onsemi SiC Power MOSFET模塊：高效電能轉(zhuǎn)換的理想選擇

在當(dāng)今電子科技飛速發(fā)展的時代，新能源汽車（xEV）領(lǐng)域?qū)?a target="_blank">功率模塊的需求日益增長。onsemi推出的NVXK2VR80WXT2 SiC Power MOSFET模塊，憑借其卓越的性能和先進(jìn)的設(shè)計，成為了xEV車載充電器（OBC）應(yīng)用的理想之選。本文將深入剖析這款模塊的特點(diǎn)、參數(shù)及應(yīng)用，為電子工程師在設(shè)計相關(guān)電路時提供有價值的參考。

文件下載：NVXK2VR80WXT2-D.PDF

一、產(chǎn)品概述

NVXK2VR80WXT2是一款1200V、80mΩ、31A的3 - 相橋功率模塊，采用DIP封裝的碳化硅（SiC）技術(shù)，專為xEV應(yīng)用的車載充電器（OBC）設(shè)計。它具有緊湊的設(shè)計，能有效降低模塊的總電阻，同時滿足IEC 60664 - 1和IEC 60950 - 1標(biāo)準(zhǔn)的爬電距離和電氣間隙要求。此外，該模塊還具備產(chǎn)品序列化功能，可實(shí)現(xiàn)完全可追溯性，并且符合無鉛、ROHS和UL94V - 0標(biāo)準(zhǔn)，通過了AEC - Q101和AQG324汽車級認(rèn)證。

二、關(guān)鍵參數(shù)

1. 最大額定值

2. 熱特性

3. 電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：(V{(BR)DSS})在(V{GS}= 0V)，(I_{D}= 1mA)時為1200V。
• 漏源擊穿電壓溫度系數(shù)：(B{(BR)DSS}/T{J})在(I_{D}= 1mA)，參考25°C時為500mV/°C。
• 零柵壓漏極電流：(I{DSS})在(V{GS}= 0V)，(T{J}= 25°C)，(V{DS}= 1200V)時為100μA；在(T_{J}= 175°C)時最大為1mA。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS})在(V{GS}= +25 / - 15V)，(V_{DS}= 0V)時為±1μA。

導(dǎo)通特性

• 推薦柵極電壓：(V{GOP})在(V{GS}=V{DS})，(I{D}= 5mA)時為1.8 - 4.3V。
• 漏源導(dǎo)通電阻：(R{DS(on)})在(V{GS}= 20V)，(I{D}= 20A)，(T{J}= 25°C)時最大為116mΩ。
• 正向跨導(dǎo)：(g{FS})在(V{DS}= 20V)，(I_{D}= 20A)時未給出具體值。

電荷、電容及柵極電阻

• 輸入電容：(C{ISS})在(V{GS}= 0V)，(f = 1MHz)，(V_{DS}= 800V)時為1154pF。
• 輸出電容：(C_{OSS})未給出具體值。
• 反向傳輸電容：(C_{RSS})為7.9pF。
• 總柵極電荷：(Q{G(TOT)})在(V{GS}= - 5 / 20V)，(V{DS}= 600V)，(I{D}= 20A)時為56nC。
• 閾值柵極電荷：(Q_{G(TH)})為10。
• 柵源電荷：(Q_{GS})為18。
• 柵漏電荷：(Q_{GD})為11。
• 柵極電阻：(R{G})在(V{GS}= 0V)，(f = 1MHz)時為1.2Ω。

電感開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時間：(t{d(ON)})在(V{GS}= - 5 / 20V)，(V_{DS}= 800V)時未給出具體值。
• 上升時間：(t{r})在(I{D}= 20A)，(R_{G}= 4.7Ω)，電感負(fù)載時為12。
• 關(guān)斷延遲時間：未給出具體值。
• 下降時間：(t_{f})為9。
• 導(dǎo)通能量：(E_{ON})為135μJ。
• 關(guān)斷能量：(E_{OFF})未給出具體值。
• 總能量：(E_{tot})為181。

漏源二極管特性

• 連續(xù)漏源二極管正向電流：在(V{GS}= - 5V)，(T{J}= 25°C)時未給出具體值。
• 反向恢復(fù)時間：在(V{GS}= - 5V)，(dI{S}/dt = 1000A/μs)，(I_{SD}= 20A)時為16.2ns。
• 峰值反向恢復(fù)電流：(I_{RRM})為7.6A。
• 反向恢復(fù)能量：(E_{REC})為4.1μJ。
• 反向恢復(fù)電荷：(Q_{RR})未給出具體值。

三、典型應(yīng)用

該模塊主要應(yīng)用于xEV應(yīng)用的車載充電器的功率因數(shù)校正（PFC）電路中。在車載充電器的設(shè)計中，功率因數(shù)校正對于提高電能轉(zhuǎn)換效率、減少諧波干擾至關(guān)重要。NVXK2VR80WXT2的高性能參數(shù)使其能夠在高電壓、大電流的環(huán)境下穩(wěn)定工作，有效提高充電器的整體性能。

四、封裝與引腳說明

1. 封裝

NVXK2VR80WXT2采用APM32（無鉛）封裝，尺寸為44.00x28.80x5.70mm。封裝設(shè)計符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，確保了模塊的可靠性和穩(wěn)定性。

2. 引腳說明

五、總結(jié)與思考

onsemi的NVXK2VR80WXT2 SiC Power MOSFET模塊以其卓越的性能和先進(jìn)的設(shè)計，為xEV車載充電器的設(shè)計提供了可靠的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中，電子工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計需求，合理選擇模塊的參數(shù)，并注意模塊的散熱和電氣特性，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。那么，在你的設(shè)計項(xiàng)目中，是否會考慮使用這款模塊呢？你認(rèn)為它在實(shí)際應(yīng)用中還可能面臨哪些挑戰(zhàn)？歡迎在評論區(qū)分享你的看法。