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onsemi碳化硅MOSFET NVBG075N065SC1深度剖析

lhl545545 ? 2026-05-07 16:10 ? 次閱讀
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onsemi碳化硅MOSFET NVBG075N065SC1深度剖析

作為一名電子工程師,在設(shè)計過程中,選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天,我們就來深入了解onsemi推出的碳化硅(SiC)MOSFET——NVBG075N065SC1,看看它有哪些特性和優(yōu)勢。

文件下載:NVBG075N065SC1-D.PDF

一、核心特性

低導(dǎo)通電阻

NVBG075N065SC1具有極低的導(dǎo)通電阻。在 (V{GS}=18V) 時,典型 (R{DS(on)}=56mOmega);在 (V{GS}=15V) 時,典型 (R{DS(on)}=75mOmega)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的功率損耗更小,能夠提高系統(tǒng)的效率,減少發(fā)熱,這對于高功率應(yīng)用來說尤為重要。

低門極電荷和輸出電容

該器件擁有超低的門極電荷 (Q{G(tot)} = 59nC) 和低輸出電容 (C{oss}=109pF)。低門極電荷可以降低驅(qū)動功率,減少開關(guān)損耗,提高開關(guān)速度;低輸出電容則有助于減少開關(guān)過程中的能量損耗,提高系統(tǒng)的整體性能。

可靠性高

它經(jīng)過了100%雪崩測試,符合AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),并且具備PPAP能力,同時滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)。這表明該器件在汽車等對可靠性要求極高的應(yīng)用場景中,能夠穩(wěn)定可靠地工作,為系統(tǒng)的安全性提供了保障。

二、典型應(yīng)用

NVBG075N065SC1主要應(yīng)用于汽車領(lǐng)域,包括汽車車載充電器和電動汽車/混合動力汽車的DC/DC轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中,對功率器件的效率、可靠性和散熱性能都有很高的要求,而該器件的特性正好能夠滿足這些需求。

三、最大額定值

器件的最大額定值是我們在設(shè)計過程中必須要關(guān)注的參數(shù)。以下是一些關(guān)鍵的最大額定值: 參數(shù) 符號 單位
漏源電壓 (V_{DSS}) 650 V
柵源電壓 (V_{GS}) -8/+22 V
推薦柵源電壓 (V_{GSop}) -5/+18 V
穩(wěn)態(tài)連續(xù)漏極電流((T_C = 25^{circ}C)) (I_D) 37 A
穩(wěn)態(tài)連續(xù)漏極電流((T_C = 100^{circ}C)) (I_D) 26 A
脈沖漏極電流((T_C = 25^{circ}C)) (I_{DM}) 101 A
工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 (TJ, T{stg}) -55 to +175 (^{circ}C)

需要注意的是,超過這些最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。

四、熱特性

熱特性對于功率器件的性能和壽命至關(guān)重要。NVBG075N065SC1的熱阻參數(shù)如下: 參數(shù) 符號 典型值 最大值 單位
結(jié)到殼熱阻 (R_{theta JC}) 1.08 - (^{circ}C/W)
結(jié)到環(huán)境熱阻 (R_{theta JA}) - 40 (^{circ}C/W)

在設(shè)計散熱系統(tǒng)時,我們需要根據(jù)這些熱阻參數(shù)來合理設(shè)計散熱方案,確保器件在工作過程中能夠保持在合適的溫度范圍內(nèi)。

五、電氣特性

關(guān)斷特性

  • 漏源擊穿電壓:在 (V_{GS}=0V),(ID = 1mA) 時,(V{(BR)DSS}) 為 650V。
  • 零柵壓漏電流:在 (V_{GS}=0V),(TJ = 25^{circ}C),(V{DS}=650V) 時,(I_{DSS}) 為 10μA;在 (TJ = 175^{circ}C) 時,(I{DSS}) 為 1mA。
  • 柵源泄漏電流:在 (V{GS}= +18/ - 5V),(V{DS}=0V) 時,(I_{GSS}) 為 250nA。

導(dǎo)通特性

  • 推薦柵極電壓:(V_{GOP}) 為 -5V。
  • 導(dǎo)通電阻:在 (V_{GS}=18V),(I_D = 15A),(TJ = 175^{circ}C) 時,(R{DS(on)}) 為 70mΩ。

開關(guān)特性

  • 導(dǎo)通延遲時間:在 (V{GS}= - 5/18V),(V{DS}=400V),(I_D = 15A),(RG = 2.2Omega) 時,(t{d(ON)}) 為 9ns。
  • 關(guān)斷延遲時間:在上述條件下,為 12ns。
  • 下降時間:(t_f) 為 8ns。
  • 導(dǎo)通開關(guān)損耗:為 μJ(文檔未明確具體值)。
  • 關(guān)斷開關(guān)損耗:(E_{OFF}) 為 12μJ。
  • 總開關(guān)損耗:為 47μJ。

源漏二極管特性

  • 連續(xù)源漏二極管正向電流:在 (V_{GS}= - 5V),(TJ = 25^{circ}C) 時,(I{SD}) 為 32A。
  • 脈沖源漏二極管正向電流:在 (V_{GS}= - 5V),(TJ = 25^{circ}C) 時,(I{SDM}) 為 101A。
  • 正向二極管電壓:在 (V{GS}= - 5V),(I{SD}=15A),(TJ = 25^{circ}C) 時,(V{SD}) 為 4.4V。

六、典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線,如導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系等。這些曲線能夠幫助我們更直觀地了解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn),在設(shè)計過程中合理選擇工作點。

七、封裝與訂購信息

NVBG075N065SC1采用D2PAK - 7L封裝,每盤800個,采用帶盤包裝。關(guān)于帶盤規(guī)格的詳細(xì)信息,可以參考相關(guān)的包裝規(guī)格手冊。

在實際設(shè)計中,我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,綜合考慮器件的各項特性和參數(shù),確保設(shè)計出的系統(tǒng)能夠穩(wěn)定、高效地運行。大家在使用這款器件時,有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的設(shè)計經(jīng)驗?zāi)??歡迎在評論區(qū)分享交流。

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