISO)為 2000Vrms(60Hz,正弦交流,1 分鐘,引腳連接到散熱板)。

熱阻

逆變器 IGBT 部分的結(jié)到外殼熱阻(Rth(j - c)Q)(每 1/6 模塊)最小為 2.1°C/W;逆變器續(xù)流二極管部分的結(jié)到外殼熱阻(Rth(j - c)F)(每 1/6 模塊)為 2.8°C/W。

電氣特性

逆變器部分

  • 飽和電壓(VCE(SAT)):典型值為 1.65V,最大值為 2.25V。
  • 正向電壓(VF):在 $I{F}=30A$、$T{J}=25^{circ}C$ 時(shí)為 2.00V。
  • 開關(guān)時(shí)間:包括開通時(shí)間(tON)和關(guān)斷時(shí)間(tOFF),具體數(shù)值與測試條件有關(guān),例如在 VPN = 300V、VDD = VBS = 15V、Ic = 30A、$V_{IN}=0Vleftrightarrow5V$、感性負(fù)載條件下,tON 典型值為 0.45us,最大值為 1.35us;tOFF 典型值為 0.20us,最大值為 0.50us。

控制部分

  • 電流:不同引腳的電流參數(shù)不同,如 VDD(H) - COM 之間的電流(IQDDH)在 $V{DD(H)}=15V$、$IN{(UH,VH, WH)}=0V$ 時(shí)最大值為 0.10mA;VDD(L) - COM 之間的電流(IQDDL)在 $V{DD(L)}=15V$、$IN{(UL,VL, WL)}=0V$ 時(shí)最大值為 2.65mA。
  • 故障輸出電壓(VFH):在 $V{SC}=0V$、$V{FO}$ 電路通過 4.7kΩ 上拉到 5V 時(shí)為 4.5V。
  • 欠壓保護(hù):檢測電平(UVDDR)為 10.5V,復(fù)位電平為 11.0V;高側(cè)欠壓檢測(UVBSD)檢測電平為 12.5V,復(fù)位電平為 10.5 ~ 13.0V。

推薦工作條件

電壓與電流

  • VPN:P - NU、NV、NW 之間的電壓推薦值為 300V。
  • VDD:控制電源電壓在 VDD(H)、VDD(L) - COM 之間推薦值為 13.5 ~ 15.0V。
  • VBS:高側(cè)偏置電壓在 VB(U) - VS(U)、VB(V) - VS(V)、VB(W) - VS(W) 之間推薦值為 15.0V。
  • V_SEN:電流傳感電壓在 NU、NV、NW - COM 之間(包括浪涌電壓)范圍為 -4 ~ 4V。

其他參數(shù)

  • 控制電源變化率(dVDD/dt):范圍為 -1 ~ 1V/us。
  • 消隱時(shí)間(tdead:用于防止橋臂短路,推薦值為 1.0us。
  • PWM 輸入信號(hào):在 -40°C ≤ TC ≤ 125°C、-40°C ≤ TJ ≤ 150°C 條件下,頻率為 20kHz。
  • 最小輸入脈沖寬度(PWIN(OFF)):在 $V{DD}=V{BS}=15V$、$I_{C} leq 60A$、NU、V、W 與直流母線 N 之間的布線電感小于 10nH 時(shí)為 1.2us。

保護(hù)功能與應(yīng)用電路

保護(hù)功能

  • 欠壓保護(hù):分為低側(cè)和高側(cè)欠壓保護(hù)。低側(cè)欠壓保護(hù)在控制電源電壓上升到 UVDDR 后,電路開始工作;當(dāng)檢測到欠壓(UVDDD)時(shí),IGBT 關(guān)斷,故障輸出開始工作,直到欠壓復(fù)位(UVDDR)后,IGBT 才能再次導(dǎo)通。高側(cè)欠壓保護(hù)類似,但沒有故障輸出信號(hào)。
  • 短路保護(hù):僅在低側(cè)工作。當(dāng)檢測到短路電流(SC 觸發(fā))時(shí),所有低側(cè) IGBT 的柵極被硬中斷,IGBT 關(guān)斷,故障輸出開始工作,直到故障輸出結(jié)束且觸發(fā)下一個(gè)從低到高的信號(hào),IGBT 才能再次導(dǎo)通。

應(yīng)用電路

在設(shè)計(jì)應(yīng)用電路時(shí),需要注意以下幾點(diǎn):

  • 布線:各輸入的布線應(yīng)盡可能短(小于 2 - 3cm),以避免故障;RF 和 CSC 周圍的布線也應(yīng)盡可能短,以防止保護(hù)功能出錯(cuò);控制 GND 線和電源 GND 線(包括 NU、NV、NW)應(yīng)僅在一點(diǎn)連接,且布線距離應(yīng)盡可能短。
  • 元件選擇:VFO 輸出為開漏類型,應(yīng)使用電阻上拉到 MCU 或控制電源的正極,使 IFO 達(dá)到 1mA;CSP15 建議為自舉電容 CBS 的約七倍;輸入信號(hào)為高電平有效類型,IC 內(nèi)部有 5kΩ(典型值)下拉電阻,建議使用 RC 耦合電路防止輸入信號(hào)振蕩,$R{S}C{PS}$ 時(shí)間常數(shù)應(yīng)在 50 - 150ns 范圍內(nèi)(推薦 $R{S}=100Omega$,$C{PS}=1nF$);在短路保護(hù)電路中,$R{F}C{SC}$ 時(shí)間常數(shù)應(yīng)在 1.5 - 2s 范圍內(nèi);每個(gè)電容應(yīng)盡可能靠近 Motion SPM 45 模塊的引腳安裝;在 P 和 GND 引腳之間建議使用約 0.1 - 0.22μF 的高頻無感電容,以防止浪涌破壞;應(yīng)選擇溫度特性良好的電解電容作為 CBS,選擇 0.1 - 0.2μF 的 R 類陶瓷電容作為 CSC,其具有良好的溫度和頻率特性。

總結(jié)

FNB43060T2 Motion SPM 45 模塊憑借其豐富的功能、卓越的性能和完善的保護(hù)機(jī)制,為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體需求合理選擇工作條件和元件參數(shù),確保模塊的穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí),在設(shè)計(jì)電路時(shí),要嚴(yán)格遵循布線和元件安裝的要求,以充分發(fā)揮模塊的優(yōu)勢。你在使用這款模塊的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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