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普萊信Fluxless TCB設(shè)備Loong完成全球首款基于硅光的OCS打樣驗證

焦點訊 ? 來源:焦點訊 ? 作者:焦點訊 ? 2026-05-06 14:53 ? 次閱讀
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近日,半導體先進封裝設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)普萊信宣布,其自主研發(fā)的Fluxless TCB(無助焊劑熱壓鍵合)設(shè)備Loong Fluxless,配合海外全球領(lǐng)先的OCS開發(fā)商,成功完成全球首款基于硅光子學CMOS技術(shù)的OCS(光電交換機)的打樣驗證。這一里程碑標志著國產(chǎn)高端鍵合設(shè)備在硅光集成封裝領(lǐng)域取得了關(guān)鍵性技術(shù)認證,為下一代數(shù)據(jù)中心的全光互聯(lián)提供了成熟、可靠的量產(chǎn)級工藝方案。

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打通OCS量產(chǎn)“最后一公里”

隨著AI大模型訓練對帶寬和延遲提出極致要求,OCS以全光直通為核心,具備超高帶寬、納秒級低時延、80%-90%功耗降幅、協(xié)議透明等特性,完美適配算力集群東西向大流量長連接需求,是下一代數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)的理想技術(shù)方案。

OCS核心制造工藝涵蓋MEMS微加工、硅光集成、光學封裝、可靠性強化與測試校準五大環(huán)節(jié),依托精密加工、CMOS集成、微米級對準等技術(shù),通過自動化測試保障量產(chǎn)一致性與10年以上穩(wěn)定運行。

硅光集成的核心瓶頸是PIC(光子集成電路)和EIC(電子集成電路)組成的硅光引擎進行高密度集成,是決定OCS交換機光學性能與量產(chǎn)良率的“咽喉”環(huán)節(jié)。普萊信Loong設(shè)備此次成功打樣驗證,證實了Fluxless TCB工藝是解決PIC/EIC異構(gòu)集成的最優(yōu)解。

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為何OCS必須選擇Fluxless TCB?

相較于傳統(tǒng)引線鍵合或含助焊劑的回流焊工藝,普萊信Loong設(shè)備搭載的Fluxless TCB技術(shù)通過通入甲酸蒸汽實時去除金屬表面氧化物,完美替代了傳統(tǒng)助焊劑,從根本上滿足了硅光芯片封裝對潔凈度與精度的苛刻要求。

在此次全球首款OCS打樣驗證中,普萊信Loong設(shè)備展現(xiàn)出了三大不可替代的核心優(yōu)勢:

1. 低溫鍵合,保護脆弱的光學鏈路:硅光芯片內(nèi)部的光柵耦合器與波導對熱應(yīng)力極為敏感。Loong設(shè)備可在150~200℃的極低工作溫度區(qū)間完成穩(wěn)定鍵合,有效規(guī)避了高溫回流焊對光學元件性能的損傷,確保了OCS系統(tǒng)在長期運行下的光路穩(wěn)定性。

2. 亞微米級貼裝,決定光耦合效率:信號在PIC與EIC之間的傳輸損耗直接取決于貼裝精度。Loong設(shè)備憑借先進的視覺對位與力學控制系統(tǒng),實現(xiàn)了±0.5μm的亞微米級貼裝精度。這一精度是實現(xiàn)高效光耦合的關(guān)鍵,直接決定了OCS交換機端口的插損指標能否達標。

3.絕對潔凈,杜絕光學界面污染:傳統(tǒng)助焊劑揮發(fā)殘留是導致光學界面霧化、光路失效的頭號殺手。Fluxless工藝利用甲酸蒸汽實現(xiàn)原子級清潔的表面活化,從根源杜絕助焊劑殘留,保障了封裝后光路內(nèi)部的絕對潔凈,大幅延長了OCS設(shè)備的使用壽命。

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普萊信:賦能AI算力集群的光互聯(lián)技術(shù)

普萊信是一家專注高端先進封裝設(shè)備的國家級專精特新“小巨人”企業(yè),公司的Fluxless TCB設(shè)備Loong率先完成全球首款OCS產(chǎn)品的打樣驗證,不僅驗證了國產(chǎn)高端裝備在硅光集成這一尖端領(lǐng)域的硬件實力,更為全球AI基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)商提供了高性價比、高可靠性的量產(chǎn)選擇。未來,我們將持續(xù)迭代技術(shù),助力客戶在AI算力競賽中構(gòu)建更強大的光互聯(lián)技術(shù)底座。

審核編輯 黃宇

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