功率MOSFET是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件。為了滿足日益提升的電源效率和功率密度要求，超結(jié)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。今天南山電子為大家介紹一款由新潔能（NCE）推出的N溝道超結(jié)功率MOSFET——NCE65TF130F。該器件采用了先進(jìn)的溝槽柵超結(jié)技術(shù)設(shè)計(jì)，在提供極低導(dǎo)通電阻的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超低柵極電荷，非常適合工業(yè)級(jí)的AC-DC開關(guān)電源、功率因數(shù)校正（PFC）等高要求應(yīng)用場(chǎng)景。

高效電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景：

在服務(wù)器電源、不間斷電源（UPS）、LLC半橋電路以及大功率開關(guān)電源（SMPS）中，主開關(guān)器件的性能直接決定了整機(jī)的效率和發(fā)熱量。NCE65TF130F正是為了契合這些工業(yè)級(jí)AC-DC電源轉(zhuǎn)換需求而生。其優(yōu)化的超結(jié)結(jié)構(gòu)不僅能夠滿足高耐壓下的穩(wěn)定工作，還能在高頻開關(guān)拓?fù)渲斜憩F(xiàn)出色，有效降低系統(tǒng)的整體功耗和電磁干擾（EMI）。

NCE65TF130F核心參數(shù)：

• 漏源電壓：650V
• 導(dǎo)通電阻：120mΩ@VGS=10V
• 連續(xù)漏極電流：28A@Tc=25℃（100℃下為18A）
• 脈沖漏極電流：112A
• 柵源電壓：±30V（連續(xù)）
• 總柵極電荷：37.5nC
• 最大耗散功率：350W@Tc=25℃
• 工作結(jié)溫范圍：-55℃~+150℃

NCE65TF130F在電源電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：

• 極低的導(dǎo)通與驅(qū)動(dòng)損耗：120mΩ的典型導(dǎo)通電阻結(jié)合僅37.5nC的超低柵極電荷，使得NCE65TF130F在導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗極低。同時(shí)，超低Qg大大降低了對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的功率要求，有助于簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)并提升系統(tǒng)開關(guān)頻率。
• 優(yōu)化的本體二極管性能：器件內(nèi)部集成了本征快速恢復(fù)本體二ode，具有優(yōu)化的反向恢復(fù)性能（反向恢復(fù)時(shí)間190nS）。這在LLC半橋等感性負(fù)載拓?fù)渲杏葹橹匾?，能夠顯著減少反向恢復(fù)損耗和死區(qū)時(shí)間的振鈴現(xiàn)象。
• 絕緣封裝提升安全性與散熱：NCE65TF130F采用了TO-220F全塑封絕緣封裝。與傳統(tǒng)的TO-220封裝相比，絕緣封裝省去了外部絕緣墊片和導(dǎo)熱硅脂的繁瑣安裝步驟，不僅簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，還避免了絕緣失效的風(fēng)險(xiǎn)，能保證器件在散熱器緊固下的安全穩(wěn)定運(yùn)行。
• 工業(yè)級(jí)高可靠性保障：作為一款面向工業(yè)應(yīng)用的功率器件，NCE65TF130F通過了100%雪崩測(cè)試，具備優(yōu)異的抗雪崩擊穿能力。同時(shí)產(chǎn)品完全符合ROHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，確保在嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境中依然具備極高的使用壽命和可靠性。

南山電子自2020年起成為新潔能（NCE）的正式授權(quán)代理商，代理其MOSFET、IGBT全系列產(chǎn)品，我們致力于為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)品服務(wù)與解決方案。如需獲取最新產(chǎn)品信息，請(qǐng)聯(lián)系南山電子官網(wǎng)在線客服。