Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產品更加豐富。

在產品LSIC1MO170E1000中已經將該公司早前已發(fā)布的1200V SiC MOSFET和肖特基二極管運用到其中。Littelfuse公司表示，最終用戶將由此獲得更緊湊，更節(jié)能的系統(tǒng)并且將會降低使用的總體成本。

Littelfuse還表示，采用SiC MOSFET技術的高效率的特點為許多要求苛刻的應用（電動和混合動力汽車（EV / HEV），數據中心和輔助電源）提供了多種優(yōu)勢。與類似額定硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）相比，LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET 可實現系統(tǒng)級優(yōu)化，包括提高效率，增加功率密度，降低冷卻要求以及可能降低系統(tǒng)級成本。

據稱，與市場上其他業(yè)界領先的SiC MOSFET器件相比，該SiC MOSFET在所有方面都具有更好的性能。LSIC1MO170E1000的典型應用包括：太陽能逆變器; 開關電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）; 電機驅動; 高壓DC / DC轉換器; 和感應加熱。

“該產品可以改善現有應用，Littelfuse所開發(fā)應用可支持網絡，這可以在新的設計項目上有所幫助，”Littelfuse半導體業(yè)務部門Power Semiconductors全球產品營銷經理Michael Ketterer說?！癝iC MOSFET為傳統(tǒng)的硅基功率晶體管器件提供了更優(yōu)的替代方案。與類似額定值的IGBT相比，MOSFET器件結構可實現更低的周期開關損耗和更高的輕載效率，“他補充道?！肮逃械牟牧咸匦栽试SSiC MOSFET在阻斷電壓、特定導通電阻和結電容方面超過其Si MOSFET對應物。”

新型1700V，1ΩSiCMOSFET具有以下優(yōu)點：

1、針對高頻，高效應用進行了優(yōu)化;

2、極低的柵極電荷和輸出電容;

3、用于高頻開關的低柵極電阻。

LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET采用TO-247-3L封裝，管材數量為450。樣品要求可通過全球授權的Littelfuse經銷商提供。

Littelfuse公司

力特公司位于美國伊利諾伊州芝加哥市，主要為客戶提供電路保護技術支持。包括保險絲，半導體，聚合物，陶瓷，繼電器和傳感器等。